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51.
以2-甲基-8-羟基喹啉(HL)为配体合成了2个含有镝离子的配位化合物[Dy2L4(HL)4(H2O)2](ClO4)2·2H2O(1)和[Dy2L6(C2H5OH)]·H2O(2)。虽然在这两个配位化合物中配体都是2-甲基-8-羟基喹啉,但其参与配位的方式不同。这导致2个化合物中镝离子所处的配位环境不同,进而对化合物的磁性产生了影响。  相似文献   
52.
无法预料的索赔是导致保险公司破产的一大因素,这种情况引起的索赔大多不是同分布的.因此论文从这一实际情况出发,在Sparre Andersen风险模型的基础上建立了广义更新风险模型,并对重尾索赔分布F∈S*给出了生存概率的局部等价式和破产概率的尾等价式.文章结果刻画了特殊巨额索赔对公司运营状况的影响,对公司运营策略提供了理论基础.本文结果包含、推广并改进了许多已知结果,与经典结果相比,显示出了模型的优越性.  相似文献   
53.
李荣  伍歆 《物理学报》2010,59(10):7135-7143
利用已存在的三阶最优化力梯度辛格式以对称组合方法获得两个新的四阶力梯度辛积分器.它们在求解摄动Kepler混沌问题的能量精度和一维定态Schrö,dinger方程的能量本征值精度方面比Forest-Ruth四阶非力梯度辛积分器要好得多,甚至还要明显优越于已有的四阶最优化力梯度辛积分器.  相似文献   
54.
概述了光热偏转成像原理,搭建了热波成像光热偏转自动化检测系统,并实现了数据采集和数据处理的自动化.利用该实验系统绘制了直线划痕SrBT样品和三角划痕硅片样品的表面光热偏转图,成像结果清晰直观.  相似文献   
55.
李荣  罗小玲  梁国明  付文升 《物理学报》2011,60(11):117105-117105
采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,研究了Fe掺杂对VH2的电子结构和解氢性能的影响.通过计算Fe掺杂VH2前后体系的合金形成热、V-H之间的重叠布居数、电子态密度、电子密度,发现Fe掺杂VH2后,随着Fe含量增加,合金体系的晶胞参数和晶胞体积逐渐减少;体系的负合金形成热逐渐减少,且掺杂后体系的负合金形成热都比VH2的负合金形成热小,体系的稳定性降低;电子态密度计算也显示Fe掺杂后费米能级处的电子浓度增加,体系稳定性降低;重叠布居数和电子密度计算表明掺杂后V-H之间的重叠布居数由0.1减小为0.08或0.09,V-H之间的电子密度减少,说明V和H原子之间的相互作用减弱,提高了VH2的解氢性能.计算结果解释了实验现象. 关键词: Fe掺杂 电子结构 解氢性能 第一性原理计算  相似文献   
56.
建立了不经衍生直接测定水产动物组织中五氯苯酚及其钠盐残留量的气相色谱-电子捕获检测(GC-ECD)方法.目标化合物在酸性条件下转化成五氯苯酚后用正己烷提取,硫酸磺化法净化,浓缩和定容后测定.方法的线性范围为0.5~400 μg/L,相关系数为0.9978;草鱼和虾空白肌肉组织中添加五氯苯酚的质量浓度分别为0.4、2.0...  相似文献   
57.
针对文科学生特点进行开放性大学物理实验教学有利于培养文科学生的观察能力、科研能力,转变思维方式,提高创新意识,增强社会竞争力.文章就实验内容的设置、实验质量保障体系的建立等方面进行了有益探索.  相似文献   
58.
A composition-modulated (HfO2)x(Al2O3)1-x charge trapping layer is proposed for charge trap flash memory by controlling the A1 atom content to form a peak and valley shaped band gap. It is found that the memory device using the composition-modulated (HfO2)x(Al2O3)l-x as the charge trapping layer exhibits a larger memory window of 11.5 V, improves data retention even at high temperature, and enhances the program/erase speed. Improvements of the memory characteristics are attributed to the special band-gap structure resulting from the composition-modulated trapping layer. Therefore, the composition-modulated charge trapping layer may be useful in future nonvolatile flash memory device application.  相似文献   
59.
ZrO2 nanocrystallite-based charge trap flash memory capacitors incorporating a(ZrO2)0.6(SiO2)0.4 pseudobinary high-k oxide film as the charge trapping layer were prepared and investigated.The precipitation reaction in the charge trapping layer,forming ZrO2 nanocrystallites during rapid thermal annealing,was investigated by transmission electron microscopy and X-ray diffraction.It was observed that a ZrO2 nanocrystallite-based memory capacitor after post-annealing at 850℃ for 60s exhibits a maximum memory window of about 6.8V,good endurance and a low charge loss of ~25% over a period of 10 years(determined by extrapolating the charge loss curve measured experimentally),even at 85℃.Such 850℃-annealed memory capacitors appear to be candidates for future nonvolatile flash memory device applications.  相似文献   
60.
在振动环境中,当带偏心转子的电机旋转角速度与振动环境的角频率相近时,两者可以实现振动同步。针对这一特殊现象,本研究提出一种小参数积分均值法来研究该振动同步问题,设置电驱动偏心转子角速度与振动环境角频率之差的积分均值为变量,通过积分变换将电驱动偏心转子与复合振动环境之间的动力学方程转化为二阶周期系数微分方程,应用周期系数二阶微分方程相关理论推导得出实现振动同步的同步性判据和稳定性判据,并通过数值仿真验证了同步性与稳定性判据的有效性。本研究提出的将电驱动偏心转子角速度与振动环境角频率之差的小参数积分均值法,为研究振动同步理论提供了一种新的方法。  相似文献   
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