手持技术数字化实验支持下的化学概念教学研究进展*

以“中国知网”数据库发表的手持技术数字化实验支持下的化学概念教学研究主题的期刊论文为研究对象,使用内容分析法,从概念选取、应用价值、应用策略等3个维度综述手持技术数字化实验支持下的化学概念教学的研究进展。最后,基于已有研究,得出相应启示,并提出该领域的研究展望。     

Electronic Phase Separation in Iron Selenide(Li,Fe)OHFeSe Superconductor System

The phenomenon of phase separation into antiferromagnetic(AFM) and superconducting(SC) or normal-state regions has great implication for the origin of high-temperature(high-T_c) superconductivity. However, the occurrence of an intrinsic antiferromagnetism above the T_c of(Li,Fe)OHFe Se superconductor is questioned. Here we report a systematic study on a series of(Li,Fe)OHFe Se single crystal samples with T_c up to ～41 K. We observe an evident drop in the static magnetization at T_(afm) ～ 125 K, in some of the SC(T_c 38 K, cell parameter c■9.27 ?) and non-SC samples. We verify that this AFM signal is intrinsic to(Li,Fe)OHFe Se. Thus, our observations indicate mesoscopic-to-macroscopic coexistence of an AFM state with the normal(below T_(afm)) or SC(below T_c) state in(Li,Fe)OHFe Se. We explain such coexistence by electronic phase separation, similar to that in high-T_c cuprates and iron arsenides. However, such an AFM signal can be absent in some other samples of(Li,Fe)OHFe Se, particularly it is never observed in the SC samples of T_c 38 K, owing to a spatial scale of the phase separation too small for the macroscopic magnetic probe. For this case, we propose a microscopic electronic phase separation. The occurrence of two-dimensional AFM spin fluctuations below nearly the same temperature as T_(afm), reported previously for a(Li,Fe)OHFe Se(T_c ～ 42 K) single crystal, suggests that the microscopic static phase separation reaches vanishing point in high T_c(Li,Fe)OHFe Se. A complete phase diagram is thus established. Our study provides key information of the underlying physics for high-T_c superconductivity.     

受迫二维广义KdV-Burgers方程的周期行波解

本文研究了受迫二维广义ＫｄＶ－Ｂｕｒｇｅｒｓ方程的周期行波解问题,讨论了解的有界性并给出了解的估计式,进而讨论了周期解的存在性及唯一性.     

济南地区表层土壤及沉积物中饱和烃分布特征及源解析

研究了济南地区不同功能区的表层土壤及沉积物中饱和烃的组成和分布特征,在此基础上初步分析了其来源.结果表明,饱和烃主要有正构烷烃、类异戊二烯、环烷烃等组成,正构烷烃碳数分布范围为n-C10-n-C34,类异戊二烯类主要是姥姣烷、植烷及甲基C13-C17烷等,同时还检出烷基环己烷,甾烷、三萜烷及藿烷等环烷烃.饱和烃总体含量分布为北高南低,北部化工区、高速入口处等饱和烃主要来源于原油或成品油等化石燃料及其燃烧产物;南部山区、水库沉积物及农田土壤等饱和烃主要来源于化石燃料的燃烧及高等植物.     

反射型磁光多层膜隔离器工作稳定性的研究

与单纯的磁光晶体相比,由磁光介质与电介质周期性或准周期性排列构成的一维磁光光子晶 体能够显著增强磁光效应,可以用于实现小尺度的磁光隔离器,从而大大减小器件的尺寸. 给出更为一般的可用于求解斜入射情况下偏振光在各向异性介质中传播时的传输矩阵方法, 并用这种方法在波长为1053μm处,针对两种“三明治”型的反射磁光多层膜隔离器的 结构,具体讨论了器件应用时入射角度及工艺制作时膜层制备厚度对它们工作稳定性的影响 .发现中心磁光介质夹层较厚的结构具有膜层数目少、工作稳定性好的优点. 关键词： 光隔离器 磁光效应 一维光子晶体     

便携式近红外漫反射中药质量监控仪的研制

介绍了便携式近红外漫反射中药质量监控仪的设计思想、基本结构、测试条件和使用方法。该光谱仪具有体积小、重量轻、成本低等特点,现场监控中药质量是非常便利的。     

山西典型高铝煤灰熔融及黏温特性改性实验研究

以山西典型高铝煤为研究对象,研究了工业助熔剂石灰石、黏土以及两者的复合助熔剂对其灰熔融特性及黏温特性的影响。结果表明,随着助熔剂含量的增加,煤灰熔融流动温度下降;石灰石的助熔效果优于黏土,复合助熔剂效果优于单一助熔剂。添加石灰石使灰渣临界黏度温度tcv显著降低,添加黏土使其渣型向玻璃渣转变,复合助熔剂较单一助熔剂存在显著协同作用,即能同时实现tcv的降低和渣型的有利转变。对山西典型高铝煤两渡煤,在复合助熔剂添加量为4%(2%石灰石+2%黏土)时,不仅其渣型向玻璃渣转变,且tcv较单独添加石灰石(2%)降低133℃,较单独添加黏土(6%)降低222℃。矿物质分析结果证实了助熔剂的助熔原理。添加复合助熔剂改性的山西高铝煤可达到工业气流床气化对煤种的要求。     

NaCl对琼脂糖凝胶电泳法分离单壁碳纳米管的影响

如何获得单一导电属性的单壁碳纳米管(SWCNT),使其在各领域得到更广泛的应用,引起了科研人员越来越多的关注.琼脂糖凝胶电泳(AGE)法以其简便,低成本,可规模化等优点在分离金属型(m-)和半导体型(s-)单壁碳纳米管的诸多分离方法中体现出独特的优势.本文利用紫外-可见-近红外(UV-Vis-NIR)吸收光谱分析手段,系统研究了NaCl的添加对AGE法分离SWCNT的影响.研究发现NaCl的添加对SWCNT的分离有一定的影响:当NaCl添加量低于70 mmol.L-1时,可以提高分离后体系中s-SWCNT的相对含量;当NaCl添加量高于70mmol.L-1时,随着添加量的增加,NaCl的加入开始抑制m-SWCNT和s-SWCNT的有效分离;当NaCl添加量达到160 mmol.L-1时体系分离效率明显降低.我们推测这种影响主要是由盐的添加改变了分散剂在m-SWCNT和s-SWCNT表面的吸附结构引起的.     

开放型大学物理实验教学的探讨

论述了在高校实施开放型物理实验教学的必要性,提出了开放型实验教学的两种形式,教学内容的开放和教学时间的开放,分析了各自的特点和应用场景.最后讨论了建设开放型实验室所需要的条件,如开通网上选课系统,引进近代物理实验仪器等.     

Modulation Spectroscopy of GaAs Covered by InAs Quantum Dots

Contactless electroreflectance has been employed at room temperature to study the Fermi level pinning at undoped-n^ GaAs surfaces covered by 1.6 and 1.8 monolayer (ML) InAs quantum dots (QDs).It is shown that the 1.8 ML InAs QD moves the Fermi level at GaAs surface to the valence band maximum by about 70 meV compared to bare GaAs,whereas 1.6 ML InAs on GaAs does not modify the Fermi level.It is confirmed that the modification of the 1.8 ML InAs deposition on the Fermi Level at GaAs surface is due to the QDs,which are surrounded by some oxidized InAs facets,rather than the wetting layer.