TAI对鱼明胶介质中AgBr/I超细颗粒的保护作用

TAI(4 羟基6 甲基1, 3, 3a, 7 四氮茚)可以显著影响鱼明胶介质中AgBr/I超细颗粒的生长.红外光谱测量显示,其特征NH伸缩振动带消失,表明通过形成N Ag络合物, TAI吸附到AgBr/I超细颗粒表面上.紫外吸收光谱数据分析指出, TAI分子在AgBr/I超细颗粒上吸附状态与乳剂颗粒成熟过程有关,单位表面积最大吸附量及最高覆盖率均出现在物理成熟初期的5min时,可以认为,此时TAI与Ag之间形成了最适合于吸附的空间网状结构,延长物理成熟时间, TAI在AgBr/I超细颗粒上的吸附逐渐趋于平衡状态,其单位面积吸附量及覆盖率基本不变,分别在1. 3μmol/m2 和47% ~49%水平.TEM观察此时AgBr/I超细颗粒的平均粒径与粒径分布也基本不再变化,最大平均粒径也出现在物理成熟5min时.TAI存在下,乳剂颗粒的平均粒径及其生长速率均明显低于不含TAI的乳剂颗粒,表明TAI对在鱼明胶介质中生长的AgBr/I超细颗粒具有明显的保护作用.     

截断切割的最优方案

我们在充分分析问题的基础上,根据问题的条件和要求建立了模型,讨论了模型的推广,给出了截断切割问题的最优方案,回答了题目中所有问题,并且对模型进行了评价。 当成品长方体位于待加工长方体内部而没有公共面时,需要考虑的不同切割方式总数为P=720种。如果有公共面可类似计算。 从描述连续切割时长方体的形状变化过程出发,在深入研究了不同切割方式特征的基础上,我们建立了模型,并给出了求解方法,运用若干优势准则,只需考虑至多25种切割方式就可以找到最优切割方案。 对e=0的情形,我们得到了相当简明的最优切割准则:按成品长方体各面与待加工长方体对应面间加权距离的非增排列顺序进行切割。 按照“每次选择一个加工费用最少的待切割面进行切割”的准则进行切割,我们发现一般得不到最优解。并且,我们随机列举了80个例子进行比较,采用该方法得到的近似最优解与最优解的平均比值为1.0266。 对所给的数据,我们进行了实例验证,得到的计算结果如下: a)最小加工费用为f=374元,调整刀具次数均为n=3;b）最小加工费用为f=437.5元,调整刀具次数均为n=3; c)最小加工费用为f=540.5元,调整刀具次数n=3;d）当2e<2.5时有二种最优切割方案,此时调整刀具3次。 当e=2.5时有三种最优切割方案.当2.5相似文献   

圆内接四边形的两个性质

文[1]给出了圆内接四边形的一个性质:设ABCD为圆内接四边形,连对角线AC和BD,设△ABC的内心为E,△BCD的内心为F,△CDA的内心为H,则四边形EFGH是一个矩形.本文给出它的另外两个性质:     

微波促进5-芳亚甲基罗丹宁化合物的合成及晶体结构

以芳香醛和罗丹宁为原料,在乙酸钠/乙酸体系中经微波辐射反应得到一系列5-芳亚甲基罗丹宁,化合物结构经1H NMR和红外光谱确证。并对5-(4-硝基苯亚甲基)罗丹宁/四氢呋喃单晶进行了解析。     

新型氮杂异香豆素化合物的合成

以4-氯烟酸和芳基乙腈为原料,经取代和环合反应合成了3个新型的氮杂异香豆素化合物（3a~3c）,收率32.1%~89.0%,其结构经¹H NMR, IR, ESI-MS和元素分析表征。用X-单晶衍射研究了3a的亚甲基衍生物（4a）的晶体结构。4a(CCDC: 935 919)属三斜晶系,空间群P ī, 晶胞参数a=6.881(2) , b=9.768(2) , c=11.809(2) , β=104.125(10)°, V=732.1³, Dc=1.331 mg·cm^-3 , Z=2, F(000)=308, μ=0.090 mm^-1。并对环合反应机理进行了研究。     

EACVD摆动衬底空间流场有限元模拟研究

根据EACVD系统的实际几何特点和工艺参数建立了该系统的三维流场有限元模型,研究了衬底温度及摆动周期、热丝参数、进气口参数对衬底表面流场均匀性的影响.结果表明:衬底低速摆动情况下摆动周期的变化对衬底表面流场的分布没有影响,衬底温度,热丝参数,进气口参数对衬底表面流场都有一定的影响,其中,热丝的排列方式以及进气口气体流量对衬底表面流场的影响最大.最后,采用一组优化的沉积参数进行金刚石膜衬底表面流场的仿真计算,结果表明:采用优化的沉积参数可以使衬底表面气体流速和流场的均匀性都得到很大提高,此研究结果为制备高质量金刚石膜提供理论依据.     

High-efficiency InGaN/AlInGaN multiple quantum wells with lattice-matched AlInGaN superlattices barrier

A new approach to fabricating high-quality AlInGaN film as a lattice-matched barrier layer in multiple quantum wells(MQWs) is presented. The high-quality AlInGaN film is realized by growing the AlGaN/InGaN short period superlattices through metalorganic chemical vapor deposition, and then being used as a barrier in the MQWs. The crystalline quality of the MQWs with the lattice-matched AlInGaN barrier and that of the conventional InGaN/GaN MQWs are characterized by x-ray diffraction and scanning electron microscopy. The photoluminescence(PL) properties of the InGaN/AlInGa N MQWs are investigated by varying the excitation power density and temperature through comparing with those of the InGaN/GaN MQWs. The integral PL intensity of InGaN/AlInGaN MQWs is over 3 times higher than that of InGaN/GaN MQWs at room temperature under the highest excitation power. Temperature-dependent PL further demonstrates that the internal quantum efficiency of InGaN/AlInGaN MQWs(76.1%) is much higher than that of InGaN/GaN MQWs(21%).The improved luminescence performance of InGaN/AlInGaN MQWs can be attributed to the distinct reduction of the barrier-well lattice mismatch and the strain-induced non-radiative recombination centers.     

奈韦拉平的制备工艺

以2-氯烟酸和2-氯-3-氨基-4-甲基吡啶为起始原料合成中间体I;然后通过氨化和环化反应,在微通道反应器中连续化合成奈韦拉平中间体II和奈韦拉平;在合成中间体II的反应中考察反应温度、反应物料摩尔比和气体流速对反应的影响;合成奈韦拉平的反应中重点考察反应温度对反应的影响。结果表明: 合成中间体II的最佳工艺条件为反应温度为90℃,物料摩尔比n(中间体I)/n(环丙胺)=1/1.2,氮气流速为25mL/min为最佳;合成奈韦拉平的最佳工艺条件是反应温度为110℃。在最佳工艺条件下,中间体II的转化达到率为 99.5%以上,选择性为 99%以上。      

四边形面积的最大值问题

给定一个四边形,其边长分别为a,b,c,d,在保持各边长度不变的情况下,这个四边形的形状是可以改变的．当它的形状改变时,其面积也相应的改变．本文讨论,在四边形形状改变的过程中（本文仅讨论凸四边形）,什么情况下它的面积有最大值？     

基于先进生物材料的心肌细胞力–电微环境体外构建

心血管疾病是当前全球范围内导致人类死亡的首要原因,心肌组织工程的发展为心血管疾病的治疗,尤其是心肌组织再生修复提供了最有潜力的解决方案.心血管疾病的发生发展与细胞力–电微环境的变化密切相关.近十几年,随着先进生物材料和微纳生物制造技术的发展,越来越多的研究表明,细胞力–电微环境的调控对工程化心肌组织的成熟和功能化以及心肌组织再生修复具有重要意义.本文首先阐明了在体心肌细胞所处力学微环境的生物学基础以及电信号的传导过程,包括正常和疾病状态下心肌细胞所处的力–电微环境.其次调研了用于心肌组织工程的先进生物材料的研究现状.最后总结用于基底硬度与应力应变细胞微环境以及细胞电学微环境的构建和调控,以及细胞对力–电微环境的生物学响应.