首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   389篇
  免费   94篇
  国内免费   101篇
化学   218篇
晶体学   23篇
力学   51篇
综合类   35篇
数学   62篇
物理学   195篇
  2024年   3篇
  2023年   14篇
  2022年   22篇
  2021年   18篇
  2020年   18篇
  2019年   17篇
  2018年   25篇
  2017年   15篇
  2016年   13篇
  2015年   19篇
  2014年   34篇
  2013年   14篇
  2012年   17篇
  2011年   16篇
  2010年   21篇
  2009年   24篇
  2008年   28篇
  2007年   20篇
  2006年   15篇
  2005年   20篇
  2004年   17篇
  2003年   16篇
  2002年   16篇
  2001年   14篇
  2000年   13篇
  1999年   20篇
  1998年   7篇
  1997年   9篇
  1996年   10篇
  1995年   18篇
  1994年   13篇
  1993年   5篇
  1992年   10篇
  1991年   8篇
  1990年   5篇
  1989年   8篇
  1988年   2篇
  1987年   4篇
  1986年   4篇
  1985年   3篇
  1984年   2篇
  1983年   2篇
  1982年   2篇
  1981年   1篇
  1964年   1篇
  1962年   1篇
排序方式: 共有584条查询结果,搜索用时 46 毫秒
101.
曹广福  朱渌涛 《数学学报》2001,44(2):241-248
本文给出了Dirichlet空间上Toelpitz算子为紧算子的充要条件.并证明具有C  相似文献   
102.
杜园园  姜维春  陈晓  雒涛 《人工晶体学报》2021,50(10):1892-1899
碲锰镉(CdMnTe)作为性能优异的室温核辐射探测器材料,可用于环境监测和工业无损检测领域。本文中采用Te溶剂Bridgman法生长In掺杂Cd0.9Mn0.1Te晶体,制备成10 mm×10 mm×2 mm大小的室温单平面探测器,研究了该探测器对241Am@59.5 keV γ射线源的能谱响应。通过表征红外透过率、电阻率以及探测器能谱响应等参数,综合评定了探测器用CdMnTe晶体的质量、电学和探测器性能。结果表明,晶片的红外透过率均在55%以上,最好可达到60%。采用湿法钝化,100 V偏压下的漏电流由钝化前的9.48 nA降为钝化后的7.90 nA,钝化后的电阻率为2.832×1010 Ω·cm。在-400 V反向偏压下,CdMnTe探测器对241Am@59.5 keV γ射线源的能量分辨率在钝化前后分别为13.53%和12.51%,钝化后的电子迁移率寿命积为1.049×10-3 cm2/V。研究了探测器的能量分辨率随电压的变化特性,当偏压≤400 V时,探测器的能量分辨率主要由载流子的收集效率决定,而当偏压>400 V时,能量分辨率由漏电流决定。本文研究结果表明,Te溶剂Bridgman法生长的CdMnTe晶体质量较好,电阻率和电子迁移率寿命积满足探测器制备需求。  相似文献   
103.
水芋根螨生活史及其生殖行为的研究   总被引:3,自引:1,他引:3  
  相似文献   
104.
采用火焰原子吸收光谱法,结合3步连续萃取,测定了环境样品中的生物可利用镉的含量,该方法的检出限为0.029mg/L,加标回收率94.0%-103.2%,相对标准偏差(RSD)3.9%-4.9%,测定结果准确可靠.  相似文献   
105.
Charge transport properties of polyimide films implanted with 80 keV Co ions at two different fluences (series I: 1.25 × 10^17 ions/cm^2, series Ⅱ: 1.75 × 10^17 ions/cm^2) are studied in detail. For series I, the temperature dependence of surface resistivity fits Mott's equation very well. It is on the insulating side of the insulator-metal transition (IMT). However, for series Ⅱ, the temperature dependence of surface resistivity is not in agreement with Mott's equation. It is on the metallic side of lMT. The magnetotransport properties of these two series are also studied. No significant magnetoresistive effect is observed for series I at both 5 K and 300 K. For series Ⅱ, an obvious magnetoresistive effect is observed at 5 K, while there is no magnetoresistive effect at 300 K. Rutherford backscattering spectrometry (RBS) is applied to confirm the actual fluence for these two series.  相似文献   
106.
安西涛  王月  牟佳佳  李静  张立功  骆永石  陈力 《发光学报》2018,39(11):1505-1512
利用原位还原法成功制备了尺寸均一、超薄完整金壳包覆的NaYF4:Yb,Er@SiO2@Au(NSA)纳米结构,其XRD、TEM、EDX、HRTEM-HAADF、Mapping及吸收光谱表征结果表明,SiO2壳及纳米金壳的平均厚度分别约为5 nm和2 nm。在980 nm连续激光激发下,系统研究了核壳结构的上转换荧光强度与氯金酸浓度的依赖关系。稳态光谱结果显示,NSA与仅SiO2包覆样品(NS)相比Er3+的红绿荧光强度均增强了~2.8倍。通过分析上转换荧光动力学过程及利用FDTD方法模拟,讨论了表面等离激元增强上转换荧光的机制。  相似文献   
107.
报道了基于888 nm半导体抽运Nd∶YVO4晶体连续被动锁模的皮秒振荡器。通过热激发抽运方式改善激光器的热性能,提高锁模振荡器输出的平均功率与单脉冲能量。利用半导体可饱和吸收体(SESAM)实现激光器锁模运转的启动与维持。在抽运功率为60 W时,获得最大输出功率为15 W,重复频率为53 MHz的皮秒脉冲输出,光-光转换效率为24%。在输出功率为15 W时脉冲宽度为45 ps。  相似文献   
108.
以热流计校准装置为研究对象,建立了热板温度仿真模型。根据模糊控制原理和BP神经网络原理,分别设计了模糊PID控制器和BP神经网络PID控制器,并在Matlab的Simulink下进行了不同控制方法的仿真对比实验。仿真结果表明:模糊PID有更快的响应速度、更短的稳定时间,BP神经网络PID有更小的超调量。  相似文献   
109.
为获取高压下材料的纯热力学压力-比容参考线和完全物态方程,减去应力-应变曲线中的其它信息,对准等熵压缩实验中由加载应变率引起的黏性耗散和热传导引起的热耗散做了分析讨论。基于反积分计算和流体动力学积分计算相结合的方法,根据激光加载(约108 s-1)和磁驱动准等熵压缩(约105 s-1)的实验数据,对材料声速、应力-应变曲线、温度和熵增等物理量进行计算,分析了不同应变率与该物理量的关系;还对热传导和SCG本构模型进行了计算,分析了热传导引起的温度变化对材料屈服强度、剪切模量和拉格朗日声速的影响。结果表明:激光加载实验中,应变率引起的温升差异约为180K,熵增差异约为250J/(kg·K),热传导导致温度下降40K;磁驱动准等熵压缩应变率较低,引起的熵增变化小于8J/(kg·K)。  相似文献   
110.
铁基磁流化床选择性催化还原烟气脱硝   总被引:2,自引:1,他引:2  
选择性催化还原(SCR)脱硝是烟气中氮氧化物(NOx)脱除的最有效方法之一,现有SCR系统采用填充床反应器工艺,且催化剂价格较贵.本文以Fe2O3铁基催化剂为床料,以氨为脱硝剂,采用磁流化床进行选择性催化还原脱除氮氧化物实验研究,并对反应前后的床料进行EDAX元素分析和XRD分析.实验结果表明:γ-Fe2O3对加氨SCR脱硝有较强的活性,但随着温度的升高,由于γ-Fe2O3对氨的氧化也表现出较强活性,因而在250°C后,γ-Fe2O3催化剂的脱硝效率会降低;另一方面,磁流化床的良好气固接触与传质特性同时改善了γ-Fe2O3催化剂的上述两个催化活性作用,使其在250°C达到95%的最佳脱硝效率.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号