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2,8,9一三氧杂一5一氮杂司一硅杂双环[3.3.3」十一烷(Silatrane)衍生物是一类具有广泛生物活性的五配位有机硅化合物,自6O年代发现以来一直引起人们浓厚的兴趣,随着其1位硅原子上所连基团的变化,该类化合物可表现出通然不同的生物活性[’j.为寻找新的生物活性物质,本文在Silatranel位引入一类含硅甲硫醚基团,合成了11种新的Silatrane衍生物,并初步测定了其在农药、医药方面的生物活性;同时,在其质谱中发现存在罕见的重排裂解过程.合成方法如下:回实验部分1.l仪器与试剂BrukerAC-PZOO型NMR仪,CDCI。为溶剂,TM… 相似文献
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Statistical second-order two-scale analysis and computation for heat conduction problem with radiation boundary condition in porous materials 下载免费PDF全文
This paper discusses a statistical second-order two-scale(SSOTS) analysis and computation for a heat conduction problem with a radiation boundary condition in random porous materials.Firstly,the microscopic configuration for the structure with random distribution is briefly characterized.Secondly,the SSOTS formulae for computing the heat transfer problem are derived successively by means of the construction way for each cell.Then,the statistical prediction algorithm based on the proposed two-scale model is described in detail.Finally,some numerical experiments are proposed,which show that the SSOTS method developed in this paper is effective for predicting the heat transfer performance of porous materials and demonstrating its significant applications in actual engineering computation. 相似文献
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研制了一套新型压力-温度-体积(PVT)性质测试系统.该系统由自行开发的测控软件实时测控,温度测量精度可达±10mK,压力测量系统最大不确定度为±1.2KPa.利用新的测试系统对294~351K温度区间的Hydrofluorocarbons(HFC)-245fa饱和蒸气压进行了研究.实验结果表明,HFC-245fa的测量值与公认文献值的平均偏差小于0.03%,最大偏差小于0.484%,结果与文献值吻合较好. 相似文献
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HPM对微波器件的输出脉冲影响主要有幅度变化、脉宽变化、相位变化以及暂时性压制,以此为基础建立了4种效应参量的模型,分别是衰减因子、脉宽、相移和压制时间。在建立效应参量模型时,参照分离变量法,提出使用加权函数的方法把多维函数分解成多个1维函数相乘,基本解决了利用有限实验数据建立数学模型的问题。给出了利用效应数据建立数学模型所常用的几种数据处理方法,如曲线拟合、查表/插值和概率统计,并给出了该方法在TR放电管效应评估中的使用实例。 相似文献
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用逐差法求解自然数方幂之和 总被引:8,自引:2,他引:6
杨志强 《数学的实践与认识》2003,33(11):136-137
本文给出的计算自然数方幂的部分和Sn( m) =∑ni=1im , m =1,2 ,3,…公式 ,不需要先求出 Sn( l) ( l相似文献
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在HPM效应实验中经常可以获得区间删失数据,为了能够合理利用这类数据对HPM效应进行有效分析,需要对它进行处理。根据电子器件的微波失效机理和实验现象,基于插值方法的思想,在充分利用删失数据信息情况下建立了不同阶插值精度的数据处理方法。理论分析可知,高阶精度处理方法要优于低阶精度方法。此外,根据构建的区间删失数据,通过统计分析可知,处理后数据与原始数据在统计意义上没有显著差异,可用于HPM效应研究,为数据的可靠分析提供了有利支撑。 相似文献
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采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后,随着注入HPM幅值的增大,会使得器件的正向电压小于开启电压,从而使得输出电流的波形发生形变。在器件内部,导电沟道靠近源极一端的电场强度最大,热量产生集中在这一区域。在脉冲正半周期时,温度峰值位于沟道源极一端,负半周期时,器件内部几乎没有电流,器件内的温度峰值在热扩散效应的影响下趋向于导电沟道中部。 相似文献
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研究了Lévy稳定噪声激励下的双稳Duffing-van der Pol振子,利用Monte Carlo方法,得到了振幅的稳态概率密度函数.分析了Lévy稳定噪声的强度和稳定指数对概率密度函数的影响,通过稳态概率密度的性质变化,讨论了噪声振子的随机分岔现象,发现了不仅系统参数和噪声强度可以视为分岔参数,Lévy噪声的稳定指数 α 的改变也能诱导系统出现随机分岔现象.
关键词:
Lévy稳定噪声
Duffing-van der Pol振子
稳态概率密度函数
随机分岔 相似文献
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