首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   34810篇
  免费   6877篇
  国内免费   10544篇
化学   26340篇
晶体学   1249篇
力学   2274篇
综合类   991篇
数学   4673篇
物理学   16704篇
  2024年   117篇
  2023年   503篇
  2022年   1383篇
  2021年   1459篇
  2020年   1441篇
  2019年   1392篇
  2018年   1285篇
  2017年   1593篇
  2016年   1482篇
  2015年   1907篇
  2014年   2277篇
  2013年   2995篇
  2012年   3097篇
  2011年   3306篇
  2010年   2919篇
  2009年   2919篇
  2008年   3172篇
  2007年   2879篇
  2006年   2719篇
  2005年   2305篇
  2004年   1795篇
  2003年   1258篇
  2002年   1254篇
  2001年   1238篇
  2000年   1255篇
  1999年   765篇
  1998年   438篇
  1997年   362篇
  1996年   377篇
  1995年   304篇
  1994年   334篇
  1993年   279篇
  1992年   250篇
  1991年   165篇
  1990年   143篇
  1989年   165篇
  1988年   100篇
  1987年   93篇
  1986年   96篇
  1985年   63篇
  1984年   63篇
  1983年   42篇
  1982年   44篇
  1981年   41篇
  1980年   22篇
  1979年   31篇
  1978年   15篇
  1974年   11篇
  1965年   11篇
  1964年   8篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
141.
将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu~(3 )的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu~(3 )位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。  相似文献   
142.
在储存环的束流传输系统中,斜四极场和纵向螺线管场是引起束流线性耦合的主要原因.由于这种耦合,使得束流的幅度和发射度发生交换,引起束流横向包络的增大,严重的将造成束流损失.从Betatron运动方程出发研究了斜四极场和螺线管场存在时束流的幅度耦合效应,分析了斜四极场存在时束流发射度的变化.  相似文献   
143.
红光激发下掺Ho3+氟化物薄膜的上转换发光   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用激光脉冲沉淀法制备了稀土Ho~(3 )掺杂的氟化物薄膜。观测到处于薄膜中的Ho~(3 )离子在632.8nm红光激发下的上转换发射。这些上转换发射包括:~5S_2→~5I_7,~5F_4→~5I_7和~5S_2→~5I_8。  相似文献   
144.
杨爱峰  林诒勋 《应用数学》2003,16(1):143-147
本文研究的问题是确定f(p,B)的值,也就是给定顶点数p和带宽B,求满足最大度不超过B的连通图的最小边数,本文给出了一些f(p,B)的值及相应极图。  相似文献   
145.
拉曼共焦技术、表面拉曼增强技术以及降低入射激光强度的方法,被运用于SOD、DNA等生物分子拉曼散身实验中,以抑制其荧光背景,改善光谱质量。  相似文献   
146.
A New Annonaceous acetogenin,squamostolide(1),was isolated from the seeds of Annona squamosa.Its structure was elucidated based on spectroscopic methods and comparison with known compounds.It is the first example of Annonaceous acetogenin with each of the two ends of the aliphatic chain bearing a γ-lactone.Thenew compound exhibited cytotoxic activity in vitro against bel-7402 and CNE2 human tumor cell lines.  相似文献   
147.
Nonradiative decay of 4I13/24I15/2 transition of Er3+ has been investigated in a series of oxide glasses. For Er3+-doped glass samples, the Judd-Ofelt analysis on absorption spectra was performed and the fluorescence lifetime was determined by extrapolating to zero Er3+ concentration limit. Infrared spectra were measured in order to investigate the influence of OH groups in different glasses. The effects of glass matrix on the decay rate were discussed from the viewpoint of phonon energy, variations of effective fields, and OH groups. Compared to other glasses, phosphate glass presents low quantum efficiency and large nonradiative decay rate due to its high phonon energy and hygroscopic behavior.  相似文献   
148.
稀磁半导体Zn1-xMnxTe吸收光谱压力红移的理论研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
以自由Mn2+离子的径向波函数为基础,通过引入电子云延伸效应系数κ来修正这一径向波函数,得到了稀磁半导体Zn1-xMnxTe晶体中Mn2+离子的径向波函数.以此波函数为基础,研究了Zn1-xMnxTe晶体吸收光谱的高压谱移特性,并且得到了吸收谱中四条谱线随压力的红移规律.  相似文献   
149.
利用相干渡越辐射(CTR)测量短和超短电子束团长度是国际上束测领域新发展的频域测量技术.文中理论分析和数值计算了北京自由电子激光装置的皮秒级的射频电子束团序列产生的CTR,当辐射波长在长于束长(4ps)时,渡越辐射发生相干增强效应;与非相干渡越辐射相比,当λ≥2πσz时,增强的倍数约等于束团中粒子的数目(108);CTR从亚毫米波到毫米波段呈宽带连续谱特性;渡越辐射能量主要集中在轴线附近,宏脉冲辐射能量高达几毫焦.设计采用偏振型束团长度测量系统,利用CTR自相关技术,实验测量该束团序列的纵向长度,并藉助傅里叶变换光谱法,推求束团电子分布.  相似文献   
150.
The problem of generating a matrix A with specified eigen‐pair, where A is a symmetric and anti‐persymmetric matrix, is presented. An existence theorem is given and proved. A general expression of such a matrix is provided. We denote the set of such matrices by ??????En. The optimal approximation problem associated with ??????En is discussed, that is: to find the nearest matrix to a given matrix A* by A∈??????En. The existence and uniqueness of the optimal approximation problem is proved and the expression is provided for this nearest matrix. Copyright © 2002 John Wiley & Sons, Ltd.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号