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101.
一、引 言 利用垂直场反馈控制等离子体位移是所有托卡马克装置运行的重要组成部分。对于中小型的托卡马克装置,人们曾倾向于用大功率晶闸管作反馈系统的调节器。它所遇到的主要困难有:第一需要有一个较大功率的中频电源。无论是中频发电机或者是逆变器都需要有较大的投资。另一方面受到中频电源的频率及晶闸管的关断时间的限制使反馈系统的时间响 相似文献
102.
XIE Fu-Ding Xiao-Shan LIU Feng 《理论物理通讯》2004,42(11)
Based on the rank analysis method, algorithmization idea, and symbolic computation, in this paper we have presented a method to construct the conservation laws for nonlinear evolution equations. The polynomial conservation laws for K (n 2, n) equations and mnK(m, n) equations are found by using of this approach and some new results have been obtained. 相似文献
103.
104.
超重元素(新核素)合成研究进展情况分析和展望 总被引:2,自引:0,他引:2
本文在介绍和分析国际、国内在超重元素(新核素)合成实验研究与理论研究进展情况的基础上对我国今后如何从理论与实验的结合上开展超重元素(核)合成研究工作提出一些看法和建议,提供讨论。 相似文献
105.
通过采用预估校正的时域有限差分法求解麦克斯韦-布洛赫方程,我们研究了飞秒激光脉冲在三能级有机分子(4,4-二甲氨基二苯乙烯分子)介质中传播时脉冲的频谱演化情况.在单光子共振情况下,即入射脉冲频率等于1、2能级之间的共振频率,对大面积入射脉冲,由于强的二次激发的作用,电场频谱中出现了在ω32附近振荡的频率成分,ω32是2、3能级之间的共振频率,说明对大面积入射脉冲二能级模型已经失效,需要采用多能级模型来描述分子介质.在双光子共振情况下,即入射脉冲频率等于1、3能级之间的共振频率的一半,由于介质中放大的自发辐射和四波混频的作用,部分入射脉冲能量转化为高频和低频电场成分的能量,分子介质表现出了很强的光功率限幅特性. 相似文献
106.
氟氧化物陶瓷的多谱线上转换发光 总被引:1,自引:0,他引:1
以氧化硅、氟化铅为基质制备了Er3 :Yb3 共掺杂氟氧化物陶瓷 ,X 射线分析表明陶瓷中存在着 β PbF2 晶相 ,沉积在其中的稀土离子由于具有很低的无辐射跃迁几率而显示出良好的上转换性能。Er3 ,Yb3 离子之间存在的多种能量传递通道 ,导致稀土离子十分丰富的上转换谱线的出现。 相似文献
107.
�� Ƽ������ͨ�������������� 《核聚变与等离子体物理》2006,39(3):265-269
By using Fluent software with the Eulerian multiphase model and Non-equilibrium boiling model, the subcooled flow boiling heat transfers was numerically simulated in the plain upward vertical tubes under the condition of one-side heating. The influences of the different mass flux, inlet temperatures and heat flux on the heat transfer coefficient, the void fraction and heat transfer deterioration were investigated. 相似文献
108.
航空公司在给定的运力和机队配置条件下,如何适应航线需求的不断变化而合理地分配运力,使航空公司的经营效益最大化是我国航空经营管理的一个重大课题.根据航班效益分析,在一定的经营时间,航行班次的条件下,建立一个航线贡献最大化的含有随机变量的动态规划模型.求解方法是先用M ON TE C ARLO方法计算机仿真把模型转化为非线性的整数规划.再用动态规划中资源分配算法求出模型的最优解,编排最优各航线规划. 相似文献
109.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
110.
本文用另一方法证明了非对称矩阵的奇异值是处处强半光滑的,并利用这一性质给出求解逆奇异值问题的相对广义牛顿法,该方法具有Q-二阶收敛速度. 相似文献