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51.
以Zn(NO3)2为原料,CO(NH2)2为沉淀剂,加入表面活性剂甲基丙烯酸甲酯,经微波加热制备获得颗粒尺度为亚微米级的ZnO.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)研究了制备条件对样品结构、形貌的作用;PL方法讨论了其荧光发光光谱.发现采用微波加热法获得的ZnO呈球形,尺度在100nm左右,相比较,传统高温加热获得的样品呈c轴优先取向的短棒状.讨论认为,由于微波辅助方法能够使前驱物温度梯度变化小,表面Zn2+,O2+析出均匀,因此有助于获得球形的粉末粒子. 相似文献
52.
The hexagonal boron nitrides(BNs) with different morphologies are synthesized on a large scale by a simple route using a two-step synthetic process. The morphology of h-BN can be easily controlled by changing the heat-treatment atmosphere. The whiskers with 0.5-10 μm in diameter and 50-100 μm in length consist of few-layers nanosheets in the NH_3 gas. The BN nanosheets can be dissociated from the whiskers by ultrasonic treatment, which are less than 5 nm in thickness and even only two layers thick. The concentration and activity of N play an important role, and abundant N and higher activity are conducive for refining grain in reaction. The H_3BO_3 and C_3N_6H_6 molecules form a layer-like morphology with the interlinked planar triangle by a hydrogen-bonded structure. 相似文献
53.
54.
用ZnS量子点与poly-4-vinyl-phenol (PVP)复合,通过简单的旋涂法制备了结构为ITO/ZnS:PVP/Al的一次写入多次读取(WORM)的有机双稳态器件。器件起始状态为OFF态,通过正向电压的作用,器件由OFF态转变为ON态,并且在正向或反向电压的作用下,器件始终保持在ON态,表现出良好的一次写入多次读取的存储特性。与不含ZnS量子点的器件相比,含有ZnS量子点的器件表现出明显的双稳态特性,其电流开关比达到104,这说明ZnS量子点在器件中起到存储介质的作用。通过对器件电流-电压(I-V)特性的测试,详细讨论了器件的双稳态特性以及载流子传输机制,并且用不同的传导理论模型分析了器件在ON态和OFF态的电流传导机制。器件I-t曲线表明器件在大气环境中具有良好的永久保持特性。 相似文献
55.
The influence of cation additives on the NIR luminescence intensity of Er3+-doped borate glasses 下载免费PDF全文
Er3+-doped 25BaO-(25-x)SiO2-xAl2O3-25B2O3 transparent glasses are prepared with x = 0,12.5 and 25 by a solid-state reaction.The Er-related NIR luminescence intensity,which corresponds to the transition of 4I15/2-4I13/2,is obviously altered with different silicon/aluminum ratios.The Judd-Ofelt parameters of the Er3+ ions are adopted to explain the intensity change in the NIR fluorescence,and the Raman scattering intensity versus the amount of Al and/or Si components are discussed.The spectra of the three samples are quite similar in the peak positions,but different in intensity.The maximal phonon density of state for the samples is calculated from the Raman spectra and is correlated to the NIR luminescence efficiency. 相似文献
56.
Using a two-dimensional thermal flow model, we calculate the thermal resistance and the temperature distribution of InGaAsP/InP multi-quantum-well superluminescent diodes. The influence of lateral chip size and composition are evaluated. The results reveal that when the injection power reaches 1 W, temperatures in the active region rises up to almost 5OK. The width and length of the chip also have strong influence on the thermal resistance that can reach two orders of magnitude. The thermal resistance will change from 290 K/W to 68 K/W when the chip width increases from 500μm to 2500μm, and a similar result exists for the length. There is small effect on thermal resistance for active width. In view of the characteristics of output power versus the input current under pulsed and continues currents, the fitted experimental thermal resistance matches well with the measured results. 相似文献
57.
研究了碳量子点负载的Ti O2纳米棒阵列光阳极的光电化学过程和光催化行为。实验发现碳量子点的引入使Ti O2纳米棒阵列在可见光区域的吸收强度增强,对可见光的响应电流提高3倍,光照下的开路电位增加了2.5%,光生载流子的转移和传输能力得到相应提高。光阳极对亚甲基蓝的降解特性显示,碳量子点的引入使Ti O2纳米棒在可见光照射下的催化效率由25%提高到33%。利用电化学交流阻抗谱(EIS)、MottSchottky曲线讨论了光影响下的电荷运动过程,表明Ti O2纳米棒阵列负载碳量子点后的电荷转移电阻减小,电子寿命增加;碳量子点的负载使Ti O2纳米棒的平带电位负移,导带位置提高,电子的还原能力增强。 相似文献
58.
利用蓝色有机发光二极管激发荧光色彩转换膜的方法,制备了一种新型的白色有机电致发光器件.蓝色有机发光二极管的发光层采用在4,4′-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl(CBP)主体中掺杂高效蓝色荧光染料N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine (N-BDAVBi)来制备.有机/无机复合色彩转换膜是将有机荧光颜料VQ-D25和无机荧光粉钇铝石榴石(YAG)按一定的重量比均匀分散到-[CH3CH2COOCH3]n- (PMMA)中经涂敷、固化而成.通过与单纯有机或无机色彩转换膜的比较及调整复合转换膜本身的厚度和荧光颜料的掺杂比例来优化白光器件的发光光谱,获得了色稳定性较高的白色有机电致发光器件.当驱动电压由6 V升至14 V时,器件的色坐标仅在(0.354,0.304)和(0.357,0.312)之间变化,其最高电流效率约为5.8 cd/A(4.35 mA/cm2),最高亮度为16 800 cd/m2(14 V). 相似文献
59.
本文通过化学浴沉积法获得了直径约为50 nm, 长度约为250 nm的ZnO纳米棒阵列, 引入纳米ZnS对ZnO纳米棒进行表面修饰, 分别制备得到了具有ITO (indium tin oxides)/ZnO/Poly-(3-hexylthiophene) (P3HT)/Au和ITO/ZnO@ZnS/P3HT/Au结构的多层器件. 通过I-V曲线对比讨论了两种结构器件的开启电压, 串联电阻, 反向漏电流及整流比等参数, 认为包含ZnS修饰层器件的开启电压、串联电阻、反向漏电流明显降低, 整流比显著增强, 展现出更优异的电子传输性能. 光致发光光谱分析结果证实由于ZnS使ZnO纳米 棒的表面缺陷产生的非辐射复合被明显抑制, 弱化了电场激发下的载流子陷获, 改善了器件的导电特性.
关键词:
ZnO纳米棒阵列
表面修饰
电流-电压特性 相似文献
60.
通过高温固相法制备了不同Er3+掺杂浓度的KPb2Br5多晶粉末样品. 由980 nm半导体激光器激发下得到的上转换发射光谱显示, 当掺杂浓度为2.5 mol%时, 样品主要表现为530 nm 和550 nm上转换发射, 分别对应激发态2H11/2和4S3/2向基态4I15/2的跃迁; 掺杂浓度增加到5 mol%时样品以490 nm上转换发射为主, 对应由激发态4F7/2向4I15/2的跃迁; 当掺杂浓度达到7.5 mol%时, 样品的上转换发射强度相比低浓度时大幅度下降, 主要以激发态4F9/2 向基态4I15/2跃迁的690 nm处发光为主. 利用第一性原理结合Judd-Ofelt理论讨论认为, Er3+ 离子优先替代Pb (1) 的位置, 随着浓度的提高, 部分Er3+ 离子会替代Pb (2) 格位上的离子, 不同晶格位置的Er3+ 离子所处的晶体场的对称性有所不同, 从而影响了发光中心不同能级的跃迁概率, 体现在上转换发光光谱的差异上. 蓝、绿区域的上转换发光在高浓度掺杂下显示了明显的浓度猝灭, 此时样品以红色上转换发光为主.
关键词:
2Br5:Er3+')" href="#">KPb2Br5:Er3+
Judd-Ofelt理论
第一性原理
上转换发射 相似文献