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171.
平面旋转场诱导下磁流变液的结构模型   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
针对平面旋转场下磁流变液中诱导产生的层状结构 ,提出了恰当的理论模型 ,该模型成功的解释了层状结构在同步旋转状态下 :层间距随磁场的变化关系 ;旋转层的滞后角随旋转角频率以及其他物理量之间的关系 ;层半径与旋转角频率之间的关系 .理论结果与文献中发表的实验结果相吻合  相似文献   
172.
A transient molecular network model is built to describe the nonlinear viscoelasticity of polymers by considering the effect of entanglement loss and regeneration on the relaxation of molecular strands. It is an extension of previous network theories. The experimental data on three thermoplastic polymers (ABS, PVC and PA6) obtained under various loading conditions are used to test the model. Agreement between the theoretical and experimental curves shows that the suggested model can describe successfully the relaxation behavior of the thermoplastic polymers under different loading rates by using relatively few relaxation modes. Thus the micromechanism responsible for strain-rate dependence of relaxation process and the origin of nonlinear viscoelasticity may be disclosed. The project supported by the National Natural Science Foundation of China and Doctorial Fund  相似文献   
173.
为解决高等师范院校物理专业学生的知识结构和实际能力与社会需要明显不相适应的矛盾,我们对四年制物理专业的课程结构进行了全面改革。改革后,毕业生不仅能胜任普通中学或职业中学(职业中专)的教学,而且有能力参与厂矿企业的技术工作,具有更广泛的适应性和更强的竞争力。  相似文献   
174.
TheExistenceofPeriodicOrbitsforHigherDimensionalAutonomousSystemswithSmallPerturbationsJiangLiqing(蒋里强);ZhouYi(周毅);FanYe(范晔)(...  相似文献   
175.
The activity coefficients of NaBr in the NaBr–NaPropionate–H2O and NaBr–NaButyrate–H2O systems were determined from EMF measurements at constant total ionic strength of 0.1 0.5 1.0 1.5 2.0 and 2.5 mol-kg–1 and at 25° C. The activity coefficients were fitted using Scatchard, Pitzer and Lim equations. Finally the excess Gibbs free energy of these mixtures were also calculated.  相似文献   
176.
本文用Claisen缩合反应合成了未见文献报道的一种新的β-二酮,α-萘甲酰呋喃甲酰甲烷(α-NFM),考察了该化合物的红外光谱、质谱及核磁共振氢谱。确定其存在着互变异构。  相似文献   
177.
现场抽样调查中,由于测量误差的存在,使得所测变量实测值的方差增大,通过增加每个体的测量次数可以控制测量误差,但这样每个体调查费用增大。本文对测量信度R,每个体测量次数m与相应所需的样本含量nm、调查费用Tn的关系进行了探讨,并介绍了如何根据R,及每个体测量费用占其总费用构成比C,确定最佳测量次数m值,以达到最佳控制调查费用的目的,这对我们在大型现场调查中进行经济效益分析具有重大的理论指导意义。  相似文献   
178.
产生特殊聚焦图形的二元光学元件   总被引:2,自引:0,他引:2  
通过面积编码将伽博(Gabor)波带片的透过率函数的余弦分布等效为二元分布,研制了能产生各种特殊聚焦图形的二元光学元件。根据透镜聚焦的物理原理制作的二元振幅型波带片可以方便地产生多种聚焦线,给出了相应的实验结果,并讨论了改善聚焦效果的优化条件。  相似文献   
179.
We present data showing hyperfine transitions in an atomic deuterium beam induced by the (476 MHz) radio-frequency field of a 704 MeV electron beam in a storage ring. A polarized deuterium beam, produced in an atomic beam source, was crossed with a stored electron beam and analyzed with a Breit--Rabi polarimeter. Electron-beam induced transitions were singled out by injecting different combinations of hyperfine states. Transition probabilities as high as 70% were measured at large currents (~ 100 mA). All possible deuterium transitions for a radio-frequency of 476 MHz were observed. In addition, a 1--6 transition resulting from the first harmonic (952 MHz) was observed. The effects of these transitions are of general importance for the polarized internal target technique applied in nuclear and particle physics experiments. The data are reasonably described by numerical estimates. The observed mechanism can be exploited to create nuclear polarized atoms when injecting electron polarized atoms with no net nuclear polarization into a storage cell. However, when nuclear polarized atoms are injected, care should be taken to avoid this mechanism, since it would result in depolarization of the atoms. The studies enabled us to choose the magnetic guide field during our spin-dependent electron--deuteron scattering experiments, such that electron-beam induced depolarizing effects were avoided. This revised version was published online in July 2006 with corrections to the Cover Date.  相似文献   
180.
Ga1-xInxAs(x>0.53)材料是未来长距离低损耗光纤通信的理想光源材料和探测器材料之一.我们采用水平常压MOCVD系统,在InP衬底上成功地生长了Ga1-xInxAs(x>0.53)/InAsyP1-y/Inp异质结材料.其中InAs1-yPy为组份阶梯变化的多层结构.由样品的(400)面X光衍射结果测定了各层组份.由二次离子质谱(SIMS)得到了样品剖面组份变化结果,证明InAs1-yPy层组份为阶梯状变化的.通过对光致发光结果和X光衍射结果比较,可以看到,InAsyP1-y层通过位错和弹性畸变二种方式来释放或积累Ga1-xInxAs与InP间的失配应力,从而减少了Ga1-xInxAs中的失配位错.有效地改善了Ga1-xInxAs的质量.已获得了x高达0.94表面光亮的Ga1-xInxAs/InAs1-yPy/InP异质结材料.  相似文献   
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