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采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,研究了Fe掺杂对VH2的电子结构和解氢性能的影响.通过计算Fe掺杂VH2前后体系的合金形成热、V-H之间的重叠布居数、电子态密度、电子密度,发现Fe掺杂VH2后,随着Fe含量增加,合金体系的晶胞参数和晶胞体积逐渐减少;体系的负合金形成热逐渐减少,且掺杂后体系的负合金形成热都比VH2的负合金形成热小,体系的稳定性降低;电子态密度计算也显示Fe掺杂后费米能级处的电子浓度增加,体系稳定性降低;重叠布居数和电子密度计算表明掺杂后V-H之间的重叠布居数由0.1减小为0.08或0.09,V-H之间的电子密度减少,说明V和H原子之间的相互作用减弱,提高了VH2的解氢性能.计算结果解释了实验现象.
关键词:
Fe掺杂
电子结构
解氢性能
第一性原理计算 相似文献
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针对文科学生特点进行开放性大学物理实验教学有利于培养文科学生的观察能力、科研能力,转变思维方式,提高创新意识,增强社会竞争力.文章就实验内容的设置、实验质量保障体系的建立等方面进行了有益探索. 相似文献
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Performance improvement of charge trap flash memory by using a composition-modulated high-k trapping layer
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A composition-modulated (HfO2)x(Al2O3)1-x charge trapping layer is proposed for charge trap flash memory by controlling the A1 atom content to form a peak and valley shaped band gap. It is found that the memory device using the composition-modulated (HfO2)x(Al2O3)l-x as the charge trapping layer exhibits a larger memory window of 11.5 V, improves data retention even at high temperature, and enhances the program/erase speed. Improvements of the memory characteristics are attributed to the special band-gap structure resulting from the composition-modulated trapping layer. Therefore, the composition-modulated charge trapping layer may be useful in future nonvolatile flash memory device application. 相似文献
59.
The charge storage characteristics of ZrO2 nanocrystallite-based charge trap nonvolatile memory
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ZrO2 nanocrystallite-based charge trap flash memory capacitors incorporating a(ZrO2)0.6(SiO2)0.4 pseudobinary high-k oxide film as the charge trapping layer were prepared and investigated.The precipitation reaction in the charge trapping layer,forming ZrO2 nanocrystallites during rapid thermal annealing,was investigated by transmission electron microscopy and X-ray diffraction.It was observed that a ZrO2 nanocrystallite-based memory capacitor after post-annealing at 850℃ for 60s exhibits a maximum memory window of about 6.8V,good endurance and a low charge loss of ~25% over a period of 10 years(determined by extrapolating the charge loss curve measured experimentally),even at 85℃.Such 850℃-annealed memory capacitors appear to be candidates for future nonvolatile flash memory device applications. 相似文献
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在振动环境中,当带偏心转子的电机旋转角速度与振动环境的角频率相近时,两者可以实现振动同步。针对这一特殊现象,本研究提出一种小参数积分均值法来研究该振动同步问题,设置电驱动偏心转子角速度与振动环境角频率之差的积分均值为变量,通过积分变换将电驱动偏心转子与复合振动环境之间的动力学方程转化为二阶周期系数微分方程,应用周期系数二阶微分方程相关理论推导得出实现振动同步的同步性判据和稳定性判据,并通过数值仿真验证了同步性与稳定性判据的有效性。本研究提出的将电驱动偏心转子角速度与振动环境角频率之差的小参数积分均值法,为研究振动同步理论提供了一种新的方法。 相似文献