矩阵广义逆硬阈值追踪算法与稀疏恢复问题

本文通过引入支撑集捕获基数及MP广义逆,提出了一种用于稀疏恢复问题的矩阵广义逆硬阈值追踪算法,并在观测误差存在的情况下给出了算法在约束等距条件(RIP)下的收敛性.数值实验表明,算法不仅极大地减少了收敛所需迭代次数,且观测误差存在的情况下稀疏恢复是强健的.     

雄黄对大鼠脑组织中单胺类神经递质及其代谢产物的影响

将32只Wistar大鼠随机分为对照组(口服0.5%羧甲基纤维素钠溶液)以及低剂量(0.3g/kg)、中剂量(0.9g/kg)和高剂量(2.7g/kg)雄黄混悬液处理组,通过4周连续灌胃给服雄黄混悬液;采用高效液相色谱-电化学法测定了大鼠脑组织中单胺类神经递质及其代谢产物的含量,研究了雄黄对大鼠脑组织单胺类神经递质及其代谢产物的影响.结果表明,与对照组比较,雄黄染毒组大鼠脑组织中NE、DOPAC和DA含量均呈增加趋势,而5-HIAA呈降低趋势.雄黄可对大鼠脑组织单胺类神经递质及其代谢产物产生影响,单胺类神经能系统可能是雄黄毒性作用的靶点之一.     

雄黄对大鼠脑组织能量代谢的影响

将32只Wistar大鼠随机分为对照组(口服0.5%羧甲基纤维素钠溶液)以及低剂量(0.3g/kg)、中剂量(0.9g/kg)和高剂量(2.7g/kg)雄黄混悬液处理组,通过6周连续灌胃给服雄黄混悬液,采用高效液相色谱法测定大鼠脑组织中三磷酸腺甙(ATP)的含量,研究了雄黄对大鼠脑组织能量代谢的影响.结果表明,与对照组比较,雄黄染毒组大鼠脑组织中ATP含量均呈下降趋势(P<0.05),不同剂量组间未表现明显差异(P>0.05).这表明雄黄对大鼠脑组织能量代谢具有一定的抑制作用.     

高考数学科考核目标研究

本文是关于高考数学课考核目标比较全面、系统和深入的研究,文章中有三个观点是首次提出:一是将高考数学内容划分为172个知识点,并且确定了每个知识点的考核层次;二是提出了数学思想方法的考核原则;三是提出了分层次考核数学能力的观点.本文关于高考数学科考核目标的研究对高考命题、中学教学和复习以及高考试题的评价都有一定的指导和借鉴意义.     

课改后统计与概率内容考查研究

1 引言 统计与概率在工农业生产和社会生活中有着广泛的应用.在生产、生活和科学技术飞速发展的当今社会,它的应用已渗透到整个社会的方方面面,从而使统计与概率的基础知识成为一个普通公民的必备常识.由于统计与概率的学习对于培养和提高学生的数学思维能力方面发挥着特有的作用,因此国外许多国家很早就将其列为中、小学数学教学的内容和目标的一部分.如美国在1989年出版《中小学数学课程与评估标准》中规定了统计与概率,并且强调统计和概率的思想方法[1];前苏联在1990年颁布的教学大纲中就包涵概率与统计理论的教学内容,包括概率的加法与乘法,条件概率,独立事件,伯努利公式,随机变量,数学期望等内容知识.     

具源项的波动方程的非古典对称

给出了具源项的波动方程的非古典对称的完全分类和相应源项的所有可能的具体表达式.除了古典对称对应的巳知源项外,获得了允许非古典对称的新源项,其中包括著名的演化方程,如线性(齐次和非齐次)波动方程,双曲Liouville方程和Klein-Gordon方程等.这些结果解答了Clarkson在2001年中提出的关于波方程非古典对称的公开问题.同时,用分类中得到的对称,通过求不变解构造了以上演化方程的一些新的精确解.     

掺杂元素Fe对LiAlH4放氢性能影响的第一性原理研究

采用第一性原理赝势平面波方法研究掺杂元素Fe对LiAlH4放氢性能的影响及其作用机理.计算杂质形成能、电子态密度、氢原子分解能,分析原子间的成键情况和结构的稳定性.结果表明:Fe在LiAlH4中占据间隙位置或者替代Al或者Li时,都能改善LiAlH4的放氢性能.Fe在LiAlH4中倾向于占据间隙位置,电子结构分析显示Fe占据间隙位置时与近邻的Al原子产生强烈的相互作用;另一方面,Fe与近邻的H也有较强相互作用.两个因素共同的结果是破坏了[AlH4]基团的稳定性,从而改善LiAlH4的放氢性能.结果与实验相吻合.     

4k数字放映机广角放映镜头的设计

为满足4k电影的短距离放映需求,设计一款广角放映镜头,可适配于采用三芯片DMD技术的放映机,最大投射比可达0.75∶1,相对孔径为1/2.2,反远比为4.6∶1,在66 lp/mm的Nyquist频率处,MTF值为0.42,边缘视场MTF值为0.25。最大横向色差为3.7 m0.5 pixel,最大畸变为2.5%。分析了反远距形式的特点,给出了合理选型、分配光焦度和计算关键技术参数的方法,以及像差校正过程中应注意的问题。最终设计出了符合设计指标的具有高分辨率的广角放映镜头,该镜头结构简单、成本低。     

Effect of high-temperature annealing on AlN thin film grown by metalorganic chemical vapor deposition

The effect of high-temperature annealing on AlN thin film grown by metalorganic chemical vapor deposition was investigated using atomic force microscopy, Raman spectroscopy, and deep ultra-violet photoluminescence(PL) with the excitation wavelength as short as ～ 177 nm. Annealing experiments were carried out in either N2 or vacuum atmosphere with the annealing temperature ranging from 1200℃ to 1600℃. It is found that surface roughness reduced and compressive strain increased with the annealing temperature increasing in both annealing atmospheres. As to optical properties,a band-edge emission peak at 6.036 eV and a very broad emission band peaking at about 4.7 eV were observed in the photoluminescence spectrum of the as-grown sample. After annealing, the intensity of the band-edge emission peak varied with the annealing temperature and atmosphere. It is also found that a much stronger emission band ranging from 2.5 eV to 4.2 eV is superimposed on the original spectra by annealing in either N2 or vacuum atmosphere. We attribute these deep-level emission peaks to the VAL–ONcomplex in the AlN material.     

电磁辐射问题的简化处理

将电动力学中关于电磁辐射的问题简化处理作一小结和回顾,在对这些要点熟悉和掌握之后,求辐射电磁场这个看似复杂的问题便简化成相当简单的矢量代数问题．