非相对论BUU近似下的横动量分析

由不同有效质量m^*/m与压缩系数K所标示的平均场的非相对论BUU计算,研究了横动量的产生机制,并讨论了m^*/m和K对横动量等的影响.发现横动量对K的依赖不太灵敏,但对m^*/m却十分灵敏.     

电子束蒸发a—Si1—xGdx薄膜的光吸收

研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at％相似文献   

数理教育工作者应该协同工作

在教了几乎20年数学之后，我最近决定学习并执教物理．     

计算二聚体系平衡常数的新方法

本文利用一些数学变换技巧,首次给出了关于二聚平衡常数方程组的精确解。根据排列组合原理,设计一个计算程序对一组实验数据可能形成的所有方程组求得的解进行平均,以消除实验误差的影响。用本方法算出二磺化和三磺化酞菁的平衡常数分别为0.75×10~6和0.92×10~5,表明溶解性越大,二聚程度越小。     

纯量反馈系统同时强镇定的充分条件

一个稳定的补偿器可同时镇定n个对象(同时强镇定)等价于一个补偿器(不一定稳定)同时镇定n 1个对象(同时镇定)．两个以上对象的同时强镇定和三个以上对象的伺时镇定是线性系统中一个急待解决的公开问题．文中所作的基本假定是所有的对象具有相同的简单不稳定零点，在此条件下给出了n个对象同时强镇定的一个充分条件．当仅有一个不稳定零点时．容易检验是否同时强镇定，否则仅需确定n个对象的不稳定零点并且判定由不稳定零点导出一个相应矩阵是正定的，就能判定n个对象同时强镇定．因此是一个易于检验的充分条件．文章同时给出了n个对象同时强镇定的算法，丰富了同时强镇定的充分条件．     

光辅助超高真空CVD系统制备SiGe异质结双极晶体管研究

介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积(UHVCVD)和超低压化学汽相淀积(ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积(CVD)工艺系统,简称U³CVD系统.应用该系统,在450℃低温和10^-7Pa超高真空环境下研制出了硅锗(SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)材料.实验表明,该系统制备的SiGe HBT材料性能良好.     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.     

怀念张子高教授

我的父亲张准,字子高,1886年出生在湖北省枝江县一个沿长江的小镇——董市。十九世纪八十年代到1911年辛亥革命这个阶段,正是腐败的清王朝在内忧外患下步入它的末期。整个社会风气败坏至极,有识之士无不认识到唯一的出路只有彻底的变革。在澎湃