低温下三角绝缘铁磁体的磁振子软化

在二维绝缘铁磁系统基础上建立了一个磁振子声子相互作用模型.利用格林函数方法研究了磁振子声子相互作用下的三角绝缘铁磁体的磁振子谱,计算了布里渊区的Λ线上的磁振子色散曲线.发现在布里渊区边界区域磁振子谱的软化和磁振子谱线增宽最明显.比较了纵向声子与横向声子对磁振子谱的软化与磁振子谱线增宽的影响,也讨论了各项参数,以及温度的变化对磁振子谱的软化与磁振子谱线增宽的影响.     

微通道板离子壁垒膜及其对入射离子的阻止作用

给出了三代微光像管中微通道板离子壁垒膜对入射正离子阻止作用的描述,引进了核阻止本领、电子阻止本领和平均射程的概念。结合Tomas-Fermi屏蔽势进行了分析讨论和Monte-Carlo模拟计算,给出Al₂O₃和SiO₂薄膜对不同能量垂直入射时的核、电子阻止的定量结果。得出了Al₂O₃薄膜阻止本领比SiO₂阻止本领高的结论。证实了选用Al₂O₃离子壁垒膜的科学性和可行性。     

葛根素衍生物的合成、表征及衍生化反应机理

合成了葛根素的7,4'-二丙基(Ⅰ), 7-单丙基(Ⅱ)和4'-单丙基(Ⅲ)三种取代衍生物. 其中7-丙基葛根素Ⅱ属于新型取代衍生物; 变温1H NMR和理论计算结果表明, 在300 K时, 葛根素和4'-丙基葛根素(Ⅲ)以单一构型存在; 而7,4'-二丙基葛根素(Ⅰ)和7-丙基葛根素(Ⅱ)则存在两种核磁可分辨的旋转异构体, 当温度升至330 K时, 两种异构体可以相互转化; 通过对比分析葛根素及其衍生物脱质子产物的紫外可见吸收光谱并结合理论计算, 确定了A环上7位酚羟基比B环上4'位酚羟基先脱去质子, 并由此进一步阐明了葛根素衍生化反应机理以及在抗氧化作用中可能的活性位点和结构活性关系.     

饱和水泥试样被爆炸激波损伤破碎的尺度研究

利用水中爆炸冲击波使水泥试样损伤破坏,模拟爆炸采油时激波使岩石损伤开裂的现象。实验获得了适合本实验条件的激波峰压衰减规律pm8.2(W1/3/R)1.46,得知压碎区尺度为集中装药特征尺度的2～5倍、拉伸损伤区尺度为集中装药特征尺度的20～30倍,激波使水泥试样破碎、拉裂的能量占总能量的2%～7%。     

压电桁架作动器/传感器优化配置算法研究

针对自适应压电桁架结构振动控制,建立了作动器/传感器优化配置数学模型,并提出一种优化配置的新方法。为了减少结构分析次数,该方法将近似概念、对偶法和遗传算法相结合,首先采用多点近似技术建立原问题的序列近似问题,再对近似问题中的作动器/传感器位置离散变量和控制增益连续变量采用遗传算法和对偶方法分别寻优的分层优化策略。为了提高近似问题对原问题的逼近程度,本文提出一种适于离散变量结构优化的分段多点近似函数。算例表明本文方法能够以很少的结构分析次数得到最优解。     

FTIR法研究BCN薄膜的内应力

采用射频磁控溅射技术,用六角氮化硼和石墨为溅射靶,以氩气(Ar)和氮气(N₂)为工作气体,在Si(100)衬底上制备出硼碳氮(BCN)薄膜。利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)考察了不同沉积参数(溅射功率为80～130 W、衬底温度为300～500 ℃、沉积时间为1～4 h)条件下制备的薄膜样品。实验结果表明,所制备薄膜均实现了原子级化合。并且沉积参数对BCN薄膜的生长和内应力有很大影响,适当改变沉积参数能有效释放BCN薄膜的内应力。在固定其他条件只改变一个沉积参数的情况下,得到制备具有较小内应力的硼碳氮薄膜的最佳沉积条件：溅射功率为80 W、衬底温度为400 ℃、沉积时间为2 h。     

PcNi-VO2复合膜相变光谱特性研究

采用射频磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上沉积了高品质的VO2薄膜,并在其上旋涂了酞菁镍[C8H17O]8PcNi薄膜.通过XRD研究了VO2薄膜的微结构.利用红外光谱仪观察了PcNi/VO2复合膜相变前后光学性质的改变,发现PcNi膜在1.5～5.5 μm对VO2膜有增透作用,PcNi/VO2复合膜相对于VO2膜的热色性和相变温度都没有改变.预期PcNi/VO2膜比单一PcNi膜和VO2膜的光限幅能力会更强.     

分子印迹聚合物微球的制备及应用研究进展

球形分子印迹聚合物具有制备简单、使用方便；分子识别效率高且便于功能设计等优点，近年来成为分子印迹技术领域研究的热点之一。对球形分子印迹聚合物微球的制备及其应用研究进展作了较为详细的介绍。     

TiO2纳米微粒对PPV发光性能的影响

采用溶胶凝胶法制备了一系列PPV/TiO₂纳米复合膜,探讨了TiO₂纳米微粒对PPV发光性能的影响.研究发现,这些复合膜的发光性质依赖于TiO₂/PPV的质量比,.在TiO₂/PPV的质量比为1/9时,复合膜中的TiO₂微粒对PPV的荧光具有猝灭作用;当TiO₂/PPV的质量比为1/1时,复合膜中的TiO₂对PPV的荧光具有增强作用.通过FT-IR,UV-Vis,FL光谱和TEM探讨了复合膜微结构与其发光性质的关系.     

meso-四（4-（N-甲基吡啶基））卟啉TMPyP4与端粒DNA重复序列TTAGGG形成的G4结构的相互作用

通过圆二色谱、稳态吸收光谱、稳态荧光光谱和皮秒时间分辩荧光光谱研究了meso-四（4-（N-甲基吡啶基））卟啉（TMPyP4）与端粒DNA重复序列5＇-TTAGGG-3’形成的平行结构DNAG4的相互作用．稳态实验结果表明,二者之间的结合常数为1．29×10^6（mol／L）^-1,饱和结合数为3．将时间分辨荧光光谱应用到二者相互作用的研究中,推测了TMPyP4以插入和末端堆积两种方式与DNAG4相结合．当达到饱和结合时,一个TMPyP4分子插入到DNAG4结构层层之间,另外两个分子以末端堆积的方式结合到G4结构的两端．