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拓扑缺陷的不同分布对单壁碳纳米管电学性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在紧束缚近似基础上,利用扩展的Su-Schriffer-Heeger(SSH)模型,在实空间研究了在完整的"zigzag"碳纳米管中分别引入5/7,5/6/7,5/6/6/7拓扑缺陷所构成的(9,0)-(8,0),(9,0)-(7,0)和(9,0)-(6,0)三种异质结的电学性能.通过研究表明:这些拓扑缺陷不仅改变碳管的直径,而且支配费米能级附近的电学行为.并计算了(9,0)-(8,0),(9,0)-(7,0)和(9,0)-(6,0)系统的电子态密度,对这3种异质结的能带结构和电子态密度进行了比较.结果表明:五边形和七边形在碳管中分布的不同对碳管电学性能的影响明显不同.因此,可以研制出基于这些异质结的不同的电子器件基元. 相似文献
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A coarse-grained molecular dynamics simulation model was developed in this study to investigate the friction process occurring between Fe and polytetrafluoroethylene(PTFE).We investigated the effect of an external load on the friction coefficient of Fe–PTFE using the molecular dynamics simulations and experimental methods.The simulation results show that the friction coefficient decreases with the external load increasing,which is in a good agreement with the experimental results.The high external load could result in a larger contact area between the Fe and PTFE layers,severer springback as a consequence of the deformed PTFE molecules,and faster motion of the PTFE molecules,thereby affecting the friction force and normal force during friction and consequently varying the friction coefficient. 相似文献
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ICP等离子体鞘层附近区域发光光谱特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
为了独立控制鞘层附近区域离子密度和离子能最分布,采用光发射谱(OES)测量技术,对不同射频功率、放电气压和基底偏压下感应耦合等离子体鞘层附近区域辉光特性进行了研究.原子谱线和离子谱线特性分析表明,在鞘层附近区域感应耦合等离子体具有较高的离子密度和较低的电子温度.改变放电气压和射频功率,对得到的光谱特性分析表明,鞘层附近区域离子密度随射频功率的增大而线性增大,在低压下随气压的升高而增大.低激发电位原子谱线强度增加迅速,高激发电位原子谱线强度增加缓慢,而离子谱线强度增加很不明显.改变基底直流偏压,对得到的发射光谱强度变化分析表明,谱线强度随基底正偏压的增加而增大.随着基底负偏压的加入,谱线强度先减小而后增大;直流偏压为-30 V时,光谱强度最弱.快速离子和电子是引起Ar激发和电离过程的主要能量来源. 相似文献
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第Ⅱ类三态叠加多模叠加态光场等幂次2m+1次方Y压缩 总被引:2,自引:0,他引:2
构造了由多模虚相干态|{iZj}>q、多模虚相干态的相反态|{-iZj}>q和多模真空态|{Oj}>q这三种不同的量子光场态的线性叠加所组成的第Ⅱ类三态叠加多模叠加态光场|ψ2(3)>q.利用多模压缩态理论,研究了态|ψ2(3)>q的广义非线性等幂次2m+1次方Y压缩特性.结果发现:在压缩次数N=2m+1(m=0,1,2,3,…,…)的条件下,只要各模的初始相位和态间的初始相位差分别满足一定的取值条件,态|ψ2(3)>q就可呈现出周期性变化的、任意奇数次的广义非线性等幂次N次方Y压缩效应. 相似文献