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41.
42.
硅纳米线是新型一维半导体纳米材料的典型代表。利用阳极氧化铝薄膜为模版复制出具有有序纳米结构的金膜,在金的催化辅助下对单晶硅进行湿法刻蚀,得到尺寸、形状、分布可控的硅纳米线阵列,并对其光学特性进行了研究。研究结果表明,金代替银作为催化剂,可以有效地抑制二次刻蚀,金的化学性质相对于银更加稳定,克服了银膜在较高的温度或较长刻蚀时间下产生的结构性破坏,得到形貌规整、尺寸可控的硅纳米线阵列。对该阵列在400 nm~1 200 nm波段的反射率、透过率进行了测试,并对比分析了金模板催化与传统方法机理的异同。测试结果表明,相较于传统金属辅助化学刻蚀法,文中提出的金模板催化法制备的硅纳米线阵列尺寸及分布更加均匀可控,在宽光谱范围内的抗反射性得到了显著提高。 相似文献
43.
采用水提醇沉法从益生菌发酵前后的胡萝卜汁中提取水溶性多糖(分别记为WSP-n和WSP-p),并基于环磷酰胺诱导的免疫抑制小鼠模型,评价它们的免疫调节功能差异。结果显示,WSP-n与WSP-p均能提高胸腺指数、减缓脾脏肿大、抑制T淋巴细胞亚群分化异常和提高NK细胞毒性作用,同时能提高脾脏中细胞因子水平和血清中免疫球蛋白含量,并且WSP-p的作用强于WSP-n。表明胡萝卜多糖能有效改善机体的免疫机能,且益生菌发酵可增强胡萝卜多糖的免疫调节功能。 相似文献
44.
采用热水浴(60℃)、沸水浴和酸法从秋葵[Abelmoschusesculentus(L.) Moench]果皮中依次提取、纯化各多糖组分,所得组分分别记为水溶性多糖-1(OPWE-60)、水溶性多糖-2(OPWE-100)、酸溶性多糖(OPAE-60),并对比了秋葵果皮多糖基本结构特征,流变性能及抗氧化能力差异。结果显示,秋葵果皮中主要含有OPWE-60(12.0%)、OPWE-100(8.0%)以及少量OPAE-60(0.8%),三者均富含Gal和GalA,其他组成单糖还有Rha、Ara、Glc和GlcA,表明上述3种秋葵果皮多糖均为果胶类多糖。在相同浓度下,OPWE-60比OPWE-100、OPAE-60拥有更高的表观黏度。相对于另外两个组分,OPWE-60拥有更好地清除DPPH自由基和羟基自由基能力。因此,秋葵果皮的主要组分在60℃提取温度下便能提取获得,同时该组分具有较好抗氧化功能和高黏性特征,在食品工业中具有潜在应用价值。 相似文献
45.
46.
本文使用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)石墨烯制作了高灵敏度、低噪声的液栅型石墨烯场效应管(Solution-Gated Graphene Field Effect Transistors,SGFETs),并测试了该器件对磷酸盐缓冲液(Phosphate Buffered Saline,PBS)浓度和pH的响应特性. 随缓冲液浓度的增大,SGFETs转移特性曲线的最小电导点向左偏移,偏移量与溶液浓度的自然对数呈线性关系. 随pH的增大,其最小电导点向右偏移,偏移量与溶液pH呈线性关系. 该响应特性对石墨烯生化传感器排除外界影响因素有一定的指导作用. 相似文献
47.
48.
2级VMI集成的Shapley指数收益分配方案 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在回顾了VMI集成相关文献基础之上,将解决多人合作博弈问题的Shapley值方法用于解决两级VMI联盟的收益分配问题,从而提出了一种各方均可接受且稳定的收益分配方案.在此收益分配方案下,供应链各方均会从VMI集成中得到利润水平上的提升,而且兼顾到了各方公平. 相似文献
49.
研究了声纵波全向入射到两类一维流固声子晶体(第Ⅰ类满足固体横波传播速度cst大于流体纵波传播速度c1以及第Ⅱ类cst<cl)的透射特性.推导了其传递矩阵,并应用有限元方法进行验证,二者显示结果一致性.研究表明两类声子晶体呈现的不同声透射特征:第Ⅰ类声子晶体中,高频声波在斜入射角大于第二全反射临界角条件下发生全反射现象,而低频声波却呈现全反射贯穿效应;第Ⅱ类声子晶体中,在整个频段范围内均会出现周期性的透射导带.两类声子晶体均出现了低频声裂隙现象,第Ⅱ类声子晶体低频声裂隙角范围明显大于第Ⅰ类. 相似文献
50.
Point defect states in two-dimensional phononic crystal of a hollow mercury cylinder in a water host are studied.An improved plane expansion method combined with the supercell technique is used to calculate the band gaps and the pressure distribution at the defect position.The sonic pressure of defect modes shows that the waves are localized at or near the defect.As the filing fraction increases,more defect modes appear in the band gaps. 相似文献