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单个血小板的拉曼光谱分析 总被引:3,自引:0,他引:3
利用波长为785 nm的激光束构建光镊拉曼光谱系统,俘获悬浮在生理盐水中的人和三种动物(家猪、大鼠、家兔)的单个血小板,激发并收集其拉曼光谱。单个血小板的平均拉曼光谱信号清楚地反映了血小板的生化组成特点,人血小板的拉曼光谱与三种动物的明显不同,1 524 cm-1是人类血小板所特有的拉曼信号峰,而1 157 cm-1在人类中显著高于三种动物的,人类血小板的平均I1 157/ I1 003为0.795,而家猪、大鼠、家兔的分别为0.532,0.502,0.485。多元统计分析结果显示,不同物种血小板的拉曼信号落入不同的空间,可以判别区分。上述结果表明,单个血小板的拉曼光谱基本反映了血小板的主要组成成分,结合多元统计分析可以用于辨别不同的物种的血小板,光镊拉曼光谱系统是实时研究细胞生理、生化变化的快速简便而有效的工具。 相似文献
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Synchronization of different chaotic systems via active radial basis functions sliding mode controller
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This paper presents a new method to synchronize different chaotic systems with disturbances via an active radial basis function (RBF) sliding controller. This method incorporates the advantages of active control, neural network and sliding mode control. The main part of the controller is given based on the output of the RBF neural networks and the weights of these single layer networks are tuned on-line based on the sliding mode reaching law. Only several radial basis functions are required for this controller which takes the sliding mode variable as the only input. The proposed controller can make the synchronization error converge to zero quickly and can overcome external disturbances. Analysis of the stability for the controller is carried out based on the Lyapunov stability theorem. Finally, five examples are given to illustrate the robustness and effectiveness of the proposed synchronization control strategy. 相似文献
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Effect of double AlN buffer layer on the qualities of GaN films grown by radio-frequency molecular beam epitaxy
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This paper reports that the GaN thin films with Ga-polarity and high quality were grown by radio-frequency molecular beam epitaxy on sapphire (0001) substrate with a double A1N buffer layer. The buffer layer consists of a high-temperature (HT) A1N layer and a low-temperature (LT) A1N layer grown at 800℃ and 600℃, respectively. It is demonstrated that the HT-A1N layer can result in the growth of GaN epilayer in Ga-polarity and the LT-A1N layer is helpful for the improvement of the epilayer quality. It is observed that the carrier mobility of the GaN epilayer increases from 458 to 858cm^2/V.s at room temperature when the thickness of LT-A1N layer varies from 0 to 20nm. The full width at half maximum of x-ray rocking curves also demonstrates a substantial improvement in the quality of GaN epilavers by the utilization of LT-A1N layer. 相似文献
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在600℃下,以丁烷:C~(14)标记丁烯-1:氮=1∶1∶12(体积比)的混合气体为原料,用示踪动力学方法求得了在铬-铝、钾-铬-铝、钠-铬-铝三种催化剂氧化态和还原态时下图中示出的脱氢反应各单段的反应速度. 结果表明,在所考察的不同催化剂上,虽然各单段的反应速度有明显的政变,但r1和r3都显著地大于r2,这表明丁烷脱氢基本上按串行历程进行.无论是在氧化态还是在还原态下,钾-铬-铝催化剂上的r1,r2和r3均比在铬-铝催化剂上的为高,而钠加入铬-铝中只r3有少许提高,r1却反受到抑制.同一种催化剂在氧化态下各段的反应速度也相应地较还原态下有不同程度的增加. 根据以上结果,还对丁烯的吸附态和脱氢中心的价态作了初步讨论. 相似文献
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