Silicon-on-nothing MOSFETs fabricated with hydrogenand helium co-implantation

In this paper, a method to fabricate Silicon-on-Nothing (SON) MOSFETs using H$^{ + }$ and He$^{ + }$ co-implantation is presented. The technique is compatible with conventional CMOS technology and its feasibility has been experimentally demonstrated. SON MOSFETs with 50nm gate length have been fabricated. Compared with the corresponding bulk MOSFETs, the SON MOSFETs show higher on current, reduced leakage current and lower subthreshold slope.     

RhCl_3/CH_3I催化醋酸甲酯羰基化制醋酐——Ⅲ.聚合物固载铑催化剂

研制了以交联苯乙烯—二乙烯基苯共聚物为载体的含氮功能团的固载铑络合物催化剂,得到两种活性较好的螯合型固载铑催化剂,用于醋酸甲酯羰基化制醋酐,其活性均略高于它们相应的均相类似体系。XPS测定表明,固载铑催化剂形成强的N→Rh键,且N/Rh=15时其活性最好。在418～447K范围测得醋酐生成平均速率与温度的关系,求得的表观活化参数(E_a=73.3KJ/mol,△H~≠=66.3KJ/mol,△S~≠=-28.6eu),表明氧化加成参与速控步骤。适当比例的溶剂醋酸对固载铑催化剂高活性是必须的。     

氢化物-原子吸收光谱法测定冶金企业废水中的砷

采用HNO3/HClO4(体积比10∶1)消解冶金废水样品,经6mol.L-1 HCl溶液酸化后,加入碘化钾(3%)、抗坏血酸(1%)及硫脲(1%)混合溶液进行还原,用氢化物-原子吸收光谱法(HG-AAS)测定了样品中的As含量.结果表明,该方法的检出限为0.297μg/L,相对标准偏差RSD为5.463%,样品加标回收率为93%～108%;其操作方便、选择性好、灵敏度高、干扰少,适合于复杂废水中微量和痕量As的测定.     

活用同角三角函数基本关系式

同角三角函数的基本关系式有sin^2α＋cos^2α=1,tanα=sinaα/cosα．利用它可以求值、化简和证明,要求同学们牢固掌握,并能运用每个关系式及变形式灵活解题,下面就利用同角三角函数的基本关系式进行解题介绍几种方法．     

金属-有机多孔材料UiO-66负载黄酮苷类药物负载率的研究

本文选择具有稳定物化性质、大比表面积的多孔金属-有机框架材料UiO-66作为载体,芒果苷为目标负载黄酮苷类药物,探索研究载体对芒果苷药物载药量及释药行为.通过粉末X射线衍射(PXRD)确定载药前后及药物释放后多孔框架保持不变;吸附芒果苷后的UiO-66固体样品的傅里叶(FT-IR)红外光谱显示在出现三级碳(C-H)、芳...