激光触发多级多通道开关研究

研制成功了触发延迟时间抖动小于1ns的200kV原理型激光触发多级多通道开关，该开关由Bruce剖面型不锈钢电极构成的激光触发间隙和5-9级冰壶型不锈钢电极构成的等间距环形过压自击穿隙组成。采用了四倍频Nd：YAG激光器为触发源，研究了开关触发延迟时间及其抖动与激光脉冲能量、工作电压、气体种类及气体压强等实验参数之间的依赖关系。     

半导体放电管固体场畸变三电极开关

基于半导体放电管过电压自击穿原理,探索设计了一种固体场畸变三电极开关。该开关由两组半导体放电管阵列印刷电路组成,受到触发时,一组半导体放电管阵列首先击穿,另一组阵列继而过电压自击穿,开关导通。实验测试了特定幅值触发脉冲时的负载电压,初步验证了半导体放电管固体场畸变三电极开关设计的可行性。讨论了降低开关导通电感,提高通流能力、工作电压及运行频率的方法。     

光导开关Blumlein型脉冲网络电压传输效率

为了在高阻负载上获得高效率的重复频率平顶高压脉冲输出,开展了影响基于光导开关的Blumlein型脉冲形成网络电压传输效率因素的初步实验研究。以陶瓷电容、铝条和GaAs光导开关构成全固态Blumlein型脉冲形成网络（BPFN）,采用气体间隙进行了设计参数的验证实验,在匹配负载上研究了光导开关工作场强、激光触发能量与BPFN电压转换效率的关系。设计的BPFN阻抗7.8 ,电长度32.6 ns,实验表明光导开关较高的导通电阻是影响PCSS-BPFN电压传输效率的主要因素。当触发激光能量30.4 mJ,工作场强25.1 kV/cm时,获得电压效率83.2%,相应最小导通电阻1.89 ;在触发激光能量3.5 mJ时,为了使阻抗为7.8 的BPFN在匹配负载上达到75%以上电压传输效率,应至少使光导开关工作场强为25.1 kV/cm,相应最小导通电阻2.88 。     

单耗分析案例

单耗分析案例宋之平,李洪涛（华北电力大学研究生部北京１０００８５）关键词能量系统,节能降耗,经济学１概述“单耗分析”以单耗为主要指标,以科学而直观的方式展示燃料单耗和成本的构成、分布和变化的图景以及影响因素,以便对改善设计、优化运行、促进管理科学化、...     

4MV激光触发多级多通道开关特性

激光触发多级多通道开关是多路并联高功率脉冲装置的首选同步开关，对系统中各路脉冲功率系统的运行时序进行精确控制，以实现脉冲功率的有效叠加。由24个模块组成的10MAz—pinch实验装置（PTS）采用4MV激光触发多级多通道开关作为其系统中的主同步开关。该开关由～级激光触发间隙和21级自击穿间隙组成，采用匀场结构设计（即其所有间隙均为轴对称均匀场分布间隙），触发间隙电极设计为不锈钢Bruce电极；过压自击穿间隙电极设计为不锈钢冰壶型电极。采用场调整环强制调整开关区内的空间电场分布。     

脉冲高电压幅值测量的不确定度分析

 在脉冲高电压幅值测量的不确定度评定中,从测量和标定溯源的角度出发将不确定度来源分为示波器测量不确定度和探头不确定度。以初级实验平台单路样机三板线入口电压的测量为例,按照探头不确定度的来源分别分析了三板线电压测量随机效应产生的不确定度,D-dot探头和电阻分压器标定时的系统效应和随机效应产生的不确定度,示波器和衰减器的校准不确定度,示波器的分辨力不确定度。同时进行了测试和标定系统的频率响应分析,以证明被测信号在测试系统的频率响应范围之内。以相关实验数据为基础计算了各个不确定度分量、合成标准不确定度以及扩展不确定度。按工程测量要求取包含因子为2,可得三板线入口电压测量值为1.89 MV,扩展不确定度为3.9％。     

200kV／100kA低拦动环形场畸变开关

介绍了一种200kV/100kA耐压极差小于2．1％、抖动极差小于2ns的低抖动、低预击穿概率的环形多通道场畸变开关,研究了其以Ar、N2、SF6、SF6／N2、SF6／Ar为工作介质时环形场畸变开关的耐压及触发性能。     

200 kV重复频率Marx发生器研制

针对脉冲功率系统开关触发需求, 设计了一种重复频率Marx发生器,介绍了其基本工作原理及其主要性能指标。发生器采用单极性充电和同轴结构设计,脉冲输出为高压电缆形式,在75 Ω匹配负载上获得了高于200 kV的脉冲输出,脉冲宽度大于90 ns,工作模式可单次到10 Hz重复频率运行,脉冲上升时间小于10 ns,系统抖动小于20.1 ns。     

基于磁控溅射离子镀技术的不同晶态纯Cr薄膜微观组织结构研究

基于磁控溅射离了镀技术,制备了不同晶态结构的纯Cr薄膜,分析了电场环境对纯Cr薄膜品态结构影响的客观规律;结合溅射原理和薄膜生长原理揭示了电场环境对纯Cr薄膜生长过程影响的内在机理;探讨了磁控溅射离子镀技术在工程材料的纳米化、非晶化进程中应有的功能,旨在为纳米材料的研发及其制备技术的创新提供参考依据.     

周期弯晶作为束流控制元件的动力学稳定性

在经典力学框架内和偶极近似下,引入正弦平方势,把粒子运动方程化为具有阻尼项和受迫项的广义摆方程。利用Melnikov方法讨论了沟道运动次谐分叉及其稳定性, 导出了周期弯晶的临界条件和退道长度。结果表明, 要试图获得高的引出效率, 除了要求弯晶长度必须小于退道长度外, 还必须保证沟道粒子的运动是稳定的。对临界条件的分析表明, 系统的稳定性与它的参数有关, 只须适当调节系统参数, 就可以保证周期弯晶作为引出元件的稳定性。In the classical mechanics frame and with a dipole approximation the particle motion equation in the periodic bent crystal is reduced to the general pendulum equation with a damping term and the forced term by using the sine squared potential． This paper discusses the problem of the sub harmonic bifurcation of the periodic orbit and the stabilities of the channeling motion by using Melnikov method, so as to derive the critical condition and the dechanneling length of the periodic bent crystal. The results show that channeling motion must be stable in addition that the crystal length is smaller than the dechanneling length in order to ensure higher extracted efficiency. The analysis of the critical condition shows that the system stabilities are related to its parameters. Just by properly regulating the parameters of the system, the dynamic stabilities by the use of periodic bent crystal as beam control cell can be ensured.