锗元素测定方法综述

锗在国防工业、航空航天和通信等领域中的战略性,锗含量的测定对于保证材料质量和满足国际标准至关重要。本文综述了锗含量测定方法的多种技术,包括分光光度法、原子荧光光谱法、原子吸收光谱法、电感耦合等离子体原子发射光谱法、电感耦合等离子体质谱法以及滴定法。在每个检测方法的介绍中,详细探讨了方法的原理、前处理步骤以及应用范围,并分别总结了各个方法的优势和不足。最后,强调了锗含量测定方法的意义,特别是在满足出口监管和促进科学研究方面的作用。同时对锗元素的测定方法进行了展望,为未来的发展提供了参考方向。     

变量各向异性的非齐次拟微分象征类

设(Θ)0是Rn上的连续多尺度椭球覆盖Θ的中心正则子覆盖.本文引入了一类适应于椭球子覆盖(Θ)0的非齐次拟微分象征类SOδ,δ((Θ)0),0≤δ＜1.此象征类推广了经典的各向齐性非齐次象征类SOδ,δ(In),其中In是n×n的单位矩阵.然后本文将一个经典的L2(Rn)有界性结果推广到了此象征类SOδ,δ((Θ)0)...     

单粒子束精确定位照射装置在CR-39膜上刻蚀中国地图边界研究

采用自编写的图像处理程序把中国地图处理成为边界点阵图，并根据点阵图每点的坐标位置，利用中国第1台单粒子束精确定位照射装置提供的单质子束在CR-39膜上几百μm×几百μm的范围内辐照并刻蚀出中国地图边界. 研究表明，该单粒子束精确定位照射装置计数准确(98%)，定位精确(平均误差小于3 μm)，辐照路径算法选择合理(近邻法)，预测值和实测值吻合程度高，可以满足刻蚀CR-39膜微图像和生物细胞辐照实验的要求.     

光学中一道流传甚广的典型错题

根据“用牛顿环测定透镜曲率半径实验”的原理,剖析了有关牛顿环的一道典型错题,列举了正确的例题.     

运用三重排除法巧定线圈感应图

有关线圈在磁场中运动的电磁感应图像选择题,由于图形复杂多变,常规的数学分析法需要列大量的表达式,很难快速作答,如果运用三重排除法分析就能很快确定答案。     

电子白板系统中参数标定方法的研究

为了避开复杂繁琐的摄像机标定过程,提出了一种基于CCD摄像机的电子白板系统参数标定新方法,实现了开机自动标定系统参数的功能。采用Harris角点检测算法成功提取了参考点的像素坐标,并直接运用射影变换交比不变性,推导出白板边框图像像素距离与实际物理距离的映射关系式,进而获得了摄像机的光心坐标。简要分析影响系统标定精度的因素,并设计出减小标定误差的方案,最后搭建实验平台标定系统参数。实验结果表明:该标定方法实现简单,应用方便,且对于单位长度为1 cm的标定块而言,标定误差小于0.04 cm。     

锂原子修饰碳原子链团簇的结构和储氢性能研究北大核心CSCD

利用密度泛函理论研究锂原子修饰线型碳原子链团簇Li2Cm（m＝2－8）的结构及其储氢性能．结果表明, Li原子可键合于碳链团簇的两端,Li原子本身不发生团聚,氢在Li2 Cm （ m＝2－8）中能以分子形式吸附,每一个Li原子最多可吸附5个氢分子,氢分子的平均吸附能为0．460～2．276 kcal·mol^－1．其中Li原子修饰C2团簇的质量储氢分数最大,为34．72 wt％,表明了它在常温常压条件下作为储氢材料的可行性．     

磁共振碳谱研究:应用分子子图指数估计与预测卤代烃化学位移

系统研究了核磁共振碳谱(¹³C NMR)与化学位移规律及其定量构谱关系(QSSR).本文提出了一组含多元素组成的分子子图指数矢量(VMSG),并发现它与卤代烃化学位移(CSRX)有很好线性相关性.采用多元线性回归(MVLR)进行准确估计与预测,结果良好.     

一维分子晶体激子-孤子运动的激子运动学和动力学非线性效应

基于一维分子晶体相邻分子间静态作用势和分子间的(电)偶极-偶极相互作用,采用分子投影算符表示一维分子晶体激子系统的模型哈密顿量.在谐振近似下,根据激子运动学和动力学非线性效应的理解,推导了晶格运动和激子-孤子运动的非线性Klein-Gordon(K-G)耦合运动方程组.发现激子运动学和动力学非线性效应不但对孤子波函数的³,²{²}\{x²}有重要贡献,且导致重要的高阶非线性项,分别对⁵非线性和⁷非线性方程给出了解析解.详细分析非线性方程的Bell型孤子和Kink型孤子解结果,发现激子运动学和动力学非线性效应对激子的有效质量m有显著增加贡献,对激子-孤子能量(Ω)有更负的修正,孤子局域范围更小.对Bell型孤子以超声速(v＞c_s)沿一维键传播,而Kink型孤子以亚声速传播(v＜c_s),它们分别出现在激子能带底部和顶部. 关键词： 一维分子晶体 激子-孤立子 运动学和动力学非线性效应 非线性Klein-Gordon方程     

氢离子轰击对TiC膜结构及界面影响的研究

本文研究荷能氢离子轰击对TiC薄膜的结构及其界面的影响。氢离子源为5A的脉冲离子注入器,能量25keV,脉冲宽度20ms。样品经轰击后发现。与受相同辐照的45~#钢样品相比,TiC薄膜表面无明显的损伤;TiC薄膜内的氢含量较高;薄膜的织构消除;TiC薄膜与基体间的结合力有明显提高。