纠缠播送与解纠缠

近年来,人们发现在量子信息领域存在的许多的"no-going"理论.在研究纠缠的产生的同时也开始研究解纠缠.     

两原子非简并双光子Jaynes－Cummings模型的辐射谱

本文研究了两原子非简并双光子Ｊａｙｎｅｓ－Ｃｕｍｍｉｎｇｓ模型的辐射谱，结果表明，当双模腔场处于不同数态时，辐射谱呈现如下新特性：当一腔场处于真空态，另一腔场为强场时，辐射谱为对称六峰结构，任两对称峰的间距均与成正比；当双模腔场均为强场时，辐射谱为对称四峰结构，两内峰的间距（４ｇ）与数态光子数ｎ１及ｎ２无关；当一腔场处于真空态，另一腔场处于数态｜ｎ２＞时，辐射谱一般为对称六峰结构，当ｎ２＝１时，谱变为对称四峰结构。     

平移压缩Fock态下无耗散介观电感耦合电路的量子效应

研究了在平移压缩Fock态下介观电感耦合电路中电荷和电流的量子涨落.结果表明:每个回路中电荷、电流的量子涨落只依赖于两回路的器件参量和压缩参量,而与平移参量无关.     

温度场中应变光纤测试方法

研究温度变化时光纤应变测试系统中的传输光纤和感应光纤产生附加相位的问题推导出附加相位与温度变化的关系式，提出消除附加相位的补偿法通过实验分析证明了补偿法对消除附加相位是行之有效的，提高了测试精度     

二能级原子与双模场喇曼相互作用模型的腔场谱

研究了在高Q腔内二能级原子与双模量子化光场发生双光子共振喇曼相互作用过程的腔场谱.发现原子初态的不同不改变腔场谱结构的基本特征.两模光场初态均为光子数态或均为相干态时,每模腔场谱一般都为双线结构,两条谱线的频差与另一模初始场强大致成正比,改变一模初始场可以调节另一模谱线频率     

室温下金刚石薄膜上沉积立方氮化硼薄膜的研究

采用射频磁控溅射技术分别在纳米与微米金刚石薄膜上制备立方氮化硼(c- BN)薄膜.金刚石薄膜由拉曼光谱(Raman)及原子力显微镜(AFM)进行表征.采用傅立叶变换红外光谱(FTIR)研究了不同沉积温度对c- BN薄膜生长的影响,结果表明在金刚石薄膜上生长c- BN不存在温度阈值,室温下生长的c- BN含量可达70;以上.当沉积温度由室温向上升高时,对于纳米金刚石薄膜衬底上生长的BN薄膜而言,其中的立方相含量反而逐渐降低.此外,随着沉积温度的降低,c- BN对应的峰位向低波数方向偏移的现象表明低温下生长的c- BN薄膜内应力较小.文中探讨了产生此现象的原因.     

耦合双原子与非线性相干态相互作用模型的腔场谱

研究了两个偶极 偶极相互作用的全同二能级原子与高Q腔内非线性相干态光场相互作用过程的腔场谱 .讨论了原子间耦合强度、初始场光子数分布和初始场强度的改变对光谱结构的影响.     

关于解线性系统的一个有效的贝叶斯迭代方法

This paper concerns with the statistical methods for solving general linear systems. After a brief review of Bayesian perspective for inverse problems,a new and efficient iterative method for general linear systems from a Bayesian perspective is proposed.The convergence of this iterative method is proved,and the corresponding error analysis is studied.Finally, numerical experiments are given to support the efficiency of this iterative method,and some conclusions are obtained.     

碳酸钾修饰水滑石吸附二氧化碳工艺条件研究

采用共沉淀法合成水滑石,等体积浸渍法将碳酸钾负载于水滑石孔道及层状结构中;在一定空速条件下,考察了吸附温度、碳酸钾添加量、活化温度对碳酸钾修饰水滑石吸附二氧化碳性能的影响;利用SEM、BET等手段对修饰后的水滑石进行了表征。在一定实验条件下,水滑石吸附容量可以达到9.10mol/kg。     

直流偏置对射频容性耦合放电特性的影响

直流偏置能较好抑制射频容性耦合等离子体(radio frequency capacitively coupled plasma, RF-CCP)表面充电效应, 但仍存在其对RF-CCP放电参量影响规律不明确, 电源对参量控制复杂等问题. 构建了直流源与射频源的板-板结构RF-CCP仿真模型, 在射频源基础上施加负直流源, 研究直流偏置对RF-CCP放电特性影响, 并比较射频与直流偏置对放电参量影响差异. 结果表明, 无直流源时, 周期平均电子密度N_{e, ave}, 周期平均电子温度T_{e, ave}均为对称分布, N_{e, ave}呈现两端小、中间大的凸函数分布, T_{e, ave}在距极板4 mm以内鞘层区均有陡然上升, 极大值出现在距极板1 mm左右处; 直流源会使等离子体主体区N_{e, ave}升高并发生偏移, 直流源侧N_{e, ave}降低, 对侧N_{e, ave}增加, 且对侧增加速率较快. 直流偏置可改善单侧电子温度与电子通量, 但提高电子密度能力弱于射频源. 实际工程中, 若欲提高单侧电子温度与电子通量, 应施加直流源, 若提高整体电子密度, 应提高射频源功率.