考虑偏差值的中立型区间交叉效率研究

在不确定性环境下,当决策单元(DMU)的投入产出数据为区间数形式时,为解决决策单元之间既不是合作也不是竞争关系时的交叉评价问题,本文提出一种中立型区间交叉效率模型。从所有被评价者的角度出发解决评价权重的选取问题,以决策单元投入得分的平均偏差与产出得分的平均偏差之和最小化为目标,建立决策单元在最佳和最差两种生产状态下的中立型区间交叉效率模型。在本文提出的中立型模型视角下,DMU的投入得分平均偏差和产出得分平均偏差之和达到最小。算例结果表明该中立型区间交叉效率模型的有效性,解决了不确定性环境下的交叉评价问题,保证评价的客观公正,更加符合现实。     

非二次判据最优调节器与拟Riccati方程的解

在凸性假定下,本文证明了终值型与积分型非二次判据最优调节器问题存在闭环解,由非线性状态反馈u(t)=-R^-1B~*P(t,x(t))给出。反馈算子P(t,x)是拟Riccati方程的解,终值型问题的P(t,x)由一类非线性代数方程的解表出,积分型问题的P(t,x)由一类非线性Fredholm积分方程的解表出。     

RICCATI 微分方程解的直接表示

线性二次最优控制,微分对策的闭环解以及最优滤波所涉及的矩阵 Riccati 微分方程的研究至今一直受到人们的关注.对有限维情形的这一基本问题,[1]中归纳了一些求解的途径.[2]研究了稳态 Riccati 代数方程的解.近期有一些工作运用代数几何的方法揭示了 Riccati 方程的性质.本文从联系 Riccati 微分方程的解与具有 Hamilton 系数阵的线性矩阵微分方程之解的一个基本引理出发,用两种方法得到这一类 Riccati 微分方程之解的两个显式直接表示.     

纳米ZnO/聚合物器件的制备及应用

近年来,氧化锌(ZnO)由于依赖于尺寸、形状的光电特性而备受关注。纳米ZnO尺寸较小、表面能高,易团聚,使其在光电、生物等方面的应用受到限制。将其与聚合物复合或组装,不但能稳定纳米ZnO,而且可以使纳米ZnO/聚合物复合材料具有优良性能。本文综述了近年来纳米ZnO/聚合物复合材料的制备方法(聚合物辅助、表面接枝、转移分散等法)及纳米ZnO/聚合物器件在电致发光、光伏电池、荧光成像等方面的应用,并对纳米ZnO/聚合物复合材料的发展做了展望。     

数学教学利器——思维实验室

说起实验室那是物理、化学和生物才能有的,因为它们是实验性很强的学科,数学是思维性强的学科,还要实验室吗？数学只需要一支笔一张纸不就行了吗？殊不知,当今数学研究和数学教学已与以往大不同。     

OPTIMAL CONTROL PROBLEMS WITH HYBRID QUADRATIC CRITERIA

In this paper, the author investigates optimal control problems of continuous time linear system with hybrid quadratic criteria such as J(u)=sum from i=1 to N integral from 0 to t_f dt. Closed-loop results are obtained in which the optimal control can be expressed by means of state values measured only at these discrete-time points. Formulae are given for determination of feedback operators.     

15.14MeV/u 136Xe离子引起的单粒子效应

研究了15.14MeV/u ¹³⁶Xe离子在不同批次的32k×8bits静态存储器中所引起的单粒子效应.获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系.将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系,而不是线性能量转移(LET)值.估计了灵敏体积的深度和死层的厚度.     

溅射氧化铁薄膜的Hall效应

在磁场垂直于薄膜表面,磁感应强度B由0—1.4T变化的条件下,测量了溅射氧化铁薄膜的Hall效应。从实验数据得到了Fe₃O₄薄膜和γ-Fe₂O₃薄膜的寻常Hall系数R₀和非常Hall系数R_s,计算出这两种薄膜的Hall迁移率μ_H分别是2.35和1.56(cm)²/V·s。这个结果适合于大极化子导电机制的条件(ν≥1(cm)^关键词：     

光学自动设计的线性规划法

目前，光学透镜自动设计借助于计算机，并已探索过一些数学方法的实现。对于变焦距摄影物镜的自动设计，其一般步骤是，先选择结构型式，确定基本参数，     

H等离子体处理对Si中He注入空腔引起的效应

室温下分别采用40,160和1550 keV的He离子注入单晶Si样品到相同的剂量5×10¹⁶cm^-2,部分经He注入过的样品然后再分别接受高密度H等离子体处理.利用透射电子显微镜分析比较了随后800°C高温退火引起的空腔形成.结果表明,附加的H等离子体处理对空腔生长所产生的效应明显地依赖于He离子的能量.对于40 keV He离子注入,空腔的形成和热生长似乎不受H等离子体处理的影响,而对于160 keV He离子注入,附加的等离子体处理则促进了空腔的生长并伴随着空腔分布区域的变窄.对于1550keV He离子注入,H等离子体处理对空腔产生的效应介于40和160 keV注入情况之间.结合H等离子体处理在Si中所引起的缺陷的产生及其热演变过程对实验结果进行了讨论.