全文获取类型
收费全文 | 74篇 |
免费 | 37篇 |
国内免费 | 46篇 |
专业分类
化学 | 35篇 |
晶体学 | 5篇 |
力学 | 7篇 |
数学 | 26篇 |
物理学 | 84篇 |
出版年
2023年 | 1篇 |
2022年 | 3篇 |
2021年 | 4篇 |
2020年 | 2篇 |
2019年 | 5篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 6篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 5篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 6篇 |
2011年 | 7篇 |
2010年 | 10篇 |
2009年 | 3篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 7篇 |
2006年 | 6篇 |
2005年 | 6篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 2篇 |
2002年 | 7篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 13篇 |
1999年 | 4篇 |
1998年 | 2篇 |
1997年 | 3篇 |
1996年 | 2篇 |
1994年 | 2篇 |
1992年 | 1篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 1篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 7篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 2篇 |
1956年 | 1篇 |
1955年 | 1篇 |
排序方式: 共有157条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
102.
室温下将130 keV,5x1014 cm-2 B离子和55 keV,1x1016 cm-2 H离子单独或顺次注入到单晶Si中,采用横截面试样透射电子显微镜(XTEM)和慢正电子湮没技术(SPAT) 研究了离子注入引起的微观缺陷的产生及其热演变。XTEM观测结果显示,B 和H 离子顺次注入到单晶Si 可有效减少(111) 取向的H板层缺陷,并促进了(100) 取向的H板层缺陷的择优生长。SPAT 观测结果显示,在顺次注入的样品中,B 离子平均射程处保留了大量的空位型缺陷。以上结果表明,B离子本身及B 离子注入所产生的空位型缺陷对板层缺陷的生长起到了促进作用。Abstract:Cz n-type Si (100) wafers were singly or sequentially implanted at room temperature with 130 keV B ions at a fluence of 5x1014 cm-2 and 55 keV H ions at a fluence of 1x1016 cm-2. The implantation-induced defects were investigated in detail by using cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) and slow positron annihilation technique (SPAT). XTEM results clearly show that sequential implantation of B and H ions into Si could eliminate the (111) platelets and promote growth of (100) platelets during annealing. SPATmeasurements demonstrate that in B and H sequentially implanted and annealed Si, more vacancy-type defects could remain in sample region around the range of B ions. These results indicat e that the promotion effect shouldbe attributed to the role of both B and B implanted induced vacancy-type defects. 相似文献
103.
150keV Ar离子辐照非晶态合金Fe39Ni39Mo2Si12B8、Fe40Ni40Si12B8、Fe39Ni39V2Si12B8、Fe77Cr2Si5B16和Fe78Si10B12,用扫描电子显微镜(SEM)观测研究了表面损伤形貌剂量变化的过程.低剂量时表面发泡形成.发泡随剂量增加受到溅射腐蚀,表面形成坑洞或针孔,针孔密度随剂量增加而增加,高剂量时,表面损伤以溅射为主,溅射对表面的腐蚀导致多孔粗糙的表面损伤结构建立,并且这些结构与靶材料有着密切的关系. 相似文献
104.
从中央电视台看到有关奥运知识有奖竞猜节目受到启发,我突发奇想,组织类似的化学课外“有奖问答”活动是完全可能的。于是,经过紧张的筹备工作,化学“有奖问答”活动终于成为现实。 时间:某日第八节课。 地点:学校课外活动室(那里有现成的电子时、记分器及抢答器)。 相似文献
105.
新型含异噁唑环醚菊酯的合成及生物活性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
4异丙基 3 取代苯基 5 羟基异唑和 3 苯氧基苄基溴为原料 ,三乙胺为缚酸剂 ,设计并合成了 1 4个未见报道的 4 异丙基 3 取代苯基 5 异唑基 (3′ 苯氧基 )苄基醚。通过红外光谱、核磁共振、元素分析等手段 ,确证了它们的化学结构。初步的试验表明 ,其中 9个异唑醚菊酯化合物具有较强的生物活性 ,为新型拟除虫菊酯的创制提供了参考依据。Fourteennewpyrethroidscontainingisoxazoleweredesignedandsynthesizedfrom 4 isopropy1 3 subs… 相似文献
106.
采用在线热裂解/气相色谱-质谱(Py/GC-MS)联用技术对3-吡啶甲酸茴香酯进行热裂解分析。通过酰氯化和酯化反应合成了新型目标化合物3-吡啶甲酸茴香酯,其分子式为C14H14NO3。目标化合物的结构经核磁氢谱(1H NMR)、核磁碳谱(13C NMR)、红外光谱(IR)和高分辨质谱(HRMS)进行确证,并通过热重-微热重-差示扫描量热(TG-DTG-DSC)分析方法对目标化合物的热稳定性进行分析。在空气氛围中,将目标化合物分别于300,600,900℃下进行热裂解,并通过气相色谱-质谱法对其挥发性热裂解产物进行定性和半定量分析。研究显示:目标化合物共经历了两次失重过程。第一次失重在129.9~158.9℃之间,失重2.3%;第二次失重在158.9~274.9℃之间,失重达90.1%,230.1℃时失重率最大。热裂解共产生44种产物,包括具有香味特征的大茴香醛、对甲基苯酚、松油醇、D-香茅醇、大茴香醚和茴香醚等化合物。其中裂解温度对裂解产物的种类和相对含量具有明显影响。300℃时α-二去氢菖蒲烯的相对含量最高,600,900℃时,相对含量最高的分别是大茴香醛和对甲基苯酚。苯甲醛、茴香醚和大茴香醚的相对含量随着温度的升高呈先增加后降低趋势;而对甲基苯酚含量则随着温度的升高而增加。根据主要裂解产物及其相对含量的变化,对目标化合物的裂解机理进行了初步探讨。 相似文献
107.
采用纤维素-三(4-甲基苯甲酸酯)手性固定相,利用反相高效液相色谱法研究了奥沙西泮、吡格列酮和罗格列酮3种含氮杂环类手性药物的色谱拆分行为.考察了流动相组成、pH值和柱温对3种药物对映体分离的影响,并对其拆分机理进行了探讨.结果表明,采用甲醇-水为流动相,通过添加醋酸或氨水调节pH值和控制柱温,可使3种药物的对映体得到完全分离(Rs>1.5),根据各自优化的色谱条件建立了这3种手性药物对映体的分析方法,并应用于其制剂的含量测定,方法简单、可靠. 相似文献
108.
光纤激光是继气体激光、化学激光和固体激光之后的新一代激光技术,是近年来世界各国科学研究的热点领域。制约光纤激光功率提升的主要技术瓶颈是系统集成技术和光纤材料制备技术。目前,我国科研工作者成功掌握了千瓦级光纤激光系统集成技术并实现了产业化,但是所用的光纤激光材料与核心器件还严重依赖进口。相较于比较成熟的系统集成技术,我国光纤激光材料的科学研究和产业化进程相对滞后,尚无法提供成熟稳定的有源光纤产品。 2016年6月,中国工程物理研究院激光聚变研究中心的研究人员经过近三年科研攻关,成功研发了30/900规格(纤芯30 m/包层900 m)镱掺杂铝磷硅(Yb-APS)三元体系激光光纤并实现了6.03 kW最高功率输出,在5 kW功率水平下可长期稳定工作。光纤激光材料综合测试平台采用了传统的1+1型MOPA放大结构(即信号种子源与一级主放):信号光种子源的功率为40 W,光束质量M2=1.1;第二级MOPA放大级使用的976 nm LD泵浦光总功率9.95 kW,经过CPS功率剥离器激光净化处理后,最终安全地实现了6.03 kW最大功率输出。如图1所示,最高输出功率时斜率效率为61.25%,源于1∶30的芯包比和20 m以上的光纤使用长度;激光输出光谱中心波长1080 nm,3 dB带宽为1.89 nm,受激拉曼抑制比>15 dB;5 kW稳定工作时,光束质量M2=2.38,未发现光子暗化效应。中物院激光聚变研究中心所研制的镱掺杂铝磷硅三元体系有源光纤(30/900 Yb-APS fiber)成功实现了6.03 kW激光输出,是我国高功率光纤激光材料研究领域的重要进步,为制备低损耗、高掺杂、高吸收、高增益、无光子暗化效应的商业激光光纤产品奠定了坚实的技术基础。 相似文献
109.
110.