Burgers-K-dV混合型方程行波解的定性分析

本文利用常微分方程定性理论的方法证明了Burgers-K-dV混合型方程 u_t+uu_x-γu_xx+βu_xxx=0,存在有界非平凡的行波解.当条件(3.3)成立时,该解性质类同于Burgers方程的冲击波解;当条件(3.10)式成立时,行波解具有由大到小顺次排列的一串无穷多个波峰与波谷;特别当γ→0时,最大波峰附近的行波曲线趋于K-dV方程的单孤立子解.这一事实表明此方程的解确有波粒二重性,并为用耗散与色散相互作用的观点解释湍流等物理现象提供了一定的数学依据.     

Eu^3+激活氟氧硼酸锗酸盐闪烁玻璃的发光性能

采用传统高温熔融法合成了玻璃组成为B2O3-GeO2-15GdF3-(40-x)Gd2O3-xEu2O3(0≤x≤10)的Eu^3+激活氟氧硼酸锗酸盐闪烁玻璃。在硼锗酸盐玻璃基质中,Gd2O3和GdF3稀土试剂的总含量高达55%,从而确保其密度高于6.4 g/cm^3。闪烁玻璃的光学性能通过光学透过光谱、光致发光光谱、X射线激发发射(XEL)光谱和荧光衰减曲线来表征。玻璃中Gd^3+→Eu^3+离子的能量传递通过激发光谱、发射光谱和Gd^3+-Eu^3+离子间距得到证明,同时也确定了在紫外线和X射线激发下Eu^3+激活氟氧硼酸锗酸盐闪烁玻璃的最佳浓度。Judd-Ofelt理论分析了玻璃中Eu―O键的共价性随Eu^3+掺杂浓度增加而显著增强。Eu^3+激活氟氧硼酸锗酸盐闪烁玻璃在80~470 K温度范围内荧光衰减曲线和发射光谱的温度依赖关系最终证实了其具有较好的发光稳定性。     

适用于CW同步泵浦染料激光器的锁模方程及其解

在指出传统的锁模方程中的缺陷之后,利用自洽模型,重新推导出适用于同步泵浦染料激光器的锁模方程;从此方程出发,只需将其中的增益项G(t)对时间t展开到二阶,便能求出光脉冲宽度τ,强度I₀等量的较精确的解析解,这些结果与实验事实相符,并能解释原方程的二阶解所无法解释的现象。 关键词：     

高压烧结镀Cr、Ti膜金刚石/铜复合材料热导率研究

 采用磁控溅射方法,在金刚石表面镀覆活性金属Cr膜和Ti膜,在高温高压下合成了镀活性金属膜金刚石/铜复合材料。实验发现,活性金属的加入增强了金刚石与铜界面间的结合强度,减少了界面热阻,提高了复合材料的热导率。复合材料热导率随着金刚石体积分数的增加而降低,随着金刚石的粒度增大而提高。这主要是由界面热阻引起的,可以通过增大金刚石粒度和改善界面状态来提高复合材料热导率。     

一种非接触式稀土荧光自参比温度传感器

发展了一种非接触式稀土荧光自参比温度传感器,即将有机稀土配合物K[Yb(Az)₄]包埋在苯乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物中,并附着在洁净的石英片上制备得到了温度传感薄膜Yb@PSMM。通过研究不同温度下Yb3+的荧光发射光谱,利用其在近红外波段荧光性质随温度变化的规律,开发了一种比率型稀土荧光温度传感方法,其原理是通过不同温度下Yb3+的荧光发射光谱的形状随温度的变化,结合在不同温度下Yb3+的核外电子在外层Stark劈裂亚能级上的分布符合Boltzmann分布律的特点,利用其近红外荧光发射光谱中900 nm~990 nm波长范围内与990~1 150 nm波长范围内的积分峰面积比的自然对数与温度的倒数呈现的线性关系作为温度测量的标准曲线,实现了-195~105 ℃范围内的温度精确测量。经考察,该发光温度传感器在0 ℃附近的温度测量分辨率达到了0.1 ℃。与已报道的发光温度传感器相比,提出的新型温度传感器具有如下几个优势：其一,所选用的发光材料的Stokes位移大于500 nm,有效地避免了环境背景干扰;其二,由于采用荧光积分峰面积而非荧光强度作为考察对象,大大减小了测量中由于仪器或测量次数较少引入的随机误差;其三,采用同一发光材料的荧光发射光谱中两个荧光峰面积的比值,相当于在体系中引入了自参比,有效避免了由于荧光材料的浓度、几何构型以及光源强度等外界因素变化对测量结果产生的影响;其四,利用稀土发光材料作为温度传感材料,可以利用其荧光寿命长、单色性好、强度高的特点;其五,温度传感膜本身不溶于水,也不在水中扩散,便于直接测量原位温度变化;其六,Yb3+的发光位于900~1 150 nm的近红外波长范围,而这个波段的荧光具有较好的穿透性使得该温度传感器有望在复杂体系的温度传感、成像等领域发挥重要作用。在实际测量的装置中,通过调整光路使得辐照在样品上的入射光斑大小仅约为1 mm2,并将Yb@PSMM固体膜样品的放置方向与入射激发光的夹角设置为225°,从而规避了入射光源的反射光对检测器的影响,而具有较好穿透能力的近红外荧光几乎不受影响,从而进一步确保了该温度传感器的测量结果。     

含铱配合物的聚对苯类电磷光聚合物

通过Suzuki聚合法合成了以聚对苯为主链的含铱配合物的电磷光共轭聚合物。部分苯环单元被β-二酮结尾的烷氧基链取代,进而与2-苯基吡啶配位形成悬垂的铱配合物侧链。宽带隙的聚对苯主链使主体与客体的能级匹配,从而有利于能量的转移。铱配合物通过长β-二酮结尾的烷氧基链悬挂在聚对苯的侧链上提高了聚合物的溶解性,有利于器件的制作。另外,由于连在氧原子上的β-二酮具有较大的旋转自由度,增大了β-二酮的反应活性有利于配位反应的进行。聚合物的EL光谱只显示客体铱配合物的发射,主体的发射已被完全猝灭。这表明聚合物主体和铱配合物客体之间发生了有效的能量转移。PPPIrPPy2聚合物发光器件的EL光谱发光波长为525nm,最大外量子效率为2.6%。     

n(Zn)：n(Ga)比值对合成ZnGa2O4结构及光致发光性能的影响

以ZnO和HGaO₂为原料,用不同配比合成出系列ZnGa₂O₄,并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa₂O₄的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa₂O₄的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1.ZnGa₂O₄属于尖晶石结构,稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa₂O₄结构中,并对ZnGa₂O₄的晶格常数产生一定影响。2.ZnGa₂O₄存在两个自激发光中心,当Ga稍过量时,自激发光中心是四面体镓氧键[T_d(Ga-O)],最大激发波长约248nm,最大发射波长约367nm;当Zn稍过量时,自激发光中心是八面体镓氧键[O_h(Ga-O)],最大激发波长约270nm,最大发射波长约441nm。当n(Zn):n(Ga)在理论值附近,激发和发射光强度最大,而且光谱峰位发生了红移。3.ZnGa₂O₄的热稳定性能非常好。上述结论对研究ZnGa₂O₄基质或掺杂的发光材料具有一定意义。     

13.5—14.6MeV中子能区锗的同位素反应截面的测量

报道了在13.5—14.6MeV中子能区用活化法测得的⁷⁶Ge(n,2n)⁷⁵Ge, ⁷⁰Ge(n,2n)⁶⁹Ge, ⁷⁰Ge(n, p)⁷⁰Ga, ⁷²Ge(n,p)⁷²Ga, ⁷³Ge(n,p)⁷³Ga, ⁷²Ge(n,α)^69mZn和⁷⁴Ge(n, α)^71mZn的反应截面值. 中子注量用⁹³Nb(n,2n)^92mNb反应截面得到. 单能中子由T(d,n)⁴He反应获得. 同时还列举了已收集到的文献值以作比较.     

串列加速器头部电极改进方案

通过改变头部电极的局部形状来改善头部电场, 运用Poisson程序计算几种可能形状下表面电场的分布, 并以此给出最佳的改进方案.