磁性Fe3O4/ZnO核壳材料的制备及降解四环素类抗生素

利用共沉淀及退火处理两步法,合成了具有核壳结构的磁性Fe3O4/ZnO纳米材料。采用X射线衍射仪、红外光谱仪、透射电子显微镜及振动样品磁强计(VSM)等技术对材料的组分、形貌及磁力性质进行表征,并以氙灯为光源,以四环素(TC)、强力霉素(DC)和盐酸土霉素(OTC)3种四环素类抗生素为降解目标,模拟测试样品在日光下的光催化活性,并通过改变Zn2+浓度,调节包覆结构从而得到最佳光催化效果。研究表明,ZnO包覆在Fe3O4表面并随Zn2+浓度增大逐渐形成尺寸在100 nm的锥形结构,当Zn2+浓度为0.5 mol/L时,样品对TC、DC和OTC的降解率最大,分别为85%、78%和64%。基于以上的研究显示,合成的磁性Fe3O4/ZnO核壳材料可应用去除水中抗生素,是一种具有高催化活性且能回收利用的新型复合光催化剂。     

微波合成铜酞菁及荧光猝灭测定痕量亚硝酸根离子的研究

自1986年Gedye[1]和G iguere[2]等报道利用微波辐射促进有机反应的研究之后,微波技术在合成化学中的应用已成为人们关注的热点,采用微波固相法合成酞菁化合物已有报道[3,4]。本研究小组以邻苯二腈和氯化铜为原料,采用微波固相法合成铜酞菁,其特点为反应速度快,收率高,污染少,且节约能源[5]。将合成的铜酞菁进行磺化,发现其磺化液有很强的荧光特性[6]。进一步研究得出,NO2-能使磺酸基铜酞菁溶液发生荧光猝灭,荧光强度和NO2-浓度呈现出良好的线性关系,线性范围为4×10-7mol·L-1~1×10-5mol·L-1,检测下限3.01×10-7mol·L-1,且常见共存离…     

[Ni(C13H10O2N3)2]2·CH3OH配合物的合成、晶体结构及其电化学性质

合成了含吡啶甲醛缩水杨酰腙(HL)的镍配合物[(NiL2)2·CH3OH(1,L=C13H10O2N3],其结构经X-射线单晶衍射,IR和元素分析表征.1属于单斜晶系,P2(1)/n空间群,晶胞参数a=12.458(2)A,b=17.920(3)A,c=13.885(8)A,β=119.923(10)°,V=2 686.70(7)A3,Z=2,Mr=710.73,Dc=1.368 Mg·m3,μ=0.767 mm1,F(000)=1 140,R=0.060 3,wR=0.161 1.中心Ni(Ⅱ)与两个HL中的两个亚氨基氮、两个吡啶氮及两个羰基氧配位,形成了六配位的八面体构型.其中甲醛缩水杨酰腙三啮配体以负一价的阴离子形式存在.对1的电化学性质进行了讨论.     

两种不同极性有机小分子在方解石(104)面吸附的密度泛函研究

利用密度泛函理论研究苯甲酸和甲苯两种不同极性的有机小分子在方解石（104）面的吸附特征，分析极性对有机小分子吸附的影响.结果表明：苯甲酸趋向于以分子态、单齿吸附模式倾斜吸附于方解石（104）面，吸附能为-1.394 eV；甲苯平行吸附于方解石（104）面，吸附能为-0.362 eV.有机小分子吸附于方解石（104）面过程中体系的几何结构和电子结构发生明显变化.苯甲酸分子几何结构变化幅度远大于甲苯.苯甲酸与方解石（104）面之间形成Ca-O离子键和H-O共价键，甲苯与方解石（104）面之间仅存在微弱的氢键相互作用.苯甲酸和甲苯等两种不同极性有机小分子在方解石（104）面的吸附特征和吸附机理存在较大的差异，苯甲酸分子的吸附强度远高于甲苯.本文揭示了不同极性有机小分子在方解石（104）面的吸附机理，为提高油藏采收率和矿物浮选等工程问题提供理论依据.     

几种光催化反应体系中羟基自由基表观生成率的实验研究

采用邻二氮啡-Fe(Ⅱ)(橙红色)分光光度法间接测定了Fenton、UV/Fenton、UV/草酸铁/H₂O₂、UV/TiO₂4种体系中在不同条件下·OH的表观生成率,初步探讨了体系中各影响因子的作用机制.结果分析表明:对于Fenton体系、UV/Fenton、UV/草酸铁/H₂O₂而言,其最佳反应条件为pH=4.0、m(H₂O₂)/m(Fe)=1/25、铁离子的质量浓度以25 mg/L左右为宜;TiO₂光催化体系催化产生的·OH尽管受环境pH的影响相对较小,但在同等条件下·OH的表观生成率最低;4种体系中以UV/草酸铁/H₂O₂体系中·OH表观生成率最高,而且以线性的规律递增.     

大功率高压恒流充电源研制

设计制作了一台大功率高压恒流充电源。该电源采用全桥串联谐振恒流充电拓扑结构,实现了0～30 kV范围内输出可调,设计最大平均充电功率5 kW。简要分析了电路的工作过程,给出了电路参数设计方法和设计实例,并进行了电路仿真和初步实验研究。实验中,使用该电源对18 F电容实现了30 kV,0.1 Hz重频充电,充电功率约1.35 kW,目前电源已累计充放电万余次,运行稳定可靠。     

用于诊断纳秒脉冲电流的微分环现场标定技术

分析了用于纳秒脉冲电流测量的微分环标定难点,提出微分环现场标定方法。通过脉冲形成线脉冲充电以解决微分环标定中信噪比较低、可信度较差等问题;分析了脉冲形成线充电时间、充电电压及脉冲形成开关击穿电压等回路参数对标定结果的影响。基于闪光二号加速器,对测量二极管电流的微分环进行了现场标定,前级隔离开关平均击穿电压为25 kV时,微分环标定回路电流达到1.3 kA,微分环灵敏度为9.311010,方差为0.151010。     

“闪光二号”加速器HPIB的产生及应用初步结果

主要给出了“闪光二号”加速器高功率离子束(HPIB)产生及应用研究的初步结果.介绍了强箍缩反射离子束二极管的结构及工作原理，给出了考虑阴阳极产生的等离子体运动对二极管间隙影响的饱和顺位流修正公式.实验得到的离子束峰值能量约500keV，峰值电流约160kA.介绍了利用高功率离子束(质子束)轰击¹⁹F靶产生6—7MeV准单能脉冲γ射线的初步实验结果，给出了利用高功率脉冲离子束模拟1keV黑体辐射x射线对材料的热-力学效应初步研究结果. 关键词： 高功率离子束 箍缩二极管 准单能脉冲γ射线 热-力学效应     

快脉冲高电压大电流测量探头标定方法

基于脉冲形成原理提出了一种快脉冲高电压大电流测量探头的在线标定方法。利用闪光二号加速器输出线和二极管作为脉冲形成线,结合研制的低电感开关和负载,产生一个前沿小于3 ns、脉宽20 ns的准方波,对二极管电压测量探头微分型电容分压器和电流测量探头微分环进行了在线标定,得到测量探头在实际使用环境中的时间响应小于4 ns。该方法消除了非在线标定环境和实际环境无法统一对标定结果的影响,可推广应用于传输线型脉冲功率装置的探头标定。     

Fabrication processing effects on microstructure and morphology of erbium film

The effects of substrate temperature on the microstructure and the morphology of erbium film are systematically investigated by using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). All the erbium films are grown by the electron-beam vapor deposition (EBVD). A novel preparation method for observing the cross-section morphology of the erbium film is developed. The films deposited at 200 ℃ have (002) preferred orientation, and the films deposited at 450 ℃ have mixed (100) and (101) texture, which are due to the different growth mechanisms of surface energy minimization and recrystallization, respectively. The peak positions and the full widths at half maximum (FWHMs) of erbium diffraction lines (100), (002), and (101) shift towards higher angles and decrease with the increasing substrate temperature in a largely uniform manner, respectively. Also, the lattice constants decrease with the increasing temperature. The transition in the film stresses can be used to interpret the changes in peak positions, FWHMs, and lattice constants. The stress is compressive for the as-growth films, and is counteracted by the tensile stress formed during the process of temperature cooling down to room temperature. The tensile stress mainly originates from the difference in the coefficients of thermal expansion of substrate--film couple.