A FURTHER STUDY OF THE THEORY OF ELASTIC CIRCULAR PLATES WITH NON－KIRCHHOFF－LOVE ASSUMPTIONS

ＡＦＵＲＴＨＥＲＳＴＵＤＹＯＦＴＨＥＴＨＥＯＲＹＯＦＥＬＡＳＴＩＣＣＩＲＣＵＬＡＲＰＬＡＴＥＳＷＩＴＨＮＯＮ－ＫＩＲＣＨＨＯＦＦ－ＬＯＶＥＡＳＳＵＭＰＴＩＯＮＳＣｈｉｅｎＷｅｉ－ｚａｎｇ（钱伟长）ＲｕＸｕｅ－ｐｉｎｇ（茹学萍）（ＳｈａｎｇｈａｉＵｎｉ...     

第17届国际理论和应用力学大会介绍

第17届国际理论和应用力学大会(ICTAM)于1988年8月21日—27日在法国格勒诺布尔(Grenoble)举行。国际理论和应用力学大会是由国际理论和应用力学联合会(IUTAM)组织领导的世界力学最高学术会议,每四年召开一次。第一次大会1924年在荷兰召开。大会内容包括力学的全部领域,并划分为分析力学、流体力学和固体力学三大部分。     

一类空间连续系统稳定性与分岔的数值研究

空间连续系统的非线性动力学研究，由于其工程背景与复杂性，近年来越来越受到重视。局部狭窄圆管内的流体流动即为空间连续系统。本文采用有限差分方法，将由偏微分方程组描述的空间连续系统约化为由常微分方程组描述的高维离散动力系统。求得了动力系统的平衡解及判断其稳定性的最大Ｌｙａｐｕｎｏｖ指数，求得了动力系统的前三个Ｌｙａｐｕｎｏｖ指数，以此作为系统是否出现分岔的判别条件。     

光学透明陶瓷铝酸镁（MgAl2O4）的制备工艺和性能

本文报导了用金属醇盐法制备主同纯、随细铝酸镁粉末的合成工艺和透明铝酸镁陶瓷的制备工艺，测试了铝酸镁的光学性能、物理和机械性能。结果表明，作为光学材料，透明铝酸鲜具有非常好的机械强度的硬度，有适中的热膨胀系数，在０．３－０．５μｍ波段范围，其透过率不低于８１％，在３－５μｍ波段范围，其透过率达到８７％。     

神经网络的分叉理论设计方法

本文用分叉理论的规范形方程设计和综合期望贮存静、动态记忆模式的神经网络。对于期望贮存静态记忆模式的网络,该规范形方程为叉形分叉的;若期望贮存的记忆模式是周期振荡形式,该规范形方程为高余维数Ｈｏｐｆ分叉的,由满足设计约束的规范形系数得到的突触连接系数可以保证期望贮存的记忆模式都能成功地存贮于所设计的网络,且是网络仅有的吸引子,没有伪吸引子,吸引域的范围足够大。     

射频等离子硫钝化GaAs(100)的表面特性

采用射频等离子方法,对GaAs(100)衬底片表面进行干法硫等离子体钝化,旨在得到性能稳定含硫钝化层。样品经过360℃温度条件下的快速热退火,光致发光(PL)测试表明,钝化后的样品PL强度上升了71%。同时,钝化样品的稳定性测试结果表明,样品放置在实验室空气中30d,其PL强度未出现明显变化,说明GaAs的等离子体干法硫钝化具有较好的性能稳定性。

     

四-(4-氨基苯)乙烯的合成及溶剂/pH双重响应聚集发光行为

以二苯甲酮为原料,经McMurry、硝化、还原反应合成了化合物3,总收率为59%,其化学结构经¹H NMR和¹³C NMR确证。进一步采用紫外可见吸收光谱和荧光光谱对3在溶液中的聚集发光行为进行研究,结果表明：化合物3具有可逆的溶剂/pH双重响应聚集诱导发光(AIE)特性,主要是由于其在溶液中的聚集状态发生变化。     

基于ZEMAX高功率半导体激光器光纤耦合设计

随着半导体激光器光源在激光加工领域的应用不断拓展,研制高耦合效率的半导体激光器光纤耦合模块变得十分重要。为了进一步提高光纤耦合激光二极管模块的输出功率,本文应用ZEMAX光学设计软件进行仿真模拟,将12只波长为808nm、输出功率为10W的单管半导体激光器通过合束方法高效率耦合进光纤。耦合光纤芯径为150μm、数值孔径为0.22,光纤输出功率为116.2W,耦合效率为96.8%。     

Growth and Characterization of A1GaN/A1N/GaN HEMT Structures with a Compositionally Step-Graded A1GaN Barrier Layer

A new A1GaN/A1N/GaN high electron mobility transistor （HEMT） structure using a compositionally step-graded A1GaN barrier layer is grown on sapphire by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD）. The structure demonstrates significant enhancement of two-dimensional electron gas （2DEG） mobility and smooth surface morphology compared with the conventional HEMT structure with high A1 composition A1GaN barrier. The high 2DEG mobility of 1806 cm2/Vs at room temperature and low rms surface roughness of 0.220 nm for a scan area of 5μm×5 μm are attributed to the improvement of interracial and crystal quality by employing the stepgraded barrier to accommodate the large lattice mismatch stress. The 2DEG sheet density is independent of the measurement temperature, showing the excellent 2DEG confinement of the step-graded structure. A low average sheet resistance of 314.5Ω/square, with a good resistance uniformity of 0.68%, is also obtained across the 50 mm epilayer wafer. HEMT devices are successfully fabricated using this material structure, which exhibits a maximum extrinsic transconductance of 218 mS/ram and a maximum drain current density of 800 mA/mm.