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拓扑缺陷的不同分布对单壁碳纳米管电学性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在紧束缚近似基础上,利用扩展的Su-Schriffer-Heeger(SSH)模型,在实空间研究了在完整的"zigzag"碳纳米管中分别引入5/7,5/6/7,5/6/6/7拓扑缺陷所构成的(9,0)-(8,0),(9,0)-(7,0)和(9,0)-(6,0)三种异质结的电学性能.通过研究表明:这些拓扑缺陷不仅改变碳管的直径,而且支配费米能级附近的电学行为.并计算了(9,0)-(8,0),(9,0)-(7,0)和(9,0)-(6,0)系统的电子态密度,对这3种异质结的能带结构和电子态密度进行了比较.结果表明:五边形和七边形在碳管中分布的不同对碳管电学性能的影响明显不同.因此,可以研制出基于这些异质结的不同的电子器件基元. 相似文献
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A Monte Carlo simulation has been carried out on the carrier distribution in the Ba-O plane of Yba2Cu3O7, where the O-2pz orbitals perpendicular to the plane are strongly hybridized with 3dz2 orbitals in adjacent Cu planes, while the in-plane O-2pz and O-2py orbitals, which are nonbonding with respect to the Cu-3d orbitals, form two nearly degenerate subbands. The degeneracy is removed by the distortion of the lattice. A tight-binding Hamiltonian is constructed for such a coupled electronlattice system and the Monte Carlo simulation is made for a sample containing 35×35 unit cells with periodic boundary condition at various temperatures. Although the total number of carriers is fixed, the results show approximately a linear temperature dependence of in-plane hole density, and this is in good agreement with the Hall effect measurements. The distortion of the lattice is found to exhibit random character with some short range order. The relations to the other transport properties and to other superconducting oxides, especially the Nd-Ce-Cu-O systems, are also discussed. 相似文献
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利用MBE方法在(001)衬底上成功地生长密度大、尺寸小、发红光的InAlAs/AlGaAs量子点结构。通过原子力显微镜观察表明,InAlAs量子的密度和大小都随覆盖厚度的增加而增大;发现Al原子的表面迁移率决定InAlAs量子点的形貌,光荧光谱证实了量子点的发光峰值在红光范围,并结合形貌的统计得到了量子点的发光峰展宽主要昌受量子点的横向尺寸影响。 相似文献
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