氮碳共渗高碳当量灰铸铁摩擦学特性研究

对高碳当量灰铸铁进行了低温氮碳共渗处理,考察了干滑动摩擦条件下不同载荷和摩擦时间对未处理高碳当量灰铸铁和氮碳共渗高碳当量灰铸铁的滑动摩擦学特性影响.研究结果表明:未处理高碳当量灰铸铁在不同载荷下的磨损类型均为黏着磨损,低载荷下伴有轻微的磨粒磨损,高载荷下则伴有严重的磨粒磨损;氮碳共渗高碳当量灰铸铁在低载荷下的磨损为轻微的黏着磨损,高载荷下除了黏着磨损外还伴有轻微的磨粒磨损.     

二维硫化钼基原子晶体材料的化学气相沉积法制备及其器件

二维过渡族金属硫属化合物因其带隙具有强烈的层数依赖性而在电子器件方面具有广泛的应用前景.其中单层二硫化钼(MoS₂)是该系列材料中最典型的一种直接带隙半导体,它具有优异的光、电、磁、热和力学性能.二维MoS₂有望在光电探测、光伏器件、场效应晶体管、存储器件、谷电子和自旋器件、温差电器件、微纳机电器件和系统等方面得以广泛应用.化学气相沉积(CVD)法已成为制备二维过渡族金属硫属化合物如MoS₂、MoSe₂、WS₂和WSe₂等原子层薄膜的主要手段,尤其科学界利用CVD法对二维MoS₂材料进行了深入的制备探索,通过该方法制备的MoS₂薄膜在电子和光电器件方面已经有广泛研究.本文将从二维MoS₂的基本物性出发,详细介绍CVD法制备MoS₂的各种工艺过程,如热分解硫代硫酸盐法、硫化Mo(MoO_3-x)薄膜制备法、MoO_3-x粉体与硫属前驱体气相合成法和钼箔表面直接硫化法,并介绍了基于MoS₂的二维异质结构筑方法.在制备材料的基础上,详细阐述了二维MoS₂在场效应晶体管、光电探测器、柔性电子器件以及异质结器件方面的应用,并展望了二维材料在半导体器件中的应用前景.     

涡流管冷却的旋转晶体窗口有限元分析

 采用有限元分析方法,考虑到输出窗口在空间上的分布不均匀性,对白宝石、石英晶体窗口在光强分布均匀/不均匀、有/无冷却、是否旋转等各种情况下的温度场进行了分析和讨论。结果表明：当光强分布不均匀时,采用旋转方法能有效地减小温度场的不均匀性;当对输出窗口进行强迫冷却时,输出窗口温度场不均匀性明显减小。因此采用涡流管冷却的旋转晶体窗口能有效改善输出窗口的输出特性。     

低能离子在C60薄膜中引起的辐照效应

用Raman(拉曼)散射技术分析了120keV的H,Ar和Fe离子在C₆₀薄膜中引起的辐照效应,主要指由晶态向非晶态的转变.分析结果表明,在Fe和Ar离子辐照的C₆₀薄膜中,核碰撞主导了由晶态向非晶态的转变过程.而在H离子辐照的情况下,电子能损起主导作用,并发现在H离子辐照过程中,电子能损有明显的退火效应,致使由晶态向非晶态转变的过程中,经历了一个石墨化的中间过程.     

高能Ar离子辐照PET引起的光吸收变化研究

采用紫外–可见光吸收技术分析和研究了35MeV/uAr离子辐照聚酯膜引起的光吸收改性.结果表明,Ar离子轰击聚酯膜时引起了碳键的共轭体系形成,从而导致了紫外–可见光区域中光吸收明显增加,光吸收增加的幅度依赖于离子的照射剂量、离子在样品中的平均电子能量损失以及光的波长,剂量越高,电子能损越大,光吸收增幅越大;而光的波长越长,光吸收的增加则越不明显.利用测量到的光吸收曲线,同时还定量地研究了各种辐照条件下聚酯膜的光能隙和碳原子团的尺寸.     

红外光吸收研究35MeV/u Ar离子辐照半晶质聚酯膜引起的效应

35MeV/u Ar离子在室温下辐照了多层堆叠的半晶质聚酯膜,采用傅立叶转换的红外光吸收技术分析和研究了由辐照引起的化学键断裂及其对离子剂量、离子在样品中的平均电子能量损失和吸收剂量的依赖性.结果表明,辐照导致聚酯膜中发生了明显的化学键断裂,断键过程主要发生在反式构型的乙二醇残留物和苯环的对位上,苯环的基本结构在辐照中变化较小.断键不仅强烈地依赖于离子的照射剂量,而且还跟样品中电子能量沉积密切相关,明显的断键发生在4.0MGy以上的吸收剂量.     

聚合物材料的快重离子辐照效应

简要介绍了快重离子辐照损伤的特点,通过与低电离辐射粒子辐照在聚合物材料中产生的效应的类比论述了快重离子辐照在聚合物材料中产生的效应及其研究现状 ,并结合快重离子辐照效应的应用展望了该领域未来的发展.The irradiation effects in polymers induced by swift heavy ions were reviewed in comparison with that induced by low ionization particles based on the characteristics of swift heavy ion irradiations. It is shown that bond breaking and cross linking, gas releasing, amorphization and carbonization of polymers depend strongly on the electronic energy loss. Besides special effects such as alkynes production, can be induced under swift heavy ion irradiation. The perspectives...     

离子辐照单晶Si损伤效应的研究

回顾了低能离子注入单晶Si经由核弹性碰撞引起的损伤特征及其常规的研究方法,介绍了快重离子辐照单晶Si经由电子能损引起的损伤特点及研究现状,并对该领域的研究作了展望. The radiation damage in silicon induced by low energy ion implantation was briefly reviewed together with a short introduction to the common techniques in the area. The damage characteristics of swift heavy ion irradiation in silicon and its investigations were introduced with emphasis on the effects induced by processes of electronic energy losses. It is shown that swift heavy ion can induce defects far beyond the projected range and up to 28 MeV/μm the electronic energy ...     

W/O型微乳法制备淀粉基纳米粒

在正己烷、Span-60和NaOH水溶液的W／O型淀粉微乳液中,进行淀粉与环氧氯丙烷交联反应制备淀粉微球,用质量分数为1％的淀粉水浆液制备出微球的流体力学半径Rb为7．08—113nm,其中粒径不超过100nm的纳米粒在整个微粒体系中占69％,平均粒径为92．2nm。TEM和DLS结果表明,制得的微粒呈圆球形,且微粒的流体力学半径随淀粉水浆液浓度的增加而增大并分布变宽,淀粉水浆液的浓度低有利于淀粉基纳米粒的形成。     

磺酰脲类除草剂噻磺隆的非光气法合成

除草剂;磺酰脲类除草剂噻磺隆的非光气法合成