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801.
样本崩溃点是一个估计或检验所能承受离群值污染的最小比例.本文计算和分析了一类指数分布检验的样本崩溃点,并求出了它的渐进崩溃点和渐进分布. 相似文献
802.
803.
本文证明了:Banach空间上完全分配格代数间的导子都是自动连续的;进而证明了套代数的可加导子是内的,套代数间的代数同构是自动连续的、空间的 相似文献
804.
805.
含椭圆形夹杂的压电材料平面问题 总被引:3,自引:0,他引:3
应用复变函数的Faber级数展开方法,本文研究了含椭圆形夹杂的压电材料平面问题,给出了问题的封闭解·解答表明,椭圆夹杂内的应力、应变、电场强度和电位移均为常量·通过算例,还讨论了正、逆压电效应在基体孔周处的机电行为· 相似文献
806.
宇航器件中的单粒子效应及其加速器地面模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
描述了宇航半导体器的单粒子效应的危害和研究方法,并介绍了用重离子加速器进行地面模拟研究的概况。 相似文献
807.
808.
引 言 锰锌铁氧体单晶具有较高的视频导磁率和良好的耐磨性能,用它作成的磁头已广泛地用于彩色录象及其它磁带纪录技术之中.要长出完整的。性能良好的单晶必预解决如下几个问题:(1)弄清楚锰锌铁氧体高温下相变的特性;(2)研制出稳定的高温氧压炉;(3)确定好可靠的生长工艺.本文简要地介绍了我们在这三方面的工作,叙述了长成单晶的物理性能及其改进情况,阐述了用研制出的单晶作成磁头的电气性能,提出了氮气可能对单晶性能有重要影响的初步看法. 一、固液相变线 锰锌铁氧体单晶通常采用布里奇曼(Bridgman)法生长.它是先将制备好的多晶料放在带… 相似文献
809.
随着微电子器件集成度增加,由入射离子在器件灵敏区内引起的δ电子分布对器件单粒子效应的影响越来越显著;尤其是它极易引发多位翻转,严重影响设计加固的有效性。首先利用蒙特卡罗软件包Geant4模拟得到重离子在器件灵敏区内产生的δ电子分布,分析得出以下规律:入射离子单核能越高,其产生δ电子分布的径向范围越大;单核能相同的不同种离子,原子序数越大其产生的δ电子密度越大。其次,通过模拟一款45 nm静态随机存储器的单粒子翻转效应,说明δ电子和灵敏区分布共同影响器件的多位翻转。当器件灵敏区间距一定时,多位翻转率随入射离子能量的升高先上升后下降;在多位翻转率峰值和布喇格峰之间,多位翻转率随入射离子线性能量传输(LET)值的升高而降低,在该区域两侧多位翻转率随离子LET值的升高而升高。 相似文献
810.
单粒子效应(SEE)加速器地面模拟需要离子束具有较好的均匀度,针对回旋加速器单粒子效应模拟的束流特点,建立了一套以位置灵敏平行板雪崩探测器(Parallel Plate Avalanche Counter,PPAC)为基础的均匀度探测系统并完成了带束测试,对它的结构、工作原理、均匀度获得方法及带束测试结果进行描述。为验证PPAC测量结果准确性,在带束测试过程中,前方同时放置PET膜测量穿过PPAC探测器的粒子分布,与离子径迹测量结果对比,给出PPAC的均匀度的测量误差在5%之内。探测器具有50 mm×50 mm的灵敏面积和小于1 mm的位置分辨,符合单粒子效应实验对束流均匀度测量的要求。 相似文献