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551.
552.
直边上具有混合支撑段薄砑矩形板的弯曲 总被引:1,自引:0,他引:1
在本文中,应用功的互等定理法首次给出直边上具有简支段与自由段混合支撑的矩形板的精确解析解。作为比较,我们用有限元法计算了同一问题,比较表明,该解析解是正确的。 相似文献
553.
本文分析了目前测交流电致发光屏功耗通用的补偿法所存在的问题,并通过计算导出此法适用的范围.在此基础上设计了交流电桥法,直接测量发光屏等效电阻和等效电容,通过等效电阻计算发光屏功耗.这样,克服了补偿法存在的问题,并在一定程度上消除了发光屏非线性阻抗特性对功耗测量的影响. 相似文献
554.
555.
Cross-section ratios σTI/σSC of transfer ionization (TI) to single capture (SC) of C^q+- and O^q+-He (q = 1 - 3) collisions in the energy range of 15-440 keV/u (0.8-4.2 vBohr) are experimentally determined. It is shown that σTI/σSC strongly depends on the projectile velocity, and there is a maximum for E(keV/u)/q1/2 ≈, 150. Combining the Bohr-Lindhard model and the statistical model, a theoretical estimate is presented, in reasonable agreement with the experimental data when E(keV//u)/q^1/2 〉 35. 相似文献
556.
Han Xiao-Yan 侯国付 Li Gui-Jun 张晓丹 Yuan Yu-Jie 张德坤 Chen Xin-Liang 魏长春 Sun Jian 耿新华 《物理学报》2008,57(8):5284-5289
在采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速沉积微晶硅(μc-Si:H)太阳电池过程中,产生的高能离子对薄膜表面的轰击作用会降低薄膜质量和破坏p型掺杂层(p层)与本征层(i层)之间的界面特性.针对该问题提出在电池中引入低速沉积的p/i界面层的方法,即在p层上先低速沉积一薄层本征μc-Si:H薄膜,然后再高速沉积本征μc-Si:H薄膜.实验结果表明,引入低速方法沉积的界面层有效地提高了p/i界面特性和i层微结构的纵向均匀性,而随界面层厚度的增加,i层中的缺陷态先降低后增加,
关键词:
μc-Si:H太阳电池
甚高频等离子体增强化学气相沉积
p/i界面层 相似文献
557.
张国义付予锦吴金城徐新然秦明刚熊书书张仟春 《理化检验(化学分册)》2018,(10):1117-1121
基于正丁醚在纳米氧化锌材料表面的催化发光现象设计并制造了正丁醚催化发光传感器,并提出了一种快速测定空气中正丁醚的方法。在检测波长为440nm,反应温度为288℃,载气流量为280mL·min-1条件下,正丁醚的质量浓度在30.0~2 000mg·m-3内与其催化发光强度呈线性关系,检出限(3S/N)为12.0mg·m-3。将上述方法用于空气样品中正丁醚含量的测定,其测定结果与气相色谱-质谱法所得结果吻合。 相似文献
558.
用半经验量子化学方法AM1和PM3对竹红菌乙素及其溴代物进行了对比计算,考察了溴代作用对竹红菌乙素分子性质的影响。两种方法所得结果均表明,溴代作用使分子的生成热、前线轨道能级及偶极矩等参数都有所降低,溴代作用也影响了竹红菌乙素分子内氢键的性质,并能使其对光的吸收产生红移。 相似文献
559.
“函数在给定区间上单调”问题是中学数学中学习导数后的一类常见问题,它涉及导数与函数单调性的关系及转化与化归等数学思想的应用,因而在高考中屡见不鲜.本文从一道典型题出发,总结这一类问题及其变式题的转化思路. 相似文献
560.