动静态气密性分析方法及其在动车组上的应用

随着运行速度的提升, 高速动车组受到的外部激扰愈发剧烈. 尤其是动车组通过隧道和在隧道内交会时, 车体外表面产生的剧烈瞬变压力传入车厢内, 会引起司乘人员耳感不适等问题. 为研究动车组运行过程中的气密性能对车内气压波动和乘客乘坐舒适度的影响关系, 本文采用动静态测试结合的分析方法, 结合时间常数模型和当量泄漏面积模型, 通过在不同车辆内外部布置气压波动监测传感器, 对四级修前后的高速动车组进行了线路运行气动载荷测试; 针对不同部位具体结构特征开发了不同型式的气体泄漏量测试工装, 并对不同车辆的静态气密性进行了测试研究. 搭建了动静态气密性能分析模型并获得了动静态气密指数, 总结了隧道条件、运行速度等因素对车内压力波动和动态气密性能的影响规律, 同时针对典型气密部件的泄漏量和泄漏面积进行了分析, 对气密敏感部件进行了影响度排序并提出了优化方案. 本文提出的方法和相关研究数据对于关键部件的设计方案和修程修制优化具有一定的参考意义.      

Effects of V/III ratio on the growth of a-plane GaN films

The non-polar a-plane GaN is grown on an r-plane sapphire substrate directly without a buffer layer by metal-organic chemical vapour deposition and the effects of V/III ratio growth conditions are investigated. Atomic force microscopy results show that triangular pits are formed at a relatively high V/III ratio, while a relatively low V/III ratio can enhance the lateral growth rate along the c-axis direction. The higher V/III ratio leads to a high density of pits in comparison with the lower V/III ratio. The surface morphology is improved greatly by using a low V/III ratio of 500 and the roughness mean square of the surface is only 3.9 nm. The high resolution X-ray diffraction characterized crystal structural results show that the rocking curve full width at half maximum along the m axis decreases from 0.757° to 0.720°, while along the c axis increases from 0.220° to 0.251° with the V/III increasing from 500 μmol/min to 2000 μmol/min, which indicates that a relatively low V/III ratio is conducible to the c-axis growth of a-plane GaN.     

1-异丙基-3-异丙烯基-1H-吡唑并[3,4-d]嘧啶-4-胺的合成、表征及抗肿瘤活性

以3-碘-1H-吡唑并[3,4-d]嘧啶-4-胺(2)为原料,经过N-烷基化、Suzuki偶联反应得到目标化合物1-异丙基-3-(异丙烯基)-1H-吡唑并[3,4-d]嘧啶-4-胺(1),两步反应总收率57.0 %。产物及中间体结构经₁^H NMR、_1³C NMR、ESI-MS以及X-射线单晶衍射进行表征。并对该Suzuki反应条件进行研究,确定最佳条件为：Pd(dppf)Cl₂的用量为n (Pd(dppf)Cl₂) : n (化合物3) = 0.06 : 1;物料比为n(异丙烯基硼酸): n(化合物3)= 1.6 : 1;反应溶剂为N,N-二甲基甲酰胺;反应温度为100 ℃;反应时间2 h,在最佳反应条件下,该Suzuki偶联反应收率达到68.2 %。体外抗肿瘤活性测试表明,产物(1)对MCF-7、A549、PC-3、HepG2和SGC-7901增殖均有明显的抑制活性,特别抑制MCF-7的IC₅₀值达到10.6 μmol?L_-1^。     

具有N-策略休假的M/G/1排队的随机分解与最优策略

本文利用向量Markov过程方法,研究了具有N-策略休假且休假时间为一般分布的M/G/1排队,它的两种特殊情况分别是具有多重休假的M/G/1排队和具有N-策略控制的M/G/1排队。我们得到了这个排队系统稳态时的队长分布,证明了它的稳态队长存在随机分解。然后讨论了当休假时间服从指数分布时的最优策略问题。     

加密网格点二元局部基插值样条函数

1.简介 由于在理论以及应用两方面的重要性,多元样条引起了许多人的注意([6],[7]),紧支撑光滑分片多项式函数对于曲面的逼近是一个十分有效的工具。由于它们的局部支撑性,它们很容易求值;由于它们的光滑性,它们能被应用到要满足一定光滑条件的情况下;由于它们是紧支撑的,它们的线性包有很大的逼近灵活性,而且用它们构造逼近方法来解决的系统是     

LD列阵泵浦Nd:YAG连续激光器

介绍了一种二极管侧面泵浦的Nd:YAG连续激光器，采用了简单，实用的侧面泵浦结构，获得了37．9W的连续1064nm的激光多模输出，斜效率为31．5％，光准效率为23．7％，文中还对该泵浦头的热透镜效应作了测试。     

具时滞n维Liénard型方程调和解的存在性

该文利用重合度理论和一些分析技巧讨论了具时滞 n维 L iénard型方程 x″+ ddtgradF( x) + grad G( x( t- τ) ) =p( t)调和解的存在性 ,在对阻尼项 ddtgrad F( s)没有任何限制的前提下 ,给出了存在调和解的条件 .     

脉冲驱动磁化等离子体内爆升温点火的数值模拟北大核心CSCD

通过建立物理模型,用一维三温拉氏磁流体力学程序分析了由强电流(MA)脉冲驱动的金属套筒内爆压缩磁化等离子体的升温点火及能量增益过程。分析了脉冲驱动的金属套筒内爆、不同驱动源对金属套筒内爆升温的影响、Z箍缩过程中内嵌磁场和预加热温度对磁化等离子体升温的影响,以及点火需要的初态参数和点火后的能量输出。此外,对该过程中磁场增加α粒子能量沉积、降低电子离子热传导能量损失的物理机制做了介绍和分析。磁流体数值模拟结果显示:当初始的内嵌磁场和燃料的预加热温度分别取5T和250eV时,即可获得超过4keV的升温,初始参数包括内嵌磁场、预加热温度、燃料密度、套筒尺度、驱动脉冲幅值、加载时间等。在一定的条件下,点火成功,可产生kT量级的强磁场,并获得百kJ/mm量级的能量输出。     

高效液相色谱/二极管阵列法快速测定白酒、配制酒与葡萄酒中5种人工合成甜味剂

建立了一种快速检测白酒、配制酒和葡萄酒中安赛蜜、糖精钠、阿斯巴甜、阿力甜及纽甜5种人工合成甜味剂的高效液相色谱分析方法。采用C_(18)柱为分离柱,对流动相的组成和洗脱方式、检测波长等参数进行优化。结果表明,以乙腈和0.02 mol/L硫酸铵(p H 4.4)溶液为流动相,梯度洗脱,柱温40℃,可使5种人工合成甜味剂在15 min内实现基线分离。最佳检测波长下,5种甜味剂在4~200 mg/L浓度范围内呈良好的线性关系,相关系数均大于0.999。样品加标回收率为95.2%~103.2%,相对标准偏差(n=5)均不大于3.4%。该方法简便、快捷、准确、灵敏度较高,适用于白酒、配制酒和葡萄酒等各类酒中5种人工合成甜味剂的快速检测。