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71.
ABSTRACT The microstructure evolution and property change of four kinds of low silicon cast aluminum alloy exposed to heat for 0–50?h at 200°C were studied by means of Brinell hardness test, tensile property test, friction and wear property test and XRD analysis. The results show that with increasing thermal exposure time, the tensile strength of each group of samples decreased and the amount of wear increased. The tensile strength of samples with more Si content decreased slowly. When the time increased to 50?h, the increase of wear loss was the largest. The hardness of samples after thermal exposure increases compared with that before thermal exposure. The residual stress of (311) diffraction crystal surface of AlSi3.5Mg0.66 under different thermal exposure time was measured. The type of residual stress changed from residual tensile stress to residual compressive stress after thermal exposure. There is an abnormal phenomenon that the hardness of the sample increased and the amount of wear increased, and it is evident that the distribution of residual stress was inhomogeneous after thermal exposure. It is found that with increasing thermal exposure time to 50?h, the average lattice distortion ε of the low-index crystal plane and the high-index crystal plane in the aluminum alloys gradually increased. 相似文献
72.
我们利用团簇动力学模型(IRadMat)研究了keV-He离子辐照金属铝的缺陷动力学和氦的聚集行为.通过对不同俘获类型(团簇、晶界和位错)俘获He浓度的定量分析,我们发现大多数He原子被晶界吸收,这成为铝在低辐照通量下发生脆化的主要原因.随着辐照能量的增加,He滞留峰的位置会变得更深.然而,随着辐照通量的增加,He在体内的滞留量会变得更多,但滞留深度的峰值位置不变.我们的结果表明,晶界的影响在He的滞留分布以及铝的脆化行为中起着关键作用,这也有助于我们理解He在金属中的动力学行为和损伤的分布. 相似文献
73.
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及Ce掺杂6H-SiC的电子结构和光学性质进行理论计算.计算结果表明,未掺杂6H-SiC是间接带隙半导体,其禁带宽度为2.045 eV,掺杂Ce元素,带隙宽度下降为0.812 eV.未掺杂6H-SiC在价带的低能区,Si-3s、C-2s电子轨道对态密度的贡献较大,在价带的高能区,主要是由Si-3p、Si-3s、C-2p态组成.掺杂后Ce原子的4f轨道主要贡献在导带部分,掺杂后电导率提高.未掺杂时,只有一个介电峰,是价带电子跃迁到导带电子所致,掺杂后有两个介电峰,第一个介电峰是由于导带电子跃迁到Ce原子4f轨道上产生,第二个峰是价带电子向导带电子跃迁产生.未掺杂6H-SiC,在能量为10.31 eV处吸收系数达到最大值,掺杂后在能量为6.57 eV处,吸收系数达到最大值. 相似文献
74.
本体聚合反应过程中聚甲基丙烯酸甲酯增长自由基的ESR研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用TM110谐振腔和φ2mm样品管,在17℃室温条件下成功地记录了MMA本体聚合反应过程中增长自由基的ESR谱。当把DMA加入到MMA和BPO中后,立即抽取0.17ml混合液到φ2mm样品管并记谱。以后每隔2分钟记谱一次,波谱从13(5+8)条线逐渐变成9(5+4)条线。我们用阻碍振荡模型和构象重叠模型作了模拟。从全部谱图看,前者似更合理些。ESR实验表明:在聚合过程前期,自由基浓度基本保持不变,但从聚合中期的某一时刻开始,浓度剧增,它正好同步地与本体聚合反应的自加速效应相对应,而且其变化规律和单体转化率相平行。最后,我们用微波功率饱和方法观测到9线谱的协同自旋跳跃所产生的卫线,证明了主导的电子自旋晶格弛豫机理来自电子一核自旋间的偶极偶合角调制。 相似文献
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77.
78.
79.
Liu JM Wu RH Li DC Zhou P Zheng MM Zeng XY Liu DX Huang XM Zhu GH 《Journal of fluorescence》2006,16(5):625-630
A new method for the determination of trace mercury by solid substrate-room temperature phosphorimetry (SS-RTP) quenching method has been established. In glycine-HCl buffer solution, xylenol orange (XO) can react with Sn4+ to form the complex [Sn(XO)6]4+. [Sn(XO)6]4+ can interact with Fin− (fluorescein anion) to form the ion associate [Sn(XO)6]4+·[(Fin)4]−, which can emit strong and stable room temperature phosphorescence (RTP) on polyamide membrane (PAM). Hg2+ can catalyze H2O2 oxidizing the ion association complex [Sn(XO)6]4+·[(Fin)4]−, which causes the RTP to quench. The ΔIp value is directly proportional to the concentration of Hg2+ in the range of 0.016–1.6 fg spot−1 (corresponding concentration: 0.040–4.0 pg ml−1, 0.40 μl spot−1), and the regression equation of working cure is ΔIp=10.03+83.15 m Hg2+ (fg spot−1), (r=0.9987, n=6) and the detection limit (LD) is 3.6 ag spot−1(corresponding concentration: 9.0×10–15 g ml−1, the sample volume: 0.4 μl). This simple, rapid, accurate method is of high selectivity and good repeatability, and it has been successfully applied to the determination of trace mercury in real samples. The reaction mechanism for catalyzing H2O2 oxidizing the ion association complex ([Sn(XO)6]4+·[(Fin)4]−) SS-RTP quenching method to determine trace mercury is also discussed. 相似文献
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