LiNbO3中光折变全息的热固定特性

带输运模型方程和耦合波方程结合起来研究ＬｉＮｂＯ３晶体中体全息记录和热固定的特性。发现在一边记录一边固定时,同时存在的离子光栅通过减小耦合增益而影响了电子光栅的写入,且得到的固定后折射率光栅随深度的改变较小,这与记录完固定有非常大的区别,两种热固定方法得到的折射率光栅的衍射效率大小将主要决定于入射记录的实始光强比,该模型同时显示对于高掺杂浓度的ＬｉＮｂＯ３晶体的热固定,在其显影过程中,由于导带电子     

CO2激光局域热固定光折变全息的一种新方法

提出用ＣＯ２激光加热后记录固定的方案对ＬｉＮｂＯ３晶体中的全息进行实时实地局域热固定。通过加载绝热体,利用连续激光加热晶体全部范围至接近２００℃,停止加热开始记录,到该区域温度降屋１００℃时,将固定一个体全息。文中给出了热传导模型及其数值解。由得到的初步结果参数进行了一系列实验。实验结果显示,管种方案可成功地对光折变全息进行实时实时局域热固定,并且具有温度更均匀的特点,所固定的全息质量有较大改善。     

短腔Er/Yb光纤光栅激光器

报道采用光敏Ｅｒ／Ｙｂ 光纤制作短腔Ｅｒ／Ｙｂ 光纤光栅激光器的实验结果。激光谐振腔由一对直接写在３０ ｍ ｍ 长的Ｅｒ／Ｙｂ 光纤上、长度分别为６ ｍ ｍ 及１０ ｍ ｍ 、反射率分别为９０％ 及９８．６％ 、３ ｄＢ带宽分别为０．２８ ｎｍ 及０．２６ ｎｍ 的光纤布拉格光栅组成, 激光器的泵浦阈值为８ｍ Ｗ, 斜效率约１４％ , 输出光的信噪比为６１ ｄＢ, 偏振模抑制比为３０ ｄＢ。     

卷积反投影法重建温度场

电子散斑干涉技术是近年发展起来的一门新兴的测量技术,它由光干涉原理测量物理场的密度、温度分布等,这种测量技术是由物理场在不同截面、不同方向上的投影值反求场分布,这非常类似于CT技术。简述二维重建的基本原理,着重介绍卷积反投影重建算法。依此原理,模拟了双高斯分布函数的投影,并由平行束卷积法重建出模拟的温度场。为了指导电子散斑干涉实验,模拟了三种可能实验误差,并分别给出了重建结果。由于电子散斑干涉测量(投影)的方向个数小,提出了双线性滤波算法,使在测量值稀疏的条件下得到较好重建结果。     

用联合变换相关器实现灰阶图像绝对差度量光学匹配

将绝对差度量（ＡＤＭ）引入联合变换相关器（ＪＴＣ）,实现了灰阶图像光学匹配的计算机模拟实验,利用循环编码方法,通过联合变换相关器一步绝对差度量,相关后的图像通过取高阈值的分割方法来实现对目标的准确判断,针对高斯噪声干扰情况,分析了阈值选择问题,提高了灰阶目标识别抵抗器材怕畸变干扰的能力。     

光色效应双掺杂(Fe,Mn)vLiNbO_3的光折变全息存储

采用双掺杂（Ｆｅ, Ｍｎ）ｖＬｉＮｂＯ３ 晶体实现了光色效应光折变全息, 实验上着重研究了不同氧化／还原状态晶体全息存储性能, 结果表明, 只有晶体具有较高的氧化程度才能实现全息的长期存储, 与理论分析一致。     

利用不确定性提高击中击不中变换的抗畸变能力

对用于目标识别技术的形态学击不中变换进行了分析,引入不确定和模式的概念使得容易受到畸变干扰的像素点对判别结果的作用降低,得到联合排序多值击中击不中变换,从而在不损失图像信息的前提下,提高了目标识别的抗畸变能力,并且具有在输入图像和参考模板之间进行精确匹配的能力。基于非相干相关器,利用新颖的多值互补编码方法,实现了二值图像的联合序多值击中击不中变换,达到了较好的实验结果。     

涡流发生器污垢特性实验台的设计

为了研究涡流发生器的污垢特性设计了一个能够在线监测温度、流量以及压差进而可以直接得到污垢热阻的实验台。通过验证实验、准确性分析与误差分析,验证了实验台设计精度在允许的误差范围内。示例实验结果表明实验台具有研究涡流发生器的污垢特性、压力特性以及换热特性的功能。     

含氘电极真空弧等离子体空间分布特性诊断研究

真空弧放电等离子体含有多种离子成分,并且各离子在空间上具有不同的分布规律.本文针对金属氘化物电极真空弧离子源,搭建了一台紧凑型磁分析装置,用来研究放电等离子体中氘离子与金属离子的空间分布.当离子源弧流为100 A左右时,该装置能有效地传输引出束流,并且具有较好的二次电子抑制效果,可准确获得各离子流强.利用该装置测量并获得了氘化钛含氘电极真空弧放电等离子体内氘离子和钛离子空间分布规律,结果表明:径向上,氘离子和钛离子都呈高斯分布,但氘离子分布均匀,而钛离子相对集中在轴线附近,导致轴线附近氘离子比例最低;轴向上,所有离子数量都以自然指数函数减少,而且相对幅度接近,所以氘离子比例几乎不变.本文研究结果不仅有助于理解真空弧放电等离子体膨胀过程,还可以指导金属氘化物电极真空弧离子源及其引出设计.     

带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管

为了解决限制近红外单发射区InGaAs/AlGaAs量子阱半导体激光二极管失效阈值功率提升的腔面光学灾变损伤问题,研制了一种带有Si杂质诱导量子阱混杂非吸收窗口的新型激光二极管,并对其性能进行了测试分析.首先,对于带有非吸收窗口的二极管,在其谐振腔上方前后腔面附近的窗口区域覆盖50 nm Si/100 nm SiO2组...