Application of Kramers–Kronig receiver in SSB-OFDM-RoF link

We propose and investigate the use of a Kramers–Kronig(KK) receiver in a single sideband orthogonal frequency division multiplexing radio over fiber(SSB-OFDM-RoF) link based on an optical remote heterodyne solution. This scheme is effective in eliminating the signal-to-signal beating interference introduced by square-law detection of a photo-detector in an SSB-OFDM-RoF link. We extensively study the influences of different carrier-to-signal power ratios(CSPRs), laser linewidths, and transmission distances on our proposed scheme. It is proved that the KK-based receiver can reduce optimal CSPR by more than 5 dB and provide about 1.1 dB gain over the conventional mixer-based receiver scheme with CSPR of 11 dB after 75 km fiber transmission.     

牙齿表面微观磨损形貌的数值化分析研究

牙齿表面磨损一般通过显微镜进行形貌图像表征分析，而数值化分析牙齿表面磨损形貌的工作相对较少. 本研究中通过白光共聚焦显微镜，Solarmap Universal 软件和Tooth-Frax软件对牙齿咬合前后表面磨损形貌进行数值化分析，建立磨损前后表面尺度敏感曲线. 结果显示:牙齿表面磨损形貌可以通过轮廓分形分析法建立相应的表面尺度敏感曲线，形成表面磨损尺度敏感数字信号. 本工作的主要目的是寻求通过表面磨损数值化分析为研发牙齿磨损动态监测设备提供理论基础和技术支撑.      

Improvement on short-circuit ability of SiC super-junction MOSFET with partially widened pillar structure

A novel 1200 V SiC super-junction (SJ) MOSFET with a partially widened pillar structure is proposed and investigated by using the two-dimensional numerical simulation tool. Based on the SiC SJ MOSFET structure, a partially widened P-region is added at the SJ pillar region to improve the short-circuit (SC) ability. After investigating the position and doping concentration of the widened P-region, an optimal structure is determined. From the simulation results, the SC withstand times (SCWTs) of the conventional trench MOSFET (CT-MOSFET), the SJ MOSFET, and the proposed structure at 800 V DC bus voltage are 15 μs, 17 μs, and 24 μs, respectively. The SCWTs of the proposed structure are increased by 60% and 41.2% in comparison with that of the other two structures. The main reason for the proposed structure with an enhanced SC capability is related to the effective suppression of saturation current at the high DC bias conditions by using a modulated P-pillar region. Meanwhile, a good Baliga's FOM ($BV^{2}/R_{\rm on}$) also can be achieved in the proposed structure due to the advantage of the SJ structure. In addition, the fabrication technology of the proposed structure is compatible with the standard epitaxy growth method used in the SJ MOSFET. As a result, the SJ structure with this feasible optimization skill presents an effect on improving the SC reliability of the SiC SJ MOSFET without the degeneration of the Baliga's FOM.     

水平磁场中液态锂膜流动实验装置及初步结果

设计了用于水平磁场中锂膜流动铺展性及磁流体动力学效应研究的实验装置，介绍了所用磁铁、锂循环回路、动力系统、回路温控系统和测量系统五个组成部分。各部分加工完成，进行现场组装与回路调试，最后加入锂锭熔融后完成实验台搭建工作。利用该实验台研究了锂膜在不锈钢表面的铺展情况、锂膜表面形态与流动雷诺数的关系，以及磁场对液膜表面形态的影响等方面。结果发现液态锂膜在充分锂浸润的不锈钢表面能够完全铺展，水平磁场对锂膜流动有致稳作用，并且可以抑制磁场方向的表面波动。     

InGaAs光电阴极制备工艺中的原位光电子能谱

为了探索InGaAs光电阴极高温净化工艺的最佳加热温度点,利用超高真空光电阴极制备与表征互联装置开展了不同加热温度点下的高温净化实验和表面铯/氧(Cs/O)激活实验。通过扫描聚焦X射线光电子能谱对化学清洗后、高温净化后以及表面激活后的InGaAs样品表面进行原位分析,检测不同温度点下表面杂质的脱附程度和化学元素组成变化。结果表明,样品表面的碳污染物和氧化物在625℃时都被完全去除,获得原子级清洁表面,但此时In元素会出现挥发现象,导致材料表面In含量降低,会使InGaAs材料的红外响应特性不明显,因此600℃被认为是最佳加热温度。结合原位紫外光电子能谱发现二次电子截止边随着温度的升高不断向高结合能的位置偏移,这表明高温净化能有效降低表面功函数值,而Cs/O激活能进一步降低表面功函数值,获得负电子亲和势,提高InGaAs光电阴极的近红外光电发射性能。     

低能He2+-He碰撞体系转移电离机理的实验研究

利用冷靶反冲离子动量谱仪,对低能He²⁺-He碰撞反应中产生的反冲靶离子和炮弹离子进行了符合测量,根据反冲靶离子的动量,研究了转移电离过程中的电荷转移机理.实验结果表明：在20—40 keV能量范围内,靶原子上的一个电子俘获到炮弹离子的基态,另一个电子直接发射到靶的连续态的直接电离及另一个电子俘获到炮弹离子的连续态的过程(ECC)是最主要的转移电离机理,且ECC过程主要发生在大碰撞参数条件下;炮弹离子俘获两个电子处在双激发态的自电离过程的贡献很小. 关键词： 冷靶反冲离子动量谱仪 转移电离机理 离子原子碰撞     

黄芩素与黄芩苷抗氧化活性差异的结构原因

黄芩素是黄芩苷的初级代谢产物,二者的分子结构差别仅在于7-位取代基,前者为酚羟基而后者为糖苷.本文通过稳态吸收光谱和循环伏安实验,以及量化计算等方法考察了黄芩素和黄芩苷的酸离解常数(pKa)、脂水分配系数、氧化-还原电位、分子偶极矩等基本物理化学性质,以及清除ABTS.+自由基活性(TEAC)的差异.结果表明,黄芩素酚羟基7-OH的酸性较强(pKa=5.4);在生理pH下黄芩素的氧化还原电位(0.32 Vvs.NHE)略低于黄芩苷,且TEAC值约为黄芩苷的1.8倍.量化计算结果表明,7-取代基对黄酮分子骨架的构型、物理化学性质以及自由基清除活性有显著影响.文中探讨了黄芩素和黄芩苷的微观和宏观分子属性与抗氧化活性之间的关系,得出酚羟基数量及其pKa值、黄酮分子骨架构型以及电子结构是影响类黄酮化合物抗氧化活性主要因素的结论.研究结果可为深入研究类黄酮化合物的抗氧化结构-活性关系提供依据.     

Si基CeO_2薄膜的发光特性

利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的CeO2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。结合激发光谱、吸收光谱以及XRD分析表明:CeO2薄膜在高温下容易发生失氧反应,出现Ce4+→Ce3+离子转变,Ce3+离子在紫外光的激发下,电子由O2p跃迁到5d能级,再由5d能级向4f能级跃迁,从而产生强烈的蓝紫外发射,而445 nm左右的发光峰则来自于SiO2薄膜的缺陷发光。样品选择900~1 200℃不同温度退火,并且在1 200℃下进行了不同时间的退火。研究结果显示:在1 200℃下进行2 h的退火,薄膜发光强度达到最大。     

基于FTIR比较分析鸡骨草与毛鸡骨草的化学组分

采用傅里叶变换红外光谱法分析鸡骨草与毛鸡骨草的红外光谱特征及其化学成分的差异。采集鸡骨草和毛鸡骨草两种药材整株和不同部位的FTIR图,运用二阶导数谱和半定量分析研究不同谱图间的差异。结果显示鸡骨草与毛鸡骨草均含挥发油、三萜类、黄酮、皂苷、多糖类等化学成分。黄酮类、皂苷类、多糖类成分含量均以毛鸡骨草高。"指纹"区的特征光谱显示,鸡骨草根部的黄酮类成分含量少于茎部、而皂苷类和多糖类成分含量高于茎部;毛鸡骨草黄酮类和皂苷类成分含量以叶部最高,根部最低;多糖类成分叶部最高,根部和茎部较低但二者含量相近。FTIR技术可以快速鉴别出鸡骨草与毛鸡骨草主要化学成分的差异,避免了用单一成分来衡量药材质量的优劣。     

T→0K下光频支声子-磁振子相互作用对磁振子衰减的影响

在二维复式正方Heisenber铁磁系统的基础上建立了磁振子-声子相互作用模型.利用松原格林函数理论研究了系统T→0K下的磁振子衰减,计算了布里渊区的主要对称点线上的磁振子衰减的变化曲线,比较了磁性离子的与非磁性离子的光频支声子对磁振子衰减的影响以及各项参数的变化对磁振子衰减的影响.发现光频支声子-磁振子耦合对磁振子衰减起主要作用,尤其是纵向光频支声子对磁振子衰减起更大的作用,并且非磁性离子的光频支声子对磁振子衰减的作用比磁性离子的光频支声子对磁振子衰减的作用更显著.根据关系式-Im∑*(1)(k)=/(2τ)可以对磁振子寿命和磁振子线宽进行判断.