无机胺合成ZSM-5沸石的结构表征和催化作用

分别以氨水和正丙胺为模板剂 ,在 177℃温度下静止晶化 5 0小时 ,合成出ZSM - 5沸石分子筛 .经XRD和IR测试 ,两者具有基本相同的结构 ;TG -DSC分析证明 ,两者都具有优良的热稳定性 .由于有机胺易氧化分解 ,故使得后者的腔内包含物氧化放热峰前移约 4 0℃ .合成的ZSM - 5沸石经用不同离子交换后 ,用于催化己烷芳构化反应     

Theoretical Analysis of Interference Nanolithography of Surface Plasmon Polaritons without a Match Layer

Interference nanolithography techniques based on long-range surface plasmon polaritons （LR-SPP） are hardly ever achieved by experiments at present. One key reason is that suitable liquid materials are difflcult to find as the match layer connects the metal film and the resist. We redesign a Kretschmann-Raether structure for interference lithography. A polymer layer is coated under the metal film, and an air layer is placed between the polymer layer and the resist layer. This design not only avoids the above-mentioned question of the match layer, but also can form a soft contact between the polymer layer and the resist layer and can protect the exposure pattern. Simulation results confirm that a device with an appropriately thick polymer layer can form high intensity and contrast interference fringes with a critical dimension of about λ/7 in the resist. In addition, the fabrication of the device is very easy.     

Co(1,10-phen·)32+-KIO4-鲁米诺化学发光体系与应用

本文研究了Co(1,10-phen·)32+配合物对KIO4氧化鲁米诺所产生的强化学发光反应.以1,10-phen·为配位体时,Co(Ⅱ)的检出限为8×10-8g/L,工作曲线响应浓度范围在1×10-6~1×10-4g/L,测定1×10-4g/LCo(Ⅱ)离子的相对标准偏差为2.5%.配合物化学发光法检测啤酒、维生素B12针剂中微量Co(Ⅱ)可获得满意结果.     

一维随机激光器中准态模的饱和特性研究

针对随机激光器的半经典理论是应用电磁场时域有限差分法数值求解半经典随机激光模型方程组，基于半经典理论数值研究了一维随机激光器中准态模式的饱和特性，获得了不同准态模的空间分布和频谱分布图。计算结果分析显示：准态模式的某些特征参数如局域程度将会影响系统的饱和特性。利用这一结果，可以通过单频抽运方法选择具有低阈值、高饱和强度的准态模式作为整个激光系统的稳态输出模式。     

三维非线性有限元与弹性边界元耦合数值方法

本文系统地讨论了以下三个问题:(1) 有限元与边界元耦合中的几个数值问题,其中包括:边界积分方程的凝聚、等效刚度矩阵的对称化及面力不连续的处理;(2) 弹塑性有限元与弹性边界元的耦合;(3) 弹粘塑性有限元与弹性边界元的耦合及数值计算稳定性条件。     

镨、钕、钇、甘氨酸三元配合物的晶体结构

在水溶液中培养了镨、钕、钇与甘氨酸形成的三元配合物。元素分析和热分析表明，该配合物可用Ｐｒ_ｘＮｄ_ｙＹ_ｚ（Ｇｌｙ）_６（Ｈ_２Ｏ）_４（ＣｌＯ_４）_６·５Ｈ_２Ｏ（Ｘ＋ｙ＋ｚ＝２）表示其分子式。Ｘ射线衍射方法测定了其单晶结构，结果表明，该晶体属三斜晶系，空间群Ｐ１，化学式Ｐｒ_（０．７７５）Ｎｄ_（０．７００）Ｙ_（０．５２５）Ｃｌ_６Ｏ_（４５）Ｎ_６Ｃ_（１２）Ｈ_（４８），Ｍ_ｒ＝１４６６．０９，晶胞参数如下：ａ＝１１．５６４（１），ｂ＝１４．１１８（３），ｃ＝１５．６６８（２）Ａ，α＝９６．９９（１），β＝１０２．７２（１），γ＝１０５．３３（１）°，晶胞体积Ｖ＝２３６２（１）Ａ~３，Ｚ＝２，Ｄ_ｃ＝２．０６０ｇ／ｃｍ~３，结构偏离因子Ｒ＝０．０３２，Ｒ_ｗ＝０．０４８。晶胞中存在两个络合单元，每个单元可用Ｍ_１Ｍ２（Ｇｌｙ）_６（ＣｌＯ_４）_６（Ｈ_２Ｏ）_４．５Ｈ_２Ｏ表示，Ｍ_１＝０．４Ｐｒ＋０．３７５Ｎｄ＋０．２２５Ｙ，Ｍ２＝０．３７５Ｐｒ＋０．３２５Ｎｄ＋０．３０Ｙ。三种稀土元素按一定比例统计性地占有两个格位。羧基以桥式联结金属离子，形成一维链式聚合物结构。在络合单元中，一个稀土离子是９配位，其配位多面体为畸变?     

The modulation effect of substrate doping on multi-node charge collection and single-event transient propagation in 90-nm bulk complementary metal-oxide semiconductor technology

Variation of substrate background doping will affect the charge collection of active and passive MOSFETs in complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technologies, which are significant for charge sharing, thus affecting the propagated single event transient pulsewidths in circuits. The trends of charge collected by the drain of a positive channel metal-oxide semiconductor (PMOS) and an N metal-oxide semiconductor (NMOS) are opposite as the substrate doping increases. The PMOS source will inject carriers after strike and the amount of charge injected will increase as the substrate doping increases, whereas the source of the NMOS will mainly collect carriers and the source of the NMOS can also inject electrons when the substrate doping is light enough. Additionally, it indicates that substrate doping mainly affects the bipolar amplification component of a single-event transient current, and has little effect on the drift and diffusion. The change in substrate doping has a much greater effect on PMOS than on NMOS.     

黑腔端置靶辐照不均匀性分析

提供一种解析方法来研究激光加热黑腔所产生的平面辐射场的不均匀度与平面靶大小和位置的关系,解析结果与数值模拟结果进行了比较,两者的曲线形状基本一致,辐照不均匀度最小值的位置也是一致的。并用此方法给出了能产生有最小辐照不均匀度的平面辐射场的腔靶尺寸的范围。     

相对论电子束真实发射度在线磁扫描测量系统

介绍了清华大学研制的相对论电子束（４～１０ＭｅＶ）真实发射度的测量系统，利用该系统测量了４ＭｅＶ驻波电子直线加速器的真实发射度，并且研究了该系统的测量误差和测量范围，实践表明。     

氢离子辐照纯钒中形成的位错环

钒合金作为聚变堆候选材料, 其辐照损伤行为一直是关注的重点. 研究辐照时形成的位错环的性质, 其意义在于揭示纯钒中辐照空洞的长大机理. 这种机理表现为不同类型位错环对点缺陷吸收的偏压不同, 从而影响金属的辐照肿胀. 本文利用加速器对纯钒薄膜样品进行氢离子辐照, 然后, 利用透射电镜的inside-outside方法分析氢离子辐照所形成的位错环的类型. 结果表明, 在氢离子辐照纯钒中没有发现柏氏矢量b=<110>的位错环, 只有柏氏矢量b=1/2<111>和b=<110>的位错环, 这两种位错环的惯性面处于{110}-{112}之间. 能确定性质的位错环全部为间隙型位错环, 未发现空位型位错环.