质子滴线核17Ne在Si靶上反应总截面的测量

描述了在兰州放射性次级束流线上用80MeV/u的2?0?Ne轰击Be靶产生出理论上预言有奇异结构的17Ne的次级束流,并用它轰击Si靶,测量它的反应总截面并与其相邻的核相比较,发现截面值没有增大的现象.利用微观的Glauber模型进行了计算,理论计算和实验结果符合很好,确认其没有奇异结构.     

掺镱磷酸盐玻璃的光谱特性

测量了不同温度下Yb^3 离子在磷酸盐玻璃中的吸收光谱，发现吸收峰随温度升高发生蓝移，且有一反常吸收峰出现，可能来自另一种格位中心。根据低温下的吸收光谱和荧光光谱确定了Yb^3 离子在磷酸盐玻璃中的能级结构，并利用选择激发荧光光谱研究了掺Yb^3 离子在磷酸盐的格位选择特征。     

铵水间质子交换的再研究:不受扩散约束的化学交换

对铵盐水溶液中铵离子与水分子间的质子交换进行了再研究. 以核磁共振(NMR) 波谱学方法测定了不同pH值, 不同温度和含不同共存盐浓度的氯化铵水溶液中质子交换速率, 组分自扩散系数及NMR自旋晶格弛豫时间. 结果显示铵水间的质子交换并不受交换主体分子或离子自扩散的约束. 交换机理包括化学键和氢键的交换. 在溶液中, 水分子以氢键为桥 梁连接铵和其因水解而产生的碱性部分--氨. 在氢交换的过程中, 氨从水分子接受一个氢 成为铵, 同时另外一端的铵提供一个氢给水分子而变成氨, 或者一个氢从水分子转移到氨而同 时另外一个氢从铵转移到水. 在铵水质子交换的过程中没有净的电荷转移. 在低pH条件下, 由水解产生的氨的浓度降低, 亦即铵-水-氨复合物减少, 结果氢交换的可能性降低. 这解释了生物氢交换体系中的一种常见的在低pH值条件下氢交换变慢的现象.     

Synthesis and Characterization of Novel Multifunctional Acylthiourea Polymers

Several thiourea polymers have been synthesized through the reaction of diamine with 1, 4-or 1, 3-benzenedicarbonyl chloride and ammonium thiocyanate by solid-liquid phase transfer catalysis of polyethylene glycol-400 (PEG-400). The polymers were characterized and identified by elemental analysis, IR, HNMR and GPC. The multifunctional polymers have potential value as an ideal support for immobilized enzymes.     

大气激光雷达光电转换单元及其自检系统

基于双波长激光雷达的光电转换单元及其核心部件光电倍增管（PMT）的基本原理，对使光电倍增管工作的分压电路进行了剖析和改造，完成了激光雷达魇始回波从信号到电信号的转换，设计并实现了激光雷达光电转换自检系统，模拟了大气回波光子计数信号并产生相关控制信号，成功地解决了激光雷达信号处理部分调试困难的问题。     

PN结对交流信号相位的影响(续)

当1个交流小信号被1个PN结和1个大电容分压,且该电容的电容值远大于PN结电容时,大电容两端的电压与PN结电容成正比,该信号的相位与PN结的电阻以及信号的频率有关.把PN结当作1个电容和1个电阻并联,可定性解释该信号的相位与PN结正向电阻、与加在PN结两端的直流反向偏压、在零直流偏压下与交流信号频率的关系.     

放射性核束引起反应中轻带电粒子发射的同位旋效应

研究了69MeV/u³⁶Ar轰击Be靶的碎裂产物与Si靶反应引起的前角区轻带电粒子的发射产额与原子核同位旋、原子核序数的关系.发现前角区轻带电粒子发射产额对于丰质子核的结构非常敏感,与同位旋存在一种指数关系.因此可以把前角区轻带电粒子发射产额作为探测丰质子核结构的一种手段,也是一种新的验证一个核是否具有质子晕结构的实验证据.     

不同工作气体对PPAC性能的影响

描述了为RIBLL研制的一种双维位置灵敏PPAC在不同工作气体下的性能测试.位置读出采用电荷分除法.在7mb气压和C₃F₈工作气体时阳极在+595V,对于3组分α粒子,位置分辨为0.64mm.使用异丁烷气体,阳极在+500V,位置分辨为0.76mm.PPAC在两种气体中探测效率均为99.1%.C₃F₈气体质量厚度和能量损失较大,信号幅度较高,适合探测较高能量较轻粒子.异丁烷气体能损较小,适合探测较重粒子.     

垂直布洛赫线在畴段畴壁中的形成和消失

在不同的直流偏场下,对脉冲偏场作用后的磁泡膜中的磁畴观测结果表明:磁泡膨胀时的分枝生长往往伴随有大量垂直布洛赫线(以下称VBL)产生;它的正负与反向畴膨胀时所施加的直流偏场大小有确定关系;在幅度不太高的系列脉冲作用下畴端运动可使畴壁中形成大量VBL;足够强的脉冲偏场可使VBL消失。 关键词：     

McMillan Tc公式的解析推导(Ⅱ)——μ*≠0情形

本文把文献[1]的理论以及所得到的T_c公式推广到μ^*≠0情形,得到T_c=(2γ)/πω_log·(ω_log/ω_c)^{(μ*/(λ-μ*))}·exp{-(1+λ)/(λ-μ^*)}. Inγ=C=0.5772是Euler常数。 关键词：