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1.
针对柱面注浆方式,研究了有关渗透注浆的单孔复注及不同方式布孔时多孔注浆的相互影响等问题,推导出一些有价值的岩体注浆理论公式,可用于指导现场注浆工程的设计与施工. 相似文献
2.
建立了一个把增强颗粒球和基体空心球嵌入等效复合介质空腔中的“双层嵌套模型”,研究了颗粒增强材料自高温冷却下来时,不同相中热应力的分布特点。推出了热应力在弹性和弹塑性状态的各种表达式。研究表明,随着温度降低,增强体受到压应力,基体材料中存在的静水应力为拉应力。温度继续下降,将出现自增强颗粒与基体界面向外扩展的屈服区。随增强相体积分数增大,增强颗粒受到的压应力和基体中的静水拉应力减小,增强颗粒与基体界面屈服的起始温差增大,而基体材料全面屈服的温差却减小。 相似文献
3.
4.
This paper investigates superconvergence properties of the local discontinuous Galerkin methods with generalized alternating fluxes for one-dimensional linear convection-diffusion equations. By the technique of constructing some special correction functions, we prove the(2k + 1)-th-order superconvergence for the cell averages, and the numerical traces in the discrete L~2 norm. In addition, superconvergence of orders k + 2 and k + 1 is obtained for the error and its derivative at generalized Radau points. All the theoretical findings are confirmed by numerical experiments. 相似文献
5.
6.
7.
8.
压缩感知可以在低于Nyqiust采样率条件下实现稀疏信号的精确恢复. 重构算法是压缩感知的主要研究内容之一. 本文基于子空间基追踪算法的回溯思想与共轭梯度法, 提出了共轭梯度子空间基追踪算法. 通过仿真实验验证了算法的有效性, 并讨论了该算法利用几种常见测量矩阵对稀疏信号的重构效果. 结果显示, 当测量矩阵为部分Fourier矩阵时, 该算法具有最优的重构效果. 相似文献
9.
甲氧基多溴联苯醚(methoxypolybrominated diphenyl ethers, MeO-PBDEs)广泛存在于生物体和海洋环境。以象山海域的生物体和沉积物为样本,采用固相萃取净化-气相色谱-负化学源质谱法,检测了6种MeO-PBDEs,结果显示,当目标分析物浓度为0.1~20.0 μg?L-1时,线性关系良好(R2>0.999),检出限为0.13~0.22 μg?kg-1,定量限为0.42~0.72 μg?kg-1,实际样品的平均回收率为71.2%~116.2%。MeO-PBDEs的分布状况调查结果显示,藻类样品中仅检出6-MeO-BDE-47,且浓度较低,其他生物体中检出3种MeO-PBDEs,检出率为31.3%,浓度为0.21~2.72 μg?kg-1。沉积物中无MeO-PBDEs被检出。 相似文献
10.
Effects of Annealing on Schottky Characteristics in A1GaN/GaN HEMT with Transparent Gate Electrode 下载免费PDF全文
A1GaN/GaN heterostructure transistors are promising for power and switching applications. In addition, the transparent wide band-gap A1GaN/GaN heterostructure systems have received considerable attention to transparent electronics. Nowdays, Al-doped ZnO (AZO) thin film plays an increas- ingly important role in various fields of transparent electronics.The AZO-gated A1GaN/GaN HEMT with good dc characteristics and frequency character- istics has been reported. Annealing is widely used to improve the electri- cal characteristics of A1GaN/GaN HEMTs. It is re- ported that the Schottky leakage current can be re- duced by over four orders of magnitude by annealing in an A1GaN/GaN heterostructure with ITO/Ni/Au electrode. Pei et al. reported that the transparency of Ni/ITO gates of A1GaN/GaN HEMTs has been sig- nificantly improved after annealing. However, the evaluation of Schottky C V characteristics was ab- sent. Up to now, few results are reported on the Schot- tky annealing characteristics of AZO in A1GaN/GaN HEMT. Thus the effects of annealing on the leakage current, transparency and interface states character- istics need further study. 相似文献