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101.
高压脉冲电容器是脉冲功率系统中应用较广的储能器件。根据大容量能库型脉冲装置对充电电源的技术要求,研制了一种输出电压±0.5~±10 kV可调、最大平均功率约3 kW、双极性一体化直流高压充电电源。设计上采用控制电路与正负双极性直流高压输出主电路一体化方式,通过隔离、屏蔽和保护措施,解决了目前双极性直流高压充电电源存在的正负极性电压不平衡、采样控制信号与高压地未隔离问题,减小了电源体积,提高了电源的鲁棒性、可靠性和电磁干扰能力。100多台充电电源在18.3 MJ脉冲装置中同时运行,在复杂电磁干扰环境下可靠稳定工作。 相似文献
102.
快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400-450℃热处理后,空位-双氧复合体(VO2)是其主要的缺陷.在300-500℃热处理快中子辐照的CZ-Si后,IR光谱中有919.6cm^-1和1006cm^-1两个吸收峰伴随VO2(889cm^-1)出现,这两个IR吸收峰是VO2的一种亚稳态缺陷(O-V-O)引起的,此缺陷态是由一个VO(A中心)与次临近的一个间隙氧原子(Oi)相互作用所形成的.在300℃延长退火时间或升高退火温度,都会使(O-V-O)转变为稳态VO2.辐照剂量在10^19数量级,经400-450℃热处理所形成的缺陷主要为多空位型,而VO2被抑制. 相似文献
103.
对充气场畸变开关导通过程的分析表明低抖动高压强流开关的触发时延及其抖动与流注形成和传播途径的平均电场强度存在密切关系,开关结构设计中应使触发脉冲峰到达时流注形成和传播途径上具有较高的平均电场强度。同时,为了提高开关的电流承载能力,有效地结合了匀场火花隙和轨道开关的设计概念,研制了环形轨道式场畸变开关。 相似文献
104.
快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400—450℃热处理后,空位_双氧复合体(VO2)是其 主要 的缺陷.在300—500℃热处理快中子辐照的CZ_Si后,IR光谱中有919.6cm-1和 1006cm-1两个吸收峰伴随VO2(889cm-1)出现,这两个IR吸收 峰是VO2的一种亚稳态缺陷(O-V-O)引起的,此缺陷态是由一个VO(A中心)与次临近的一个 间隙氧原子(Oi)相互作用所形成的.在300℃延长退火时间或升高退火温度,都 会使(O -V-O)转变为稳态VO2.辐照剂量在1019数量级,经400—450℃热处 理所形成的缺陷主要为多空位型,而VO2被抑制. 相似文献
105.
分析了脉冲功率装置特别是使用Blumlein线装置的预脉冲电压的产生机理,提出了通过一个连接于Marx和地之间的附加电感来平衡充电电路以抑制预脉冲的方法。用Pspice计算的实例表明:使用该方法可以有效地减小预脉冲电压。使用金属丝的比作用量和汽化热两种计算方法分析了Z Pinch实验中丝阵负载可承受的预脉冲电压,计算结果与实验结果对比表明,实验中铝丝的预脉冲电流远大于计算结果的最大值,铝丝发生汽化,验证了计算方法的正确性。 相似文献
106.
针对一种在复杂环境条件下进行脉冲中子探测的闪烁探测器,开展了一系列的可靠性设计、保证工作。在设计上通过双通道冗余备份、抗振设计等方式提升了探测器的固有可靠性。此外还采取可靠性建模及指标分配的方式明确了探测器各部件的任务可靠性目标,通过FMECA分析方法研究了探测器各部件的故障模式及其影响,确定了可靠性重要部件。通过运用环境应力筛选试验及可靠性强化试验,进一步提升了探测器的可靠性。经初步验证,采取上述可靠性设计保障技术的脉冲中子探测器,其任务可靠度可达到99.9%以上。 相似文献
107.
通过傅里叶红外光谱、正电子湮没寿命谱和Hall技术研究了高剂量快中子辐照直拉硅的辐照 缺陷、电阻率、载流子迁移率、载流子浓度随退火温度的变化.经快中子辐照,直拉硅样品 的导电类型由n型转变为p型.在450和600℃热处理出现两种受主中心,分别由V22O22,V22O,VO22,V-O-V及V44型缺 陷引起,这些缺陷态的出现使得样品中空穴浓度迅速增加;大于650℃热处理这些受主态 缺陷迅速消失,
关键词:
快中子辐照
空位型缺陷
受主
施主 相似文献
108.
109.
采用自行研制的μs级重复频率高压单极性脉冲电源,应用于聚四氟乙烯(PTFE)膜表面改性,研究脉冲放电等离子体对PTFE薄膜表面改性的作用规律。测量处理前后PTFE薄膜表面的水接触角,结果显示,在特定的脉冲参数及更严格的对比条件下其平均水接触角从112°下降到85°,PTFE薄膜表面亲水性改善效果非常显著。脉冲电源采用脉宽调制控制方式,通过逆变升压及波形整形,得到脉冲电压幅值0~20kV、重复频率0~20kHz、脉宽5~15μs、上升沿500ns~2μs、下降沿大于20μs的单极性脉冲。 相似文献
110.