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111.
建立了使用AE. Lichrom AM 1手性色谱柱(250 mm×4.6 mm, 5 μm)直接拆分含有双手性中心的β-氨基酮类化合物的4个旋光异构体的方法。考察了流动相的极性大小、洗脱方式及流速等因素对异构体拆分的影响,确定了分离β-氨基酮类化合物异构体的最佳分离条件: 流动相为正己烷/异丙醇,洗脱模式为二元高压梯度洗脱,流速为1 mL/min。在上述色谱条件下,完成了4种含双手性中心的β-氨基酮类化合物的4个旋光异构体的基线分离(Rs>1.5)。结果表明该方法可快捷、简便地分离双手性中心β-氨基酮类化合物的4个旋光异构体。 相似文献
112.
本文利用过渡金属的亲硫性,通过Cp*-W(CO)3Cl(Cp*=C5H5,C5H4CH3)与HFe2Co(CO)9(μ3-S)反应,得到四种含硫异核金属羰基原子簇化合物Cp*WFeCo(CO)8(μ3-S)(Cp*=C5H5,Ⅰ-a;Cp*=C5H4CH3,Ⅱ-a),(Cp*W)2Fe(CO)7(μ3-S)(Cp*=C5H5,Ⅰ-b;Cp*=C5H4CH3,Ⅱ-b)。对合成的簇合物进行了IR,1H/13C-NMR,C/H及金属分析,并对Ⅰ-a进行了X-射线单晶结构分析。 相似文献
113.
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石(α-Al2O3)衬底上外延生长了铝镓铟氮(AlGaInN)四元合金薄膜.合金薄膜的生长温度设置为800,850,900 ℃,对获得的样品进行对比分析发现:随着生长温度的升高,合金中的In组分单调降低,而Al组分则基本保持恒定.当合金薄膜的生长温度升高到850 ℃时,薄膜表面开始出现V型缺陷;生长温度进一步升高到900 ℃时,偏析In原子的脱吸附作用加剧,V型缺陷成核被弱化,使V型缺陷的特征尺
关键词:
AlGaInN
金属有机物化学气相沉积
生长温度 相似文献
114.