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872.
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为减小多模干涉(Multimode Interference ,MMI)耦合器件的尺寸,提出一种多模波导宽度为指数型变化的Taper结构.理论分析了多模波导长度与该Taper结构的参量之间的关系.与已被用于减小MMI器件尺寸的抛物线型Taper结构相比,该结构可进一步减小器件的尺寸.就几种波导结构参量下的MMI耦合器,利用宽角光束传播法进行了数值模拟.结果表明,指数型MMI耦合器的性能与抛物线型MMI耦合器的性能类似.指数型Taper结构可以用于MMI器件以减小该类器件的尺寸. 相似文献
874.
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876.
通过若干范例阐述有关定积分的证明方法,总结定积分的证明规律,有助于拓展同学们的解题思路,从而提高学习定积分的兴趣. 相似文献
877.
本文通过恒电流沉积法在柔性覆铜基板上制备了具有纳米锥阵列结构的黑色镍层,制备的纳米锥镍的底部约为200 nm, 高度约为1 μm,且大小均一,分布致密。本文探讨了镍电沉积中电流密度和主盐浓度对纳米锥镍结构形貌的影响,结果表明低电流密度和高主盐浓度有利于纳米锥镍的形成。电沉积过程中保持镍离子的供应充足是锥镍结构产生的关键因素之一, 而高电流密度会影响镍离子浓度的浓差极化,从而影响锥镍的成核过程。温度、主盐浓度以及结晶调整剂的变化会导致镍颗粒的形貌发生圆包状和针锥状结构的相互转化。温度升高具有一定的细化晶粒作用,锥镍结构需要在大于50 oC的条件下生成。结晶调整剂能够改变沉积过程中的晶面择优生长,且可以调控镍晶粒的形貌,使得生成的锥结构分布均匀, 颗粒细致。结果表明,在4.0 mol·L-1 NH4Cl和1.68 mol·L-1 NiCl2·6H2O体系中沉积出分布均匀的纳米锥镍阵列结构。本文利用氯化铵作为纳米锥镍的晶体改性剂,通过分子动力学模拟理论上分析了NH4+在镍表面的吸附过程。计算结果表明镍不同晶面上NH4+吸附能的差异引起各晶面镍沉积速率的差异, 从而导致纳米锥镍阵列的形成。本文呢进一步结合形貌表征,提出了纳米锥镍阵列的电沉积生长的两步生长机理,包括前期的成核生长和后期的核生长过程,前期成核过程为优势生长,生成大量的晶核, 为锥镍的生长提供了生长位点,而后期的核生长过程表现为锥状镍核的择优生长, 最终形成完整均匀的锥镍阵列结构。本文制备的纳米锥镍结构还具有优异的亲水性和良好的吸光效果, 对于近紫外和可见光的吸收率大于95%, 具有较好的应用前景。 相似文献
878.
电弧法SrAl2O4:Eu2+长余辉发光陶瓷的制备及其光谱分析 总被引:17,自引:2,他引:15
采用电弧法制备出SrAl2O4:Eu^2+长余辉发光陶瓷,通过荧光光谱和激发光谱研究了它的发光和余辉特性,结果表明,陶瓷的发光衰减与多晶粉末磷光体相同,也是由初始的快衰减与后期的慢衰减的构成,但余辉的特征明显好于多晶磷光体,而且耐环境性能得到显著地改善。 相似文献
879.
假设X={Xt, Xτ, Pμ}是Rd中具有一般分支机制ψ与一般分支率函数A的超扩散.讨论当A满足什么条件时,Rd中有界光滑区域D的首出测度XτD具有绝对连续性. 相似文献
880.
IntroductionAcommonprobleminmathematicalmodelstophysicalphenomenaistheestimationofmodelparametersfromobserveddata .Inrecentyearsparameteridentificationmethodshavebeguntoofferaverypowerfulbridgebetweenexperimentalandanalyticalwork .Beforeproceedingonthe… 相似文献