银纳米颗粒形成过程中的光致发光性质研究

利用γ辐照技术在SDS（十二烷基硫酸钠）/正己醇/环己烷/水相四组份反相微乳中制备出纳米银颗粒，并且在银纳米颗粒形成过程的不同阶段，观察到不同的光致发光现象.发现荧光主要来源于原子簇而非纳米颗粒，而且纳米颗粒表面的状态对发射光谱有直接影响，表明电子状态或(和)空穴状态受到纳米颗粒表面状态的扰动.由于具有极窄的分布，银纳米颗粒可以自组装成超晶格结构.     

哑铃状富勒烯C70-聚苯乙烯高分子衍生物的合成与表征

通过由萘钠引发得到的聚苯乙烯"活性"双阴离子与C70的反应,合成了哑铃状C70-聚苯乙烯高分子衍生物.产物经UV-Vis,FTIR,GPC,1HNMR,13CNMR,SEM,XRD,TGA和DSC等方法进行表征.GPC测得C70-PS衍生物与其母体PS具有相近的分子量.TGA分析表明,得到C70的含量接近PS链两端各键合一个C70分子,形成线型的哑铃状结构.     

恶霉灵为活性组分的聚合杀菌剂的合成

由3－羟基－5－甲基异恶唑（恶霉灵）与甲苯1，4－二异氰酸酯合成了3－（ 3′－异氰酸酯基－4′－甲基苯胺基羰基）氧基－5－甲基异恶唑，以苯乙烯－马 来酸酐的交替共聚物为化学载体，经乙二胺搭桥合成了以恶霉灵为活性组分的聚合 杀菌剂。用IR光谱，^1H NMR、质谱和元素分析等表征了化学结构，讨论了影响反 应的因素。     

采用红外漫反射光谱研究纳米Si3N4的表面结构

采用付利叶红外漫反射光谱对激光法制取的具有不同化学组成的纳米Ｓｉ３Ｎ４粉（１５４－３０ｎｍ）的表面结构，室表面氧化及热稳定性进行了研究，结果表明新鲜的富氮粉体表面主要为硅胺基（Ｓｉ３－ｘＮＨｘ，ｘ＝１－３）结构，粉体暴露空气后硅胺基会与空气中的水分子反应形成硅醇基（ＳｉＯＨ）结构，具有不同组成的粉体随粉中氮含量的增大粒子表面硅胺基量也增加；富硅粉体表面硅胺基较少，其氧化主要为表面硅原子与空气中氧原     

2-甲基-4-甲氧基苯基苯胺的合成

邻硝基甲苯在甲醇、乙酸和硫酸混合溶液中, 在Pt/C的催化下发生氢化和Bamberger重排生成2-甲基-4-甲氧基苯胺. 后者在Pd/C的存在下以苯酚为反应介质与环已酮缩合生成2-甲基-4-甲氧基苯基苯胺, 反应总产率63.0%. 文中给出了产物与中间产物的核磁共振氢谱和质谱, 同时讨论了影响反应的因素.     

电化学活化碳纤维微电极和脑神经递质及抗坏血酸在体测定

本文采用一种简单电化学方法,即恒电流法处理自制碳纤维电极,在脑神经递质测定中显示了很高的灵敏度和分辨能力.活化后的电极对多巴胺的检测限达5×10^-8mol.dm^-3,对多巴胺和抗坏血酸的伏安峰分离达170mV.作者使用该电极,采用半微分伏安法测定了活体大鼠脑内抗坏血酸,3,4-二羟苯乙酸和5-羟吲哚乙酸的浓度分别为1.7×10^-4,2.1×10^-5和 3.3×10^-6mol·dm^-3.本文对电极的制作,活化条件,伏安峰判别,在体药物实验和电极活化机理等进行了研究和探讨.     

Brnsted酸性离子液体催化异丁醛和叔丁醇缩合反应

考察了Brnsted酸性离子液体同时作为溶剂和催化剂催化异丁醛和叔丁醇缩合制备2,5-二甲基-2,4-己二烯的反应性能.结果表明,Brnsted酸性离子液体具有良好的催化性能,反应后反应产物与离子液体自动分层易分离,离子液体经过真空干燥处理后可以作为溶剂和催化剂循环使用.调变离子液体中的阳离子或阴离子的结构对催化性能有较大的影响.     

安培环路定理的正确应用

安培环路定理是描述稳恒磁场性质的重要定理之一, 它所描述的磁场分布与电流的关系适用于所有稳 恒磁场. 但是, 只有对那些具有高度对称性分布的电流和磁场, 应用安培环路定理分析磁场分布的数学过程才较为 简便     

面向虚拟试验的可信度评估工具设计与实现

虚拟试验技术在航天领域得到了越来越广泛的应用,尤其是在多专业耦合仿真方面,但是面向虚拟试验的可信度评估工具方面的建设与研究未得到充分关注。针对虚拟试验分析阶段的工程需求,设计并实现了虚拟试验可信度评估工具,涵盖了评估对象管理、评估专家管理、指标体系构建、可信度评估等功能模块。此外,该工具还提供了虚拟试验与实物试验的数据库接口,有效了支撑虚实比对工作,进一步规范了虚拟试验的分析流程与分析内容,有效提升了工作效率。     

钾掺杂g-C3N4薄膜光阳极的制备及光电催化氧化降解水中双氯芬酸钠性能

兼具高光学质量和电化学性能的薄膜光电极难以制备, 限制了光电催化氧化技术在水处理中的的应用. 本文采用原位煅烧法制备了负载在氧化铟锡(ITO)玻璃上的石墨相氮化碳(g-C₃N₄)薄膜电极, 并通过掺杂K⁺提高其光电催化氧化性能; 对电极进行了表征, 研究了其光电催化氧化降解水中双氯芬酸钠(DCF)的效率及降解路径. 结果表明, 原位煅烧法能制备出高质量的K⁺/g-C₃N₄薄膜光电极, K⁺的掺杂并未明显改变电极上g-C₃N₄的晶型、 价态和多孔形貌, 但可以提高ITO玻璃上g-C₃N₄的负载量, 增强电极对可见光的响应; K⁺的最佳掺杂浓度为0.002 mol/L, K⁺/g-C₃N₄薄膜电极光电催化氧化降解DCF的速率常数是纯g-C₃N₄薄膜电极的1.86倍; 当初始pH值为4, 电压为1 V, 光源强度为0.96 W/cm², 反应2 h后水中DCF降解率达到70%. K⁺/g-C₃N₄薄膜电极光电催化氧化过程中, 光催化氧化和电化学氧化之间存在协同作用, 两者相互增强, 并提高了反应过程中光生 空穴(h⁺)和羟基自由基(·OH)浓度, 在这两种活性物质作用下, 水中DCF分别被h⁺氧化生成咔唑衍生物、 与·OH发生加成反应生成多羟基芳香化合物, 最后开环生成小分子物质.