年龄相关的半线性种群扩散系统的最优收获控制

研究年龄相关的半线性种群扩散系统的最优收获控制问题，证明了最优收获控制的存在性，得到了收获控制为最优的必要条件和由偏微分方程与变分不等式所构成的最优性组，由最优性组确定最优控制．     

REUSY-Ex的吸附性能及二次孔结构研究

应用高真空重量法(分别以苯和正庚烷为吸附质)和低温N2吸附法对REUSY-Ex的吸附性能和二次孔结构进行了研究.结果表明,在水热处理过程中可产生二次孔结构,且二次孔的形成与水热处理的脱铝深度相关.稀HCl浸取REUSY不仅能浸取出位于其二次孔中的非骨架铝(EFAL)碎片,而且还能浸取出位于微孔中的EFAL。29Si MAS NMR的结果显示,稀HCl浸取后,骨架Si(OAl)的谱宽变窄,裂分效果提高,表明其化学环境单一或均匀.     

原子吸收光度法间接测定甲基托布津的含量

用标准Cu^2 溶液和样品中的甲基托布津在氨碱性环境下作用，产生定量沉淀，离心分离未反应的Cu^2 ，用原子吸收分光光度计测定Cu^2 浓度可间接求得样品中的甲基托布津的含量。本法的检出限10mg/L；测定范围为10-120mg/L；RSD小于3．2％。本方法的测定结果与络合滴定法与分光光度法的结果能很好地符合。     

Exploring reservoir computing:Implementation via double stochastic nanowire networks

Neuromorphic computing, inspired by the human brain, uses memristor devices for complex tasks. Recent studies show that self-organizing random nanowires can implement neuromorphic information processing, enabling data analysis.This paper presents a model based on these nanowire networks, with an improved conductance variation profile. We suggest using these networks for temporal information processing via a reservoir computing scheme and propose an efficient data encoding method using voltage pu...     

反映生物系统平衡点稳定性的数学模型

本利用Logistic模型，建立了反映生物系统竞争和排斥的数学模型，并且讨论了模型的平衡点的稳定性。     

不同剂量率下锗硅异质结双极晶体管电离损伤效应研究

对于相同制作工艺的NPN锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT), 在不同辐照剂量率下进行⁶⁰Co γ射线的辐照效应与退火特性的研究. 测量结果表明, 两种辐照剂量率下, 随着辐照总剂量增加, 晶体管基极电流增大, 共发射极电流放大倍数降低, 且器件的辐照损伤、性能退化与辐照剂量率相关, 低剂量率下辐照损伤较高剂量率严重. 在经过与低剂量率辐照等时的退火后, 高剂量率下的辐照损伤仍较低剂量率下的损伤低, 即待测SiGeHBT具有明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS). 本文对相关的物理机理进行了探讨分析. 关键词： 锗硅异质结双极晶体管 低剂量率辐照损伤增强 辐照效应     

水溶性卟啉在分析中的应用 Ⅱ.meso-四-(对-磺基苯)卟啉(TPPS_4)与镉反应的分光光度研究

1978年五十岚淑郎等研究了TPPS_3与镉的反应。作为光度试剂,TPPS_4具有更优良的性质,因此我们研究了TPPS_4与镉的反应。实验部分镉标准溶液:纯金属镉溶于硝酸配制。 721型分光光度计。 Specord UV-VIS自记分光光度计。(二)实验步骤取含有0.5-2微克镉的溶液放入25毫升容量瓶中,加入0.5毫升TPPS_4,1毫升联吡啶溶液(10~-2M)及1毫升氢氧化钠(一)试剂及仪器 TPPS_4:10~-4M水溶液。     

血硒的氢化物发生-原子吸收光谱法规范化研究及临床应用

建立了基于氢化物发生火焰原子吸收光谱法测定血清中硒的方法。血样在180±10℃的条件下用硝酸-高氯酸进行快速消解,然后用浓盐酸将6价硒还原为4价硒,再用硼氢化钠将4价硒还原为硒化氢,血清经消解和稀释后取样4.0μg进行测定。该方法具有灵敏、准确、快速和简便等诸多优点,其中的特征浓度、检出限、变异系数、回收率和线形范围分别为2.93μg/L、1.55μg/L、3.3%—5.4%、99.2%—103.4%和1.65—320.0μg/L。对国产氢化物发生器的普及有重大的现实意义。     

球面上的点在连续映射下的性质

本文应用Ｓｍｉｔｈ周期变换理论，根据球面在周期变换下的指数，对球面上的点在连续映射下的性质作了进一步探讨，从而丰富了Ｂｏｒｓｕｋ-Ｕｌａｍ定理．     

A single-event transient induced by a pulsed laser in a silicon-germanium heterojunction bipolar transistor

A study on the single event transient (SET) induced by a pulsed laser in a silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) is presented in this work. The impacts of laser energy and collector load resistance on the SET are investigated in detail. The waveform, amplitude, and width of the SET pulse as well as collected charge are used to characterize the SET response. The experimental results are discussed in detail and it is demonstrated that the laser energy and load resistance significantly affect the SET in the SiGe HBT. Furthermore, the underlying physical mechanisms are analyzed and investigated, and a near-ideal exponential model is proposed for the first time to describe the discharge of laser-induced electrons via collector resistance to collector supply when both base-collector and collector-substrate junctions are reverse biased or weakly forward biased. Besides, it is found that an additional multi-path discharge would play an important role in the SET once the base-collector and collector-substrate junctions get strongly forward biased due to a strong transient step charge by the laser pulse.