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101.
用Gobin Yvon hr800拉曼光谱仪及与之相连接的Linkam,Thms600加热装置,测量了含9个C-C共轭双键的β胡萝卜素分子在二甲基亚砜中在25~73℃范围内的拉曼光谱.结果表明,短链多烯生物分子β胡萝卜素在液体中有很大的拉曼散射截面[6.5×10-23cm2/(molecule·Sr)],除共振效应外,β胡萝卜素分子结构有序产生较强的弱阻尼C-C键相干振动,是获得大拉曼散射截面的重要因素.温度对多烯类链状线性分子结构有序性影响很大.温度升高,分子结构有序性下降,C-C键弱阻尼相干振动减弱,C-C键长变短,各C-C键键长略有不同,使拉曼散射截面减少,拉曼光谱谱线蓝移,振动频率成分增加使线宽增加. 相似文献
102.
针对催化裂化 (FCC) 废催化剂细粉带来的环境污染和未开发利用的现状, 以此为原料合成了小晶粒 Y 型分子筛, 并采用 X 射线衍射、扫描电镜、29Si和27Al 固体核磁共振和激光粒度分析等技术对样品进行了表征. 结果表明, 以 FCC 废催化剂细粉为原料可以合成粒径为 200 nm 左右的 Y 型分子筛, 且制备过程中原料的活化方法和导向剂对所得样品结构影响很大. 对原料采用碱熔活化, 并在合成体系中加入导向剂, 所得 Y 型分子筛的相对结晶度提高, 比表面积增大, 粒度减小. 相似文献
103.
104.
Point defect determination by photoluminescence and capacitance-voltage characterization in a GaN terahertz Gunn diode
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Photoluminescence (PL) measurement is used to study the point defect distribution in a GaN terahertz Gunn diode, which is able to the degrade high-field transport characteristic during further device operation. PL, secondary ion mass spectroscopy (SIMS), transmission electron microscope (TEM), and capacitance-voltage (C-V) measurements are used to discuss the origin of point defects responsible for the yellow luminescence in structures. The point defect densities of about 1011 cm-2 in structures are extracted by analysis of C-V characterization. After thermal annealing treatment, diminishments of point defect densities in structures are efficiently demonstrated by PL and C-V results. 相似文献
105.
为克服光催化材料可见光利用效率低的缺陷, 通过三聚氰胺高温缩聚的方法合成了石墨型氮化碳(g-C3N4)材料。采用XRD, SEM, UV-Vis技术对氮化碳材料的微观结构和光学性能进行了表征, 并通过降解罗丹明B溶液研究了缩聚温度和不同光源对光催化效率的影响。结果表明, 合成的氮化碳层片状结构保存良好, 尽管材料表面在高温下断裂形成了不规则的块体颗粒;随着煅烧温度的升高, 催化剂在紫外光和可见光部分的吸收都显著增强, 这可能是由于材料表面的岩石状块体颗粒提高了材料的比表面积, 同时降低了光的反射又提高了对光的吸收。在罗丹明B的光降解测试中, 催化剂在可见光和太阳光照射下均表现出了良好的催化效果, 缩聚温度为580 ℃时效果最好, 分别为94.8%(60 min)和91.1%(90 min)。该方法制备的石墨型氮化碳催化剂对利用清洁能源进行环境净化应用具有极大的潜在价值。 相似文献
106.
采用高温熔融法制备了Tb3+单掺硼酸盐、硅酸盐和磷酸盐荧光玻璃和相应的玻璃基质。根据紫外-可见透射光谱计算了Tb3+在不同基质中从7F6 到5D3和 5D4能级的实验振子强度,解释了不同基质中Tb3+发射光谱的变化原因。结果表明:因为对称性差,在磷酸盐玻璃基质中,Tb3+在542 nm和585 nm处的发射峰有劈裂现象。在硼酸盐和硅酸盐基质中,Tb3+ 的5D3能级上的粒子通过交叉弛豫过程被倒空并转移到5D4能级,故5D3能级发光(413 nm和436 nm)不明显;在磷酸盐基质中,Tb3+的5D3能级上的粒子数较少,没有交叉弛豫产生,故5D3能级发光最强。在3种基质中,Tb3+从5D4能级发射的特征峰489,542,585,620 nm的强度顺序是硼酸盐>硅酸盐>磷酸盐,与Tb3+在不同基质中从7F6 到 5D4能级的实验振子强度顺序一致。 相似文献
108.
Fabrication and electrical properties of axial and radial GaAs nanowire pn junction diode arrays
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We report on the fabrications and characterizations of axial and radial Ga As nanowire pn junction diode arrays.The nanowires are grown on n-doped Ga As(111)B substrates using the Au-catalyzed vapor–liquid–solid mechanism by metal–organic chemical vapor deposition(MOCVD). Diethyl–zinc and silane are used as p- and n-type dopant precursors,respectively. Both the axial and radial diodes exhibit diode-like J–V characteristics and have similar performances under forward bias. Under backward bias, the axial diode has a large leakage current, which is attributed to the bending of the pn junction interface induced by two doping mechanisms in Au-catalyzed nanowires. The low leakage current and high rectification ratio make the radial diode more promising in electrical and optoelectronic devices. 相似文献
109.
带控制片方柱绕流的非定常数值模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
对高雷诺数下带控制片的方体(在方柱之前放置一小尺度的柱形薄片)非定常绕流进行了数值模拟。数值模拟方法采用RNG重整化群紊流模型,SIMPLE算法,在非定常计算中引入双重时间步方法,将方体和控制片区域作为求解域的一部分作整体求解。结果表明,控制片与方柱之间距离的不同,使得控制片所形成的涡被抑止或产生卡门涡街,从而对柱体侧面边界层的分离发生影响,产生三种典型的流态,柱体时均阻力系数相对于无控制片的情况迅速减小,当控制片偏离柱体轴心时,柱体升力系数迅速增大,偏心至柱体外壁面附近达到极大值。阻力系数达到最小值后将产生跳跃式的增大,而升力系数在达到最大值后也将产生跳跃式的减小。 相似文献
110.