Au@SiO2核-壳层单晶八面体纳米棒光吸收性质的研究

包覆材料改变了单一材料的力学、光学性质.利用离散偶极近似(Discrete Dipole Approximation,简称DDA)的方法,系统研究二氧化硅壳层、尺寸及形貌等因素对Au@SiO2核-壳层单晶八面体纳米棒光学吸收谱峰值、峰位及其近场分布的影响.研究表明SiO2壳层包覆的Au纳米棒的光学吸收谱同样表现为横向和...     

环境与健康新杀手--电子垃圾

介绍了电子垃圾的概念、现状,对环境与健康的危害,电子垃圾的未来和对策。     

谐振式微光学陀螺不同调制方式下背向反射噪声分析

建立了基于反射式光波导环形谐振腔的谐振式微光学陀螺背向反射噪声分析模型,仿真分析了背向反射噪声强度项和干涉项在系统互易和非互易时的影响。比较了不同调制方式下,谐振式微光学陀螺系统中背向反射噪声的抑制情况,研究表明,分频调制下载波抑制的方式可将背向反射噪声抑制到极限灵敏度以下,同频调制下背向反射噪声受限于光开关/脉冲调制器的信道串扰。分别搭建了分频调制和同频调制系统,实验测试结果表明分频调制下陀螺输出稳定,同频调制下由于未对背向反射噪声强度项进行抑制,引入了10°/s量级的噪声,验证了理论仿真结果。     

Schiff碱型和仲胺型壳聚糖冠醚对金属离子的络合吸附性能

壳聚糖（ＣＴＳ）可有效地去除废水中的有毒金属离子［１］,但其分子中的氨基可接受质子成盐,造成在酸性介质中溶解流失,使应用受到限制．近年来国内外学者对壳聚糖的改性进行了广泛的研究,制备了许多理化特性和用途不同的壳聚糖衍生物［２～８］,扩大了其应用范围,...     

聚酰亚胺研究新进展

聚酰亚胺（PI）是一类重要的高性能聚合物,广泛应用在航空航天、微电子、汽车、石油等高科技领域。由于其结构上的可设计性,世界上越来越多的研究者投入到这类高技术材料的研究开发中。本文分别从可溶性PI的分子设计与合成、功能性PI的合成与用途、PI绿色合成方法、PI纳米复合材料的制备4个方面综述了近年来PI的研究热点和新进展,为了解聚酰亚胺的研究提供了有价值的信息。     

一种具有长寿命三线态的锌卟啉-苝酰亚胺超分子的光物理过程

通过吡啶基与金属锌卟啉的配位作用, 合成了一种新型卟啉-苝酰亚胺超分子配合(TPPZn-BPHPDI), 通过核磁共振氢谱确认了超分子体系的形成. 采用荧光滴定方法测得锌卟啉与苝酰亚胺配位作用的平衡常数为5.32×10⁴ L/mol. 纳秒瞬态荧光光谱和瞬态吸收光谱显示, 超分子体系内存在着从卟啉三线态向苝酰亚胺三线态的能量传递过程, 产生了寿命长达101 μs的苝酰亚胺三线态分子.     

氩离子激光固化环氧树脂制作三维微结构

利用激光束进行三维成像是通过逐层光引发聚合形成宏观尺度的三维实体 .最近出现的激光全息光刻技术是利用激光束的干涉产生三维全息图案 ,让感光树脂在全息图案中曝光 ,从而一次形成三维周期有序微结构 .通过调节激光干涉及波长可控制三维结构的形状及尺寸 .利用该技术获得亚微米尺度上周期性重复的三维微结构 ,可用于制作三维光子晶体 [1,2 ]等具有独特性能的聚合物材料 .本文用铁芳烃化合物与特种环氧树脂配制成阳离子型可见光固化树脂 ,在氩离子激光器产生的多束可见连续激光相干形成的空间干涉光场中曝光 ,成功地制备出亚微米量级的三…     

我国最早的化学专科学校——瑞平化学学堂

通过对孙诒让在温州瑞安创办的瑞平化学学堂的缘起以及办学宗旨的考察,揭示了以孙诒让为代表的一批爱国知识分子,把弘扬我国传统文化、倡导学校教育事业为一生职志,诠释了当时的“中学为体,西学为用”的原则。     

Closed-form breakdown voltage/specific on-resistance model using charge superposition technique for vertical power double-diffused metal–oxide–semiconductor device with high-κ insulator

An improved vertical power double-diffused metal–oxide–semiconductor(DMOS) device with a p-region(P1) and high-κ insulator vertical double-diffusion metal–oxide–semiconductor(HKP-VDMOS) is proposed to achieve a better performance on breakdown voltage(BV)/specific on-resistance(Ron,sp) than conventional VDMOS with a high-κ insulator(CHK-VDMOS).The main mechanism is that with the introduction of the P-region,an extra electric field peak is generated in the drift region of HKP-VDMOS to enhance the breakdown voltage.Due to the assisted depletion effect of this p-region,the specific on-resistance of the device could be reduced because of the high doping density of the N-type drift region.Meanwhile,based on the superposition of the depleted charges,a closed-form model for electric field/breakdown voltage is generally derived,which is in good agreement with the simulation result within 10% of error.An HKP-VDMOS device with a breakdown voltage of 600 V,a reduced specific on-resistance of 11.5 m?·cm~2 and a figure of merit(FOM)(BV~2/Ron,sp)of 31.2 MW·cm~(-2) shows a substantial improvement compared with the CHK-VDMOS device.     

漫反射立方腔单次反射平均光程的理论和实验研究

根据Beer-Lambert定律可知,增加气体池的有效光程是提高气体监测灵敏度最直接而有效的途径.通过实验研究和分析,漫反射立方腔作为气体池能显著地增加有效光程,因此研究其内部的光线传播规律具有重要意义.基于对漫反射立方腔内光线传播规律的理论分析,得到了单次反射平均光程的理论值,建立了漫反射立方腔内光线传播的理论近似模型,并通过有限元法仿真获得了单次反射平均光程的模拟值.利用可调谐二极管激光吸收光谱技术得到了立方腔的有效光程,间接求得了单次反射平均光程的实验值.对理论值、模拟值和实验值进行比较分析,验证了理论近似模型和有限元法仿真的准确性和稳定性.