FREE DEFORMATION RETRACTION IN INJECTIVE METRIC SPACES

In this paper the authors establish the concept of generalized ball-intersection (GBI) and prove that an injective metric space is freely contractible to its each GBI, which generalizes a result of Isbell from a point to a GBI.     

C59N单分子整流器

通过将单个C59N分子置于双势垒隧道结中，从而利用单电子隧穿效应和C59N分子的特殊能级结构，我们成功地实现了一种新型的单分子整流器件．实验中这个整流器件的正向导通电压约为0．5-0．7V，反向击穿电压约为1．6—1．8V．理论分析表明，中性C59N分子的半占据费米能级以及在不同充电情况下费米能级的不对称移动是形成整流效应的主要原因．其构成原理也决定了该器件具有稳定、易重复的特点．     

直接资本化法中自有资本收益率的算法探讨

在分析我国房地产自有资本收益率操作中所存在问题的基础上,论述了自有资本收益率的实质是自有资金直接资本化率,并在房地产持有期小于抵押贷款期以及房地产持有期和土地批租年限相同的两种情况下,推导出了与土地有限期使用制度相适应的房地产资本化率和自有资本收益率的计算方法,提出了利用债务保障比率的取值范围检验资本化率合理性的基本公式.     

Hydrothermal synthesis and Magnetocaloric effect of La0.5Ca0.3Sr0.2MnO3

The hydrothermal synthesis and magnetic entropy change for the perovskite manganite La_0.5Ca_0.3Sr_0.2MnO₃ have been studied. The La_0.5Ca_0.3Sr_0.2MnO₃ can be produced as phase-pure, crystalline powders in one step from solutions of metal salts in aqueous potassium hydroxide solution at a temperature of 513 K in 72 h. Scanning electron microscopy shows that the materials are made up of cuboid-shaped particles in typical dimension of 4.0×2.5×1.6 μm. Heat treatment can improve the magnetocaloric effect for the hydrothermal sample. The maximum magnetic entropy change ΔS_M for the as-prepared sample is 0.88 J kg⁻¹ K⁻¹ at 315 K for a magnetic field change of 2.0 T. It increases to 1.52 J kg⁻¹ K⁻¹, near its Curie temperature (317 K) by annealing the sample at 1473 K for 6 h. The hydrothermal synthesis method is a feasible route to prepare high-quality perovskite material for magnetic refrigeration application.     

p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究

以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.     

C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO₂界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响，然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试，提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中，采用不同的扫描速率，分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测 关键词： C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度     

部分相干光束通过硬边光阑的推广光束传输M2因子

给出部分相干光通过硬边光阑后的强度二阶矩的计算公式，由此可得到部分相干光通过硬边光阑后的推广光束传输M^2因子。以部分相干高斯－谢尔模型光束为例，推导出相应的M^2因子，并作了数值计算和分析讨论。