首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   145篇
  免费   32篇
  国内免费   23篇
化学   62篇
力学   6篇
综合类   4篇
数学   21篇
物理学   107篇
  2023年   4篇
  2022年   7篇
  2021年   8篇
  2020年   7篇
  2019年   17篇
  2018年   13篇
  2017年   11篇
  2016年   13篇
  2015年   9篇
  2014年   7篇
  2013年   9篇
  2012年   13篇
  2011年   5篇
  2010年   5篇
  2009年   3篇
  2008年   13篇
  2007年   6篇
  2006年   7篇
  2005年   6篇
  2004年   5篇
  2003年   2篇
  2002年   4篇
  2001年   2篇
  2000年   8篇
  1999年   4篇
  1998年   2篇
  1996年   2篇
  1995年   2篇
  1993年   1篇
  1992年   1篇
  1989年   1篇
  1984年   1篇
  1982年   1篇
  1956年   1篇
排序方式: 共有200条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
从自激振荡的稳定性入手,分别讨论了热声网络的周期时均和时变数学模型.用参数谐振理论讨论了热声自激振荡系统中回热器的参数储能实质.时变数学模型的建立对于深入理解热驱动谐振管回热器的热与声的能量转换实质具有重要的指导意义.  相似文献   
42.
A potential superhard o-BC_4 N with Imm2 space group is identified by ab initio evolutionary methodology using CALYPSO code. The structural, electronic and mechanical properties of o-BC_4N are investigated. The elastic calculations indicate that o-BC_4N is mechanically stable. The phonon dispersions imply that this phase is dynamically stable under ambient conditions. The structure of o-BC_4N is more energetically favorable than o-BC_4N above the pressure of 25.1 GPa. Here o-BC_4N is a semiconductor with an indirect band gap of about 3.95 eV, and the structure is highly incompressible with a bulk modulus of 396.3 GPa and shear modulus of 456.0 GPa. The mechanical failure mode of o-BC_4N is dominated by the shear type. The calculated peak stress of 58.5 GPa in the(100)[001] shear direction sets an upper bound for its ideal strength. The Vickers hardness of o-BC_4N reaches 78.7 GPa, which is greater than that of t-BC_4N and bc-BC_4N proposed recently, confirming that o-BC_4N is a potential superhard material.  相似文献   
43.
李青  赵娟  王琦  于军胜 《发光学报》2012,33(1):45-50
采用蓝色bis (FIrpic)和黄色bis iridium(acetylacetonate) 两种磷光染料,制备了双发光层结构的白色有机电致发光器件,器件结构为ITO/TAPC (30 nm)/host: (t-bt)2Ir(acac) /spacer (x nm)/host: FIrpic (15 nm, 8%)/Bphen (40 nm)/Mg∶Ag (200 nm)。分别选用p型1,1-bis cyclohexane (TAPC)和n型tris borane (3TPYMB)作为主体材料制备了两种类型的器件,通过在两个发光层之间加入一层较薄的间隔层进行器件优化。结果表明,加入间隔层之后,器件性能得到提高,获得了色稳定性较好的白光器件。当主体为TAPC时,使用间隔层后器件取得最大亮度为19 550 cd/m2,最大电流效率为8.3 cd/A;当主体为3TPYMB时,使用间隔层后器件的最大亮度为1 950 cd/m2,最大电流效率为30.7 cd/A。实验结果表明,器件性能的提高,是由于加入了间隔层之后载流子复合区域拓宽,促进了发光层中电子和空穴的平衡。  相似文献   
44.
S Lu 《中国物理 B》2021,30(12):126804-126804
Monolayer MnTe2 stabilized as 1T structure has been theoretically predicted to be a two-dimensional (2D) ferromagnetic metal and can be tuned via strain engineering. There is no naturally van der Waals (vdW) layered MnTe2 bulk, leaving mechanical exfoliation impossible to prepare monolayer MnTe2. Herein, by means of molecular beam epitaxy (MBE), we successfully prepared monolayer hexagonal MnTe2 on Si(111) under Te rich condition. Sharp reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and low-energy electron diffraction (LEED) patterns suggest the monolayer is atomically flat without surface reconstruction. The valence state of Mn4+ and the atom ratio of ([Te]:[Mn]) further confirm the MnTe2 compound. Scanning tunneling spectroscopy (STS) shows the hexagonal MnTe2 monolayer is a semiconductor with a large bandgap of ~2.78 eV. The valence-band maximum (VBM) locates at the Γ point, as illustrated by angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES), below which three hole-type bands with parabolic dispersion can be identified. The successful synthesis of monolayer MnTe2 film provides a new platform to investigate the 2D magnetism.  相似文献   
45.
为满足 HL-2M 装置电子回旋共振加热、低杂波电流驱动、中性束注入等二级加热系统的需要,设 计了多套基于脉冲步进技术的大功率高压电源,为速调管、回旋管及中性束、离子源等提供高压。重点针对一套 用于电子回旋系统的高压电源进行了分析。该高压电源设计了多副边绕组的高压隔离变压器、全固态高压调制器 和电源控制系统,并得出了适合本电源控制的控制算法,易于调整高压的输出幅值以及高压的上升下降时间。最 后给出实验结果,以验证电源的保护能力、电源控制算法的可操作性及实用性。试验证明,此套电源不仅满足对 负载的快速保护的要求,其电源工作的稳定度等其它参数也满足设计要求。   相似文献   
46.
GaAs中的飞秒自由感应衰减   总被引:1,自引:1,他引:1  
用双光束诱导半导体GaAs的激子相干态,记录液氮温度样品的光电导信号随双脉冲之间延时的变化。实验与理论分析结果表明:对于均匀增宽的二能级体系,这种中以直接反映相干态的自由感应衰减。求解均匀增宽二能级体系,这种测量方法可以直接反映相干态的自由感应衰减。求解均匀增宽二能级体系的密度矩阵方程,拟合实验结果得到载流子相干态的退相时间T2=115fs。  相似文献   
47.
中性束离子源弧放电具有气体放电等离子体的非线性特性,工作时还会受到气体压强、外磁场、阴极状态等因素的影响,采用晶闸管相控调压技术的弧电源很难实现对这种大功率电弧的稳定的闭环控制。为此,提出了一种多相多重的大电流DC/DC变换器,具有响应速度快、电流上升时间短、电流纹波小等特点,大幅提高了离子源弧放电闭环控制的稳定性。设计了滤波电感能量回馈电路,弧电源可以根据中性束系统的需要使弧电流快速减小0%~100%(可调),然后根据控制信号迅速恢复正常弧电流输出,形成一个弧电流凹坑。电源还采用超级电容储能技术,使电源体积减小了2/3,电网容量小于10kV·A。离子源放电时不会受到电网波动的影响,弧放电更加稳定。实验数据显示:该电源最大输出为220kW/1500A,电流纹波在1%以内,电流上升时间约100μs,最大超调量小于3%,可以满足5 MW中性束离子源及系统的要求。  相似文献   
48.
李青  汪金菊 《大学数学》2017,33(3):37-45
结合曲波变换和高斯尺度混合模型提出地震信号随机噪声压制方法.该方法首先运用曲波变换对含有随机噪声的地震信号进行分解,然后对各小波子带系数分别建立高斯尺度混合模型估计出原始地震信号所对应的小波系数,最后经曲波逆变换重构获得降噪处理后的地震信号.仿真地震信号和实际地震信号的实验结果均表明本文方法能够有效压制地震信号中的随机噪声干扰,较多地保留了有效信号.  相似文献   
49.
中性束离子源弧放电具有气体放电等离子体的非线性特性,工作时还会受到气体压强、外磁场、阴极状态等因素的影响,采用晶闸管相控调压技术的弧电源很难实现对这种大功率电弧的稳定的闭环控制。为此,提出了一种多相多重的大电流DC/DC变换器,具有响应速度快、电流上升时间短、电流纹波小等特点,大幅提高了离子源弧放电闭环控制的稳定性。设计了滤波电感能量回馈电路,弧电源可以根据中性束系统的需要使弧电流快速减小0%~100%(可调),然后根据控制信号迅速恢复正常弧电流输出,形成一个弧电流凹坑。电源还采用超级电容储能技术,使电源体积减小了2/3,电网容量小于10 kVA。离子源放电时不会受到电网波动的影响,弧放电更加稳定。实验数据显示:该电源最大输出为220 kW/1500 A,电流纹波在1%以内,电流上升时间约100 s,最大超调量小于3%,可以满足5 MW中性束离子源及系统的要求。  相似文献   
50.
相转移催化下肟类的选择性间接电氧化研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
李青  李毅 《合成化学》1995,3(3):279-281
以Ce^4+/Ce^3+为间接电氧化还原体系,在相转移催化剂PhCH2N(C2H5)3Cl存在下,对肟类化合物进行选择性间接电氧化。结果表明,在室温条件下,电解2h,肟类能被选择性地氧化为相应的羰基化合物,收率75-95.6%。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号