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151.
152.
本文提供的基础定理可用于各类无界最优控制问题。我们已将之用于快速控制问题、二次不定判据最优控制问题和固定时间的一般指标无界最优控制问题。  相似文献   
153.
The ground state energy curves of one-dimensional &function interacting bose and fermi gas are fitted with simple algebraic approximations according to their asymptotic behaviors.  相似文献   
154.
研究了不同前处理条件对食品中3种防腐剂回收率的影响。在单因素实验基础上,以乙醇用量、浓硫酸用量和衍生温度为影响因素,应用Box-Benhnken响应面优化试验分析3种防腐剂回收率。结果表明,最佳衍生条件:浓硫酸1.0 m L,乙醇2.5 m L,在90℃下衍生15 min。在此条件下,山梨酸、苯甲酸和肉桂酸实测回收率分别为91.8%,90.8%,95.0%,与RSM模型预测值无显著性差异。  相似文献   
155.
150keV和195keVAr离子室温下辐照非晶态合金(Co94Fe4Cr2)78Si8B14,表表面发泡和溅射腐蚀是两种主要的表面损伤过程.针孔出现较表面发泡要晚,它的密度随剂量增加迅速地增加,并且在一定的辐照剂量时趋向饱和,这时,一种多孔粗糙的表面损伤结构形成.针孔的形成影响了表面发泡,导致了发泡密度随剂量增加急剧地减小.用溅射和气泡破裂解释了针孔形成和在高剂量时趋向饱和的原因.  相似文献   
156.
Si wafers with a 220 nm top oxide layer were sequentially implanted at room temperature with 40 keV He and 35 keV H ions at fluence of 5× 1016/cm2 and 1× 1016/cm2, respectively. Techniques of scanning electron microscopy, atomic force microscopy and cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) were used to characterize the thermal evolution of surface damage as well as defect microstructures. Surface blisters as well as the localized exfoliation (~ 0.42 μm in depth) have been observed for samples annealed at temperatures of 500 ℃ and above. XTEM observations reveal a variety of defect microstructures, including cavities, platelets, nanometer or micrometer sized cracks and dislocations. The platelets and cracks are mainly distributed at the depth of about 0.42 μm parallel to the sample surface, which are responsible for the occurrence of the observed surface features. The relations between surface damage and defect microstructures are described in detail.  相似文献   
157.
液滴碰撞Janus颗粒球表面的行为特征   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
为研究液滴碰撞Janus颗粒(双亲性)球表面的独特行为特征,以粒径为5.0 mm铜球为材料制备了Janus颗粒,用直径为2.0 mm的液滴,在韦伯数(We)为2.7,10,20,30的测试情况下对Janus颗粒球表面进行了碰撞实验.结果表明:液滴碰撞Janus颗粒球表面后的运动可分为铺展、回缩、振荡和回弹4个过程.在不...  相似文献   
158.
二维约瑟夫森结阵列中的相变及噪声频谱研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
吴炳国  赵志刚  尤育新  刘楣 《物理学报》2007,56(3):1680-1685
采用电阻分路(RSJ)模型,运用数值计算方法研究二维约瑟夫森结阵列的涡旋度,涡旋密度涨落随温度的变化,表明了超导阵列中存在KTB型相变.还研究了相变点附近的涡旋噪声频谱随温度、驱动电流变化的特性.计算结果与最近实验报导定性一致,并能用涡旋的运动图像来解释噪声频谱的变化规律. 关键词: 高温超导 噪声频谱 约瑟夫森结阵列 KTB相变  相似文献   
159.
研究了InP基InGaAsSb外延材料受生长温度和Ⅴ/Ⅲ比的影响。实验中利用高能电子衍射(RHHEED)监测获得了合适的生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,采用扫描电子显微镜 (SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线双晶衍射(XRDCD)和光致发光(PL)谱等方法研究了InGaAsSb薄膜材料的表面形貌、结晶质量和发光特性。通过控制生长温度和Ⅴ/Ⅲ比,获得了X射线衍射峰半峰全宽较窄的高质量的外延材料。  相似文献   
160.
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