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Wide-Band Polarization-Insensitive High-Output-Power Semiconductor Optical Amplifier Based on Thin Tensile-Strained Bulk InGaAs 总被引:2,自引:0,他引:2
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A polarization-insensitive semiconductor optical amplifier (SOA) with a very thin active tensile-strained InGaAs bu/k has been fabricated.The polarization sensitivity of the amplifier gain is less than 1 dB over both the entire range of driving current and the 3dB optical bandwidth of more than 8Onto.For optical signals of 1550nm wavelength,the SOA exhibits a high saturation output power 7.6dBm together with a low noise figure of 7.SdB, fibre-to-fibre gain of 11.5dB,and low polarization sensitivity of 0.5dB.Additionally,at the gain peak 1520nm,the fibre-to-fibre gain is measured to be 14.1 dB. 相似文献
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低气压微波感耦氩等离子体空间分布特性光谱诊断 总被引:3,自引:3,他引:0
用二维光学多道分析仪研究了低气压表面波型微波感耦氬等离子体的光谱辐射特性?鼳bel反演后,得到了在各种气压和微波功率下等离子体辐射光强和激发温度的空间分布及其变化规律。讨论了此等离子体的激发机理。 相似文献
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