全文获取类型
收费全文 | 6810篇 |
免费 | 2033篇 |
国内免费 | 2757篇 |
专业分类
化学 | 4493篇 |
晶体学 | 177篇 |
力学 | 648篇 |
综合类 | 337篇 |
数学 | 1520篇 |
物理学 | 4425篇 |
出版年
2024年 | 55篇 |
2023年 | 198篇 |
2022年 | 295篇 |
2021年 | 243篇 |
2020年 | 214篇 |
2019年 | 235篇 |
2018年 | 258篇 |
2017年 | 246篇 |
2016年 | 249篇 |
2015年 | 263篇 |
2014年 | 474篇 |
2013年 | 325篇 |
2012年 | 346篇 |
2011年 | 339篇 |
2010年 | 358篇 |
2009年 | 413篇 |
2008年 | 411篇 |
2007年 | 386篇 |
2006年 | 453篇 |
2005年 | 432篇 |
2004年 | 396篇 |
2003年 | 350篇 |
2002年 | 293篇 |
2001年 | 317篇 |
2000年 | 308篇 |
1999年 | 348篇 |
1998年 | 301篇 |
1997年 | 342篇 |
1996年 | 274篇 |
1995年 | 296篇 |
1994年 | 272篇 |
1993年 | 271篇 |
1992年 | 261篇 |
1991年 | 260篇 |
1990年 | 193篇 |
1989年 | 170篇 |
1988年 | 101篇 |
1987年 | 84篇 |
1986年 | 94篇 |
1985年 | 79篇 |
1984年 | 87篇 |
1983年 | 75篇 |
1982年 | 62篇 |
1981年 | 32篇 |
1980年 | 24篇 |
1979年 | 16篇 |
1978年 | 11篇 |
1965年 | 9篇 |
1958年 | 9篇 |
1957年 | 9篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
62.
63.
电子束蒸发a—Si1—xGdx薄膜的光吸收 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at%相似文献
64.
65.
66.
67.
68.
Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation 下载免费PDF全文
Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved. 相似文献
69.
70.
运用舍时密度泛函理论和局域密度近似方法,计算了水分子H2O在速度为12.5a0/fs的重离子C^+和C^2+作用下产生的各种电荷态的水分子离子的几率,平均逃逸电子敷和偶极矩的变化随时间的演化,计算结果表明,在重离子势最大时,电偶极矩的变化最大;重离子远离分子时,重离子的电荷态越高,产生高电荷态分子的几率反而越小。 相似文献