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71.
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对于硅薄膜太阳电池来说, 无论是PIN型还是NIP型太阳电池, 采用绒面陷光结构来提高入射光的有效利用率是提高太阳电池效率的重要方法之一.本文采用标度相干理论对PIN和NIP型电池的绒面结构的陷光性能进行了数值模拟. 结果表明: PIN电池中前电极和NIP电池中背电极衬底粗糙度分别为160和40 nm时可获得理想的陷光效果; 在不同粗糙度背电极衬底上制备a-SiGe:H电池发现, 使用40和61.5 nm 背电极可获得相当的短路电流密度, 理论分析和实验得到了一致的结果.
关键词:
陷光结构
光散射能力
标量相干理论
硅基薄膜太阳电池 相似文献
73.
针对非晶硅锗电池本征层高锗含量时界面带隙失配以及高界面缺陷密度造成电池开路电压和填充因子下降的问题,通过在PI界面插入具有合适带隙的非晶硅缓冲层,不仅有效缓和了带隙失配,降低界面复合,同时也通过降低界面缺陷密度改善内建电场分布,从而提高了电池的收集效率. 进一步引入IN界面缓冲层以及对非晶硅锗本征层进行能带梯度设计,在仅采用Al背电极时,单结非晶硅锗电池转换效率达8.72%.
关键词:
非晶硅缓冲层
非晶硅锗薄膜太阳电池
带隙
界面 相似文献
74.
对国产六面顶压机平台下使用多晶种法合成宝石级金刚石单晶进行了系统的研究. 通过合理调整温度梯度法的合成腔体组装, 采用多晶种法, 探索多晶种法金刚石合成的压力和温度区间, 在单个合成腔体内放置3–5颗金刚石晶种, 成功合成出多颗(3–5)优质Ib型宝石级金刚石单晶. 多颗晶种的引入, 单次实验合成的多个金刚石晶体晶形及品质一致; 同时, 晶体的整体生长速度也有明显的增大. 多晶种法金刚石单晶合成的研究, 可以有效地利用腔体空间、提高单次金刚石单晶合成的效率, 解决压机大型化下高温高压资源利用率低的问题; 同时, 为宝石级金刚石单晶商业化生产提供重要的依据.
关键词:
金刚石
国产六面顶
多晶种
温度梯度法 相似文献
75.
76.
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We propose a fibre optical stabilizer constituted by a photoelectric-hybrid optical bistable device in which fibre Bragg grating is used as a light intensity modulator. The intensity noise-reducing ability is well improved through the method by employing two feed signals. As a result, the light intensity variation can be reduced to - 1/64. 相似文献
78.
以高温高压为手段,在4~5GPa压力和700~1 200 K温度条件下,成功地合成出了PbTe。对合成样品进行了X射线测试分析,结果表明,合成的PbTe样品是具有NaCl结构的多晶,而PbTe的取向随着合成压力的升高发生变化。扫描电镜分析结果显示:高压合成的PbTe样品,其晶粒有了明显的取向;电阻率比常压样品低1~2个数量级,并随合成压力的升高而降低;热导率也同时低于常压合成的PbTe样品。以上结果说明,高压合成方法是改善材料性能的重要手段。 相似文献
79.
三波长分光光度法测定色氨酸,酪氨酸和苯丙氨酸的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文用三波长分光光度法测定色氨酸,酪氨酸和苯丙氨酸,利用计算机选择最佳波长组合,可实现三种组分的同时测定,合成样品的分析结果表明,方法的准确和精密度都令人满意。 相似文献
80.
采用RF-PECVD技术,通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料,研究了工艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系.随后进行了光衰退试验,在分析光照前后光电特性变化规律的基础上,认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因.在靠近过渡区非晶一侧的硅材料比普通非晶硅稳定,衰退率较少;高晶化率微晶硅材料性能稳定,基本不存在光衰退;在靠近过渡区微晶一侧的硅材料虽然不是完全不衰退,但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池.
关键词:
射频等离子体增强化学气相沉积
硅薄膜
Staebler-Wronski(SW)效应
稳定性 相似文献