Fabrication of c-Si：H（p）/c-Si（n） Heterojunction Solar Cells with Microcrystalline Emitters

The p-type microcrystalline silicon （μc-Si：H） on n-type crystalline silicon （c-Si） heterojunction solar cells is fabricated by radio-frequency plasma enhanced chemical vapour deposition （rf-PECVD）. The effect of the μc- Si：Hp-layers on the performance of the heterojunction solar cells is investigated. Optimum μc-Si：H p-layer is obtained with hydrogen dil u tion ratio of 99.65 %, rf-power of 0. 08 W/cm^2 , gas phase doping ratio of 0. 125 %, and the p-layer thickness of 15nm. We fabricate μc-Si：H（p）/c-Si（n） heterojunction solar cells without texturing and obtained an efficiency of 13.4%. The comparisons of the solar-cell performances using different surface passivation techniques are discussed.     

磁光薄膜材料的微量化学分析法——(Pb Bi Pr Yb Gd)_3(Fe Al)_5O_(12)、(Pb Bi Tm Fe Ga)_8O_(12)原子比值

掺铋石榴石单晶薄膜是一种性能良好的磁光材料。薄膜组成影响材料的性能。国外用放射性示踪等方法测定其组成。本文解决了取样问题,应用层析分离与分光光度法测定铁、铝、铋、镓、镨、钇、镱与铥含量;并确定了薄膜组份的原子比值。 1.酸腐蚀法取样:本文在工作的基础上,样品用浓HNO_3和24NH_2SO_4混合酸(1:3)加热溶解约需数分钟。 2.铝-铬天青S-溴化十六烷基吡啶分光光度法:本文采用醋酸丁酯在7NHCI中萃取     

Some Hypersurfaces with Constant Mean Curvature in a Conformally Flat Riemannian Manifold

§1. T. Otsuki [1] studied the minimal hypersurface V~n of a Riemannian manifold S~(n 1) of constant curvature if the number of the distinct principal normal curvatures is two and the multiplicities of them are at least two. He proved that V~n is locally the Riemannian prodruct S~(?)×S~(?) of two Riemannian manifolds S~(?) and S~(?) of constant curvature, where ι_1 and ι_2 are these multiplicities, respectively. In the present paper S~m denotes an m-dimensional Riemannian manifold of     

Hn+1(c)中的有限型旋转曲面

研究E1n+2中双曲空间Hn+1(c)的坐标函数是其Laplacian的特征函数的球型、双曲型及抛物型旋转曲面Ma的性质,得到Ma或为Hn+1(c)的极小超曲面.或者可与 (球型),或 (双曲型)叠合.     

BEPC束流极化与极化仪的研究

简要介绍了在北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）上实现束流极化的必要性与可能性，以及束流极化度测量的原理与方法，还简要描述了利用一条同步辐射管道测量ＢＥＰＣ电子束流极化度的测试系统方案设计以及正在开展的实验工作。     

癸基萘磺酸钠胶束中分子动态的质子核磁共振研究

在298、303和313 K下对浓度为0.82 和2.59 mmol/L的癸基萘磺酸钠的重水溶液中质子的自旋-自旋弛豫（T₂）时间进行了测量. 浓度为0.82 mmol/L 的溶液(临界胶束浓度CMC以下)中的所有质子的T₂值均随温度上升而增长，说明整个分子运动变的更自由. 然而，浓度在CMC以上(2.59 mmol/L)时，分子中一部分参与形成栅栏层的质子的T₂值却表现出相反的效应，它们的运动随温度上升而变慢，说明在高温下为防止水分子进入疏水胶束壳内，这些栅栏层的质子堆积的更紧密. 同时分子中其他质子的T₂值随温度上升而增长，表现出正常的分子运动的温度效应.     

九年级数学(华东师大版)第一学期期中自测题

A组一、选择题1.下列各式中,正确的是().A.(12)-3=8B.a3÷a2=a5C.a2+a3=a5D.(-2a3)-3=6a-92.若分式x2+x-6x2-4的值等于零,则x的值是().A.2或-3B.3或-2C.2D.-33.若圆的一条弦把圆分成度数的比为1∶3的两条弧,则劣弧所对的圆周角等于().A.45°B.90°C.135°D.270°4.将方程2-x2-4x+1=3x+1去分母并化简后,得到的方程是().A.x2-5=0B.x2-3=0C.x2-2x-5=0D.x2-2x-3=05.已知AB是⊙O的直径,弦CD⊥AB,垂足是E.如果AB=10,CD=6,那么AE的长为().A.1B.3C.9D.1或96.若x2-9=0,则x2-5x+6x-3的值为().A.1B.-5C.0D.1或-57.如图,四边形ABCD内…     

Effect of Addition Groups on the Redox Properties of Fullerenes

采用循环伏安法和微分脉冲伏安法对比地研究了包括五种Ｃ６０的衍生物及四种Ｃ７０的衍生物的电化学性质．结果表明，推电子基团的引入使得富勒烯的氧化还原电位负移，这种负移的程度与加成基团的性质、个数和富勒烯的性质有关．对于Ｃ６０和Ｃ７０的单加成产物，负移的范围是０．０８～０．２０Ｖ．而对于Ｃ６０的双加成和三加成产物负移的范围分别为０．３０～０．３２Ｖ和０．５３～０．５８Ｖ．同时由于电位的负移大部分衍生物在低于＋１．５Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）观察到了氧化峰，而Ｃ６０和Ｃ７０本身的氧化高达＋１．７Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）．特别是对于Ｃ７０的双加成产物在＋０．４５Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）出现了一个不可逆氧化峰，但是，对于同样加成基团的Ｃ６０双加成产物的氧化却在＋０．９０Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），说明由于推电子基团的双加成引入，明显改变了Ｃ７０的电负性．