反应活化能的Tolman解释

修正的Arrhenius方程k=BTnexp(-E/RT)中的E,是化学反应名副其实的活化能。它与Arrhenius活化能E a有相同的物理意义,也服从Tolman解释。     

液相质谱测定非极性或弱极性物质的研究进展

从衍生、离子加合、离子源、裂解等方面对近年来液相质谱测定非极性或弱极性物质的研究进行综述。其中,衍生方式主要介绍了醛酮类化合物、醇类化合物、胺类化合物、烯烃与炔烃等物质的衍生方式,离子加合主要介绍了铵根离子加合等正离子加合模式与甲酸根等负离子加合模式,离子源主要介绍了大气压化学电离(APCI)、APPI、DESI三种离子源在测定非极性或弱极性物质的研究,裂解方式以三氯杀螨醇为例子。文章以实例对液相质谱测定非极性或弱极性物质的策略进行了讨论,对它们的现状和未来前景进行预测。     

农残水平测试中数据多态性分析及指定值估计研究

对全国农残水平测试中毒死蜱、氯氰菊酯数据进行统计分析,在数据统计分布特征研究基础上,使用内核密度估计进行数据多态性分析,使用bootstrap模拟取样法对数据样本值重复取样,以获得稳健的水平测试样品待测物含量代表值估计、标准误差及置信区间描述,证明以bootstrap模拟取样法获取的均值与标准偏差作为有限单次样本代表值是合理、有效的,解决了四分位稳健统计方法对非正态多态分布代表值估计不稳定问题及取样理论中取样样本数限制的瓶颈,为能力验证计划指定值的获取提供了一种新方法。     

晶种诱导Nonasil(HMI)的合成

以不同分子筛(Nonasil, MCM-22或MCM-49)为晶种, 在水热条件下以六亚甲基亚胺(HMI)为模板剂, 对纯硅沸石Nonasil(HMI)的合成进行了研究. 并且对各种合成参数, 包括晶种类型、硅源、晶化温度和Na+浓度等对Nonasil(HMI)合成的影响进行了探讨. 发现在适量的Na+存在条件下, 晶种的引入大大缩短了晶化时间; 不同类型的晶种对晶化速度有不同程度的提高. 特别是用异类晶种(如MCM-22或MCM-49)能够合成高结晶度的Nonasil(HMI).     

van der Waals状态方程与溶液理论

阐明了van der Waals状态方程与溶液理论间的密切关系。由van der Waals状态方程中的内压力和自由体积简捷地导得Scatchard-Hildebrand正规溶液理论、无热溶液理论和Flory-Huggins聚合物溶液理论。表明这些理论都是建立在van der Waals流体的基础上,为进一步改进这些理论提供了一条切实可行的思路。     

Triton X-100/正戊醇/环己烷微乳液条件下BiOBr制备及其光催化性能

以TritonX-100为表面活性剂,正戊醇为助表面活性剂,环己烷为连续油相,0.20mol/LBi(NO3)3·5H2O(NaBr)为水相,在环己烷/Triton X-100/正戊醇/水相(体积比20:6:4:6)的微乳液介质条件下制备BiOBr(BiOBr-m)光催化剂.运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(S...     

一种简单的微波法制备异亚丙基缩酮的方法

本文报道了一种新颖且简单的邻二羟基的保护方法——采用微波法合成异亚丙基缩酮.8种天然多羟基产物在浓硫酸和4?分子筛的催化下与丙酮反应,通过原位中和的方法加入Ba(OH)2·8H2 O粉末以去除催化剂浓硫酸,再经重结晶得到相应的异亚丙基缩酮.这种制备异亚丙基缩酮的新方法操作简单,采用微波辐射的手段显著缩短了反应时间,同时...     

溶剂对螯合物稳定性的影响：镉（Ⅱ）—甘氨酸（苯丙氨酸）—乙醇／…

用ＰＨ－电位滴定法测定了３７℃、Ｉ＝０．１ｍｏｌ．ｄｍ＾－３（ＫＮＯ３）、乙醇／水混合溶剂中配合物Ｃｄ（Ａａ）ｎ（Ａａ－＝甘氨酸、苯丙氨酸，ｎ＝１，２的一、二级稳定常数ｌｇｋ１、ｌｇｋ２及配体Ａａ＾－的酸解离常数ｐｋ１、ｐｋ２。     

金属蒸气合成制备有机硅化合物包裹的金属微粒催化剂

用金属蒸气合成法制备了三种有机硅包裹的金属催化剂Ni/D_4,Ni-Mn/D_4,Ni-Mn-La/D_4。用XRD,TEM,XPS,FMR,静磁对它们进行了性质表征。催化剂中金属粒子小于3.5 nm。XPS结果表明催化剂中金属以零价和氧化态多种形式存在,金属被有机硅包裹着,阻止了内层金属被氧化,FMR和静磁结果表明金属微粒呈球形,具有超顺磁性。在催化糠醛合成糠醇加氢反应中,Ni-Mn-La/D_4活性最高。     

烯基双锂与全卤代烃的反应

发现了二烯基双锂与全卤代烃可发生亲卤反应,卤素的活性次序为I>Br>Cl>>F。用ESR跟踪反应,发现锂桥自由基为反应中间体。产物结构的研究和中间体的捕捉实验表明反应中还并存有二卤卡宾中间体。提出了二烯基双锂与全卤代烃亲卤反应的SET反应机理。